資料介紹
引言
如今的電源市場,拼體積、拼價格、拼性能,如何做到這3點(diǎn)就需要一個經(jīng)驗(yàn)豐富的Layout工程師。
1、靜電打壞IC
1、VCC電容跟VCC腳越近越好。如下圖VCC電容與IC腳太遠(yuǎn),靜電和耐壓都會打壞IC,當(dāng)然這還要看芯片的抗ESD能力。
2、單點(diǎn)接地,靜電和耐壓的回路是一樣的,首先我們搞清楚它的回路基本就清晰了,主要2個部分,Y電容,變壓器初次級寄生電容。所以這2個器件的地在允許的情況下盡量單點(diǎn)接地,防止打壞IC。
3、下面這個最郁悶了,10KV空氣沒事,15KV掛了,直接炸機(jī),最后調(diào)到怕了。后來拉窗簾關(guān)燈在下圖紅色部分,Y電容的地一個歡快的小火花顛到了MOS,也就是說15KV要更遠(yuǎn)的距離,后來把開槽又拉了一部分裝絕緣片隔離OK了。
4、放電針,不要小看了一個小小的放電針,關(guān)鍵的時候大作用,我有實(shí)際看過,如下圖在一個黑暗的房間內(nèi),打15KV靜電,兩端放電拉弧產(chǎn)生一個火花消耗掉。要注意安規(guī)距離哦。
2.Layout對溫度的影響。
一個畫板經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師和一個比較業(yè)余的做出來的溫度相差10-20度你信嗎,我信了。
1、肖特基溫度高,這么辦換封裝加電流改匝比換品牌,其實(shí)Layout也是可以解決的,把肖特基陽極接到母座上,利用母座散熱肖特基溫度可以下來10度作用。
2、接著上面那附圖,肖特基溫度下來了,母座有所提高,變壓器和MOS靠母座太近,也可以理解為功率器件之間距離太近,大家知道變壓器MOS肖特基啊這些功率器件,在越惡化的環(huán)境中性能越差導(dǎo)致溫度更高。如下圖2者分開和靠近,肖特基和內(nèi)置MOS的IC 溫度相差7度。
3、利用一切可利用的散熱,經(jīng)常聽到某IC,FAE說我們這顆IC溫度100度自己實(shí)際做出來120度,這就看畫板了。車充,開窗,加厚銅箔,利用負(fù)極彈片把熱導(dǎo)出。 原本125度,上面3點(diǎn)加進(jìn)去降低20度你信嘛我信了。Q2同步整流,開窗直接接到負(fù)極彈片,Q1開關(guān)管,U1IC原理Q1Q2。同步2OZ。
130度的圖也上一下。這個板 Q1 125度 Q2 134度 IC 120度 電感120度。
3.如何設(shè)計(jì)更小的紋波
紋波大家都知道影響這一點(diǎn)的就是減小電容的ESR,加大容量,加差模電感減小紋波電流組成π濾波。上面說到,降低成本,辦法總比問題多,先檢查板子。,先看下面這個板子,CN1紋波90mV,CN2紋波150mV。仔細(xì)看下面藍(lán)色線勾勒出來的地方環(huán)路面積太大,把CE3放在2個USB的中間,紋波都降到100mV,實(shí)際有困難的話,可以在CN2端再加一個小電容。
不要超捷徑要按順序走,看下圖,電流的方向直接忽略的電容的地,紋波近300mV,我們試著把變壓器的地接到C4地。再看電流的走向一個完整的回路,紋波降到73mV。
在必須加π濾波的時候也要注意。差模電感前面的電容要大于或者等于或者的容量,否則容易引起震蕩。
整流肖特基要靠近濾波電容否則也容易產(chǎn)生震蕩,有碰到一次嚴(yán)重的高壓炸機(jī)。就是下面這幅圖曾經(jīng)把我炸的心力憔悴。
4.布局時應(yīng)考慮EMI因數(shù)
EMI 日常中我們調(diào)試無非就是吸收,加共模,X電容,變壓器屏蔽。其實(shí)畫板也可以解決很多問題。
1、 MOS與變壓器太近。傳導(dǎo)NG,這很容易分辨,平均值很多地方超峰峰值也很多地方超。把MOS和LN 拉開距離基本就解決。
2、變壓器和LN太近。同樣 傳導(dǎo)NG,峰峰值平均值很多地方超,往往基于結(jié)構(gòu)的弊端沒有辦法而為之。是的變壓器加屏蔽可以解決,可以試著把變壓器反饋和次級反著繞。一般也能解決這一成本就省下來了。
3、Y電容的接點(diǎn)。如下圖Y電容的地直接接大電容的地還是變壓器的地2種效果或者輸出的低還是正,這個沒有硬指標(biāo)完全看實(shí)際效果,在很多時候還是很明顯的效果,這里聊一下Y電容最好還是加充電器最好還是加上可以減少紋波噪聲,減少手機(jī)干擾,適配器的話就看情況了,比如機(jī)頂盒加了反而會有干擾。
4、車充 比較明顯的一點(diǎn)就是,續(xù)流二極管的陽極接輸入點(diǎn)解的地效果還是很明顯的。
不要去用母座作為走線,阻抗大影響效率,有做過實(shí)驗(yàn)影響0.5個點(diǎn)。
海拔5000m,目前我們做認(rèn)證就是CCC碰到過著這個要求,主要區(qū)別就是空氣爬電,初次級都要滿足6.4mm
線要跟半邊距離大于0.8mm,給大家看一張圖,幾乎貼板了,實(shí)物成這樣了只有0.4造成過電流能力不足。
最短距離8.5左右,當(dāng)時的絕緣片只包到MOS,G極。?
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