當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，由于主變壓器的漏感器（Llk）和MOSFET的輸出電容器（COSS）之間發(fā)生共振，漏極引腳上出現(xiàn)高壓尖峰。漏極引腳上的過大電壓可能導(dǎo)致雪崩擊穿，并最終損壞MOSFET。因此，有必要增加一個(gè)附加電路來鉗制電壓。本文提出了反激變換器RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)原則。

　　最簡(jiǎn)單的拓?fù)渲皇欠醇ぷ儞Q器。它是由buck-boost變換器通過用耦合電感（即間隙鐵芯變壓器）替換濾波電感而得到的。當(dāng)主開關(guān)打開時(shí)，能量以磁通形式存儲(chǔ)在變壓器中，并且在主開關(guān)關(guān)閉期間能量被轉(zhuǎn)移到輸出。由于變壓器在主開關(guān)接通期間需要儲(chǔ)存能量，因此鐵芯應(yīng)留有間隙。由于反激變換器只需要很少的元件，所以它是一種非常流行的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，適用于低功率和中等功率的應(yīng)用，如電池充電器、適配器和DVD播放機(jī)。

　　圖1顯示了反激變換器在連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）和不連續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）下工作，具有幾個(gè)寄生元件，如一次和二次漏感器、MOSFET的輸出電容和二次二極管的連接電容。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，一次電流id在短時(shí)間內(nèi)給MOSFET的cos充電。當(dāng)通過COSS，Vds的電壓超過輸入電壓加上反射輸出電壓Vin+nVo時(shí)，二級(jí)二極管導(dǎo)通，從而使通過磁化電感Lm的電壓鉗制為nVo。因此，Llk1和COSS之間存在高頻高壓浪涌共振。MOSFET上的過電壓可能是其失效的主要原因。在CCM操作的情況下，二級(jí)二極管保持導(dǎo)通，直到MOSFET被選通。因此，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)，二次二極管的反向恢復(fù)電流被加到一次電流中，因此，在導(dǎo)通的情況下，一次電流上有很大的電流浪涌。同時(shí)，由于在DCM操作的情況下，二次電流在一個(gè)開關(guān)周期結(jié)束前耗盡，MOSFET的Lm和COSS之間存在共振。

　　二次二極管打開，使得通過磁化感應(yīng)器Lm的電壓被鉗制到nVo。因此，Llk1和COSS之間存在高頻高壓浪涌共振。MOSFET上的過電壓可能是其失效的主要原因。在CCM操作的情況下，二級(jí)二極管保持導(dǎo)通，直到MOSFET被選通。因此，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)，二次二極管的反向恢復(fù)電流被加到一次電流中，因此，在導(dǎo)通的情況下，一次電流上有很大的電流浪涌。同時(shí)，由于在DCM操作的情況下，二次電流在一個(gè)開關(guān)周期結(jié)束前耗盡，MOSFET的Lm和COSS之間存在共振。