11、請(qǐng)介紹一下MCU的測(cè)試方法。 答：MCU從生產(chǎn)出來(lái)到封裝出貨的每個(gè)不同的階段會(huì)有不同的測(cè)試方法，其中主要會(huì)有兩種：中測(cè)和成測(cè)。 所謂中測(cè)即是WAFER的測(cè)試，它會(huì)包含產(chǎn)品的功能驗(yàn)證及AC、DC的測(cè)試。項(xiàng)目相當(dāng)繁多，以HOLTEK產(chǎn)品為例最主要的幾項(xiàng)如下： ① 接續(xù)性測(cè)試：檢測(cè)每一根I/OPIN內(nèi)接的保護(hù)用二極管是否功能無(wú)誤。 ② 功能測(cè)試：以產(chǎn)品設(shè)計(jì)者所提供測(cè)試資料(TEST PATTERN)灌入IC，檢查其結(jié)果是否與當(dāng)時(shí)SIMULATION時(shí)狀態(tài)一樣。 ③ STANDBY電流測(cè)試：測(cè)量IC處于HALT模式時(shí)即每一個(gè)接點(diǎn)(PAD)在1態(tài)0態(tài)或Z態(tài)保持不變時(shí)的漏電流是否符合最低之規(guī)格。 ④ 耗電測(cè)試：整顆IC的靜態(tài)耗電與動(dòng)態(tài)耗電。 ⑤ 輸入電壓測(cè)試：測(cè)量每個(gè)輸入接腳的輸入電壓反應(yīng)特性。 ⑥ 輸出電壓測(cè)試：測(cè)量每個(gè)輸出接腳的輸出電壓位準(zhǔn)。 ⑦ 相關(guān)頻率特性（AC）測(cè)試，也是通過(guò)外灌一定頻率，從I/O口來(lái)看輸出是否與之匹配。 ⑧ 為了保證IC生產(chǎn)的長(zhǎng)期且穩(wěn)定品質(zhì)，還會(huì)做產(chǎn)品的可靠性測(cè)試，這些測(cè)試包括ESD測(cè)試，LATCH UP測(cè)試，溫度循環(huán)測(cè)試，高溫貯存測(cè)試，濕度貯存測(cè)試等。 成測(cè)則是產(chǎn)品封裝好后的測(cè)試，即PACKAGE測(cè)試。即是所有通過(guò)中測(cè)的產(chǎn)品封裝后的測(cè)試，方法主要是機(jī)臺(tái)自動(dòng)測(cè)試，但測(cè)試項(xiàng)目仍與WAFER TEST相同。PACKAGE TEST的目的是在確定IC在封裝過(guò)程中是否有任何損壞。 12、能否利用單片來(lái)檢測(cè)手機(jī)電池的充放電時(shí)間及充放電時(shí)的電壓電流變化，并利用一個(gè)I/O端口使檢測(cè)結(jié)果在電腦上顯示出來(lái)？ 答：目前市場(chǎng)上的各類(lèi)智能充電器，大部分都采用MCU進(jìn)行充電電流和電壓的控制。至于要在電腦上顯示，好象并不實(shí)用，可能只有在一些專(zhuān)門(mén)的電池檢測(cè)儀器中才會(huì)用到；對(duì)于一般的手機(jī)用戶(hù)來(lái)說(shuō)，誰(shuí)會(huì)在充電時(shí)還需要用一臺(tái)電腦來(lái)做顯示呢？要實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與電腦的連接，最簡(jiǎn)單的方式就是采用串口通訊，但需要加一顆RS-232芯片。 13、在ARM編程中又應(yīng)當(dāng)如何？ 答：就以嵌入式系統(tǒng)觀念為例，一般嵌入式處理器可以分為三類(lèi)：嵌入式微處理器、嵌入式微控制器、嵌入式DSP(Digital Signal Processor)。 嵌入式微處理器就是和通用計(jì)算機(jī)的微處理器對(duì)應(yīng)的CPU。在應(yīng)用中，一般是將微處理器裝配在專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的電路板上，在母板上只保留和嵌入式相關(guān)的功能即可，這樣可以滿(mǎn)足嵌入式系統(tǒng)體積小和功耗低的要求。