TFT LCD液晶顯示器的驅(qū)動原理
 前兩期針對液晶的特性與TFT LCD本身結(jié)構(gòu)介紹了有關(guān)液晶顯示器操作的基本原理。這次將針對TFT LCD的整體系統(tǒng)面，也就是對其驅(qū)動原理來做介紹，而其驅(qū)動原理仍然因為一些架構(gòu)上差異的關(guān)系而有所不同。首先將介紹由於Cs (storage capacitor) 儲存電容架構(gòu)不同，所形成不同驅(qū)動系統(tǒng)架構(gòu)的原理。

Cs (storage capacitor) 儲存電容的架構(gòu)
        一般最常見的儲存電容架構(gòu)有兩種，分別是Cs on gate與Cs on common這兩種。顧名思義，兩者的主要差別在於儲存電容是利用gate走線或是common走線來完成。在上一期文章中曾提到，儲存電容主要是為了讓充好電的電壓能保持到下一次更新畫面的時候之用，所以必須像在CMOS的制程之中，利用不同層的走線來形成平行板電容。而在TFT LCD的制程中，則是利用顯示電極與gate走線或common走線所形成的平行板電容，來制作出儲存電容Cs。

         圖1就是這兩種儲存電容架構(gòu)，圖中可以很明顯地知道，Cs on gate由於不必像Cs on common需要增加一條額外的common走線，所以其開口率(Aperture ratio)比較大。而開口率的大小是影響面板的亮度與設(shè)計的重要因素，所以現(xiàn)今面板的設(shè)計大多使用Cs on gate的方式。但是由於Cs on gate方式的儲存電容是由下一條的gate走線與顯示電極之間形成的(請見圖2中Cs on gate與Cs on common的等效電路)，
    而gate走線就是接到每一個TFT的gate端的走線，主要是作為gate driver送出信號來打開TFT，好讓TFT對顯示電極作充放電的動作。所以當(dāng)下一條gate走線送出電壓要打開下一個TFT時，便會影響到儲存電容上儲存電壓的大小。不過由於下一條gate走線打開到關(guān)閉的時間很短(以1024 x 768解析度，60Hz更新頻率的面板來說。一條gate走線打開的時間約為20μs，而顯示畫面更新的時間約為16ms，所以相較下影響有限)，所以當(dāng)下一條gate走線關(guān)閉，回復(fù)到原先的電壓，則Cs儲存電容的電壓，也會隨之恢復(fù)到正常。這也是為什麼大多數(shù)的儲存電容設(shè)計都是采用Cs on gate的方式的原因。