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為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗及分析寄生參數(shù)對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準(zhǔn)分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結(jié)電容及非線性跨導(dǎo)系數(shù)等參數(shù)。詳細(xì)介紹了建立分析模型的原理，并給出了分析模型中各關(guān)鍵參數(shù)的提取方法。對(duì)比了基于分析模型計(jì)算得到的開(kāi)關(guān)波形與實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果，對(duì)比電壓電流波形匹配度較高，證明了此分析模型的正確性。對(duì)比了分析模型的開(kāi)關(guān)損耗與基于實(shí)驗(yàn)計(jì)算的開(kāi)關(guān)損耗，對(duì)比結(jié)果顯示兩者存在偏差，而分析表明基于實(shí)驗(yàn)計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的方法為不準(zhǔn)確方法。最后基于所提出的分析模型分析了不同寄生參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)特性的影響，并為優(yōu)化高頻電路設(shè)計(jì)提出了建議。
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