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lm5110雙柵極驅(qū)動(dòng)器取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流和效率改進(jìn)。每個(gè)“化合物”輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括并聯(lián)運(yùn)行的MOS和雙極晶體管，它們一起從電容性負(fù)載中溢出超過5a的峰值。結(jié)合MOS和雙極器件的獨(dú)特特性，降低驅(qū)動(dòng)電流隨電壓和溫度的變化。獨(dú)立的輸入和輸出接地引腳提供負(fù)驅(qū)動(dòng)能力允許用戶驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極電壓VGS的正面和負(fù)面的。門驅(qū)動(dòng)控制輸入被引用到一個(gè)專門的輸入地（in_ref）。柵極驅(qū)動(dòng)器輸出擺幅從地面到輸出的VCC VEE可以消極的方面in_ref。舉行MOSFET的門和一個(gè)負(fù)VGS電壓驅(qū)動(dòng)能力降低損失低閾值電壓的MOSFET作為同步整流器時(shí)經(jīng)常。當(dāng)驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)的正柵極電壓的in_ref和VEE引腳連接在一起，引用一個(gè)共同點(diǎn)。還提供欠壓鎖定保護(hù)和關(guān)斷輸入引腳。驅(qū)動(dòng)程序可以與輸入和輸出并聯(lián)，驅(qū)動(dòng)電流能力加倍。該器件采用SOIC - 8和熱增強(qiáng)wson-10包。
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