MOS做電源開(kāi)關(guān)的實(shí)用電路,NMOS低端驅(qū)動(dòng)與PMOS高端驅(qū)動(dòng),泄放電阻的作用,及選型參數(shù)分析
2021-10-21 |
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資料介紹
隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來(lái)越多的電源開(kāi)關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開(kāi)通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0功耗。雖然應(yīng)用場(chǎng)合不同,但這都是MOS適用的強(qiáng)項(xiàng)。下面來(lái)介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的NMOS的電源開(kāi)關(guān)電路。1、NMOS做電源開(kāi)關(guān)(低端驅(qū)動(dòng),最簡(jiǎn)單)由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。下圖為使用NMOS,最簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)電路。(低端驅(qū)
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