目前的嵌入式處理器主要包括：PowerPC、Motorola 68000、ARM系列等等。 嵌入式微控制器又稱(chēng)為單片機(jī)，它將CPU、存儲(chǔ)器(少量的RAM、ROM或兩者都有)和其它接口I/O封裝在同一片集成電路里。常見(jiàn)的有HOLTEK MCU 系列、Microchip MCU系列及8051等。 嵌入式DSP專(zhuān)門(mén)用來(lái)處理對(duì)離散時(shí)間信號(hào)進(jìn)行極快的處理計(jì)算，提高編譯效率和執(zhí)行速度。在數(shù)字濾波、FFT(Fast Fourier Transform)、頻譜分析、圖像處理的分析等領(lǐng)域，DSP正在大量進(jìn)入嵌入式市場(chǎng)。 14、MCU在射頻控制時(shí)，MCU的時(shí)鐘（晶振）、數(shù)據(jù)線(xiàn)會(huì)輻射基頻或基頻的倍頻，被低噪放LNA放大后進(jìn)入混頻，出現(xiàn)帶內(nèi)的Spur，無(wú)法濾除。除了用layout、選擇低輻射MCU的方法可以減少一些以外，還有什幺別的方法？ 答：在設(shè)計(jì)高頻電路用電路板有許多注意事項(xiàng)，尤其是GHz等級(jí)的高頻電路，更需要注意各電子組件pad與印刷pattern的長(zhǎng)度對(duì)電路特性所造成的影響。最近幾年高頻電路與數(shù)位電路共享相同電路板，構(gòu)成所謂的混載電路系統(tǒng)似乎有增加的趨勢(shì)，類(lèi)似如此的設(shè)計(jì)經(jīng)常會(huì)造成數(shù)位電路動(dòng)作時(shí)，高頻電路卻發(fā)生動(dòng)作不穩(wěn)定等現(xiàn)象，其中原因之一是數(shù)位電路產(chǎn)生的噪訊，影響高頻電路正常動(dòng)作所致。為了避免上述問(wèn)題除了設(shè)法分割兩電路block之外，設(shè)計(jì)電路板之前充分檢討設(shè)計(jì)構(gòu)想，才是根本應(yīng)有的手法，基本上設(shè)計(jì)高頻電路用電路板必需掌握下列三大原則： ① 高質(zhì)感。 ② 不可取巧。 ③ 不可倉(cāng)促搶時(shí)間。 以下是設(shè)計(jì)高頻電路板的一些建議： ① 印刷pattern的長(zhǎng)度會(huì)影響電路特性。尤其是傳輸速度為GHz高速數(shù)位電路的傳輸線(xiàn)路，通常會(huì)使用strip line，同時(shí)藉由調(diào)整配線(xiàn)長(zhǎng)度補(bǔ)正傳輸延遲時(shí)間，其實(shí)這也意味著電子組件的設(shè)置位置對(duì)電路特性具有絕對(duì)性的影響。 ② Ground作大better。銅箔面整體設(shè)置ground層，而連接via的better ground則是高頻電路板與高速數(shù)位電路板共同的特征，此外高頻電路板最忌諱使用幅寬細(xì)窄的印刷pattern描繪ground。 ③ 電子組件的ground端子，以最短的長(zhǎng)度與電路板的ground連接。具體方法是在電子組件的ground端子pad附近設(shè)置via，使電子組件能以最短的長(zhǎng)度與電路板的ground連接。 ④ 信號(hào)線(xiàn)作短配線(xiàn)設(shè)計(jì)。不可任意加大配線(xiàn)長(zhǎng)度，盡量縮短配線(xiàn)長(zhǎng)度。 ⑤ 減少電路之間的結(jié)合。尤其是filter與amplifier輸出入之間作電路分割非常重要，它相當(dāng)于audio電路的cross talk對(duì)策。 ⑥ MCU回路Layout考量：震蕩電路僅可能接近IC震蕩腳位；震蕩電路與VDD & VSS保持足夠的距離；震蕩頻率大于1MHz時(shí)不需加 osc1 & osc2 電容；電源與地間要最短位置并盡量拉等寬與等距的線(xiàn)，于節(jié)點(diǎn)位置加上104/103/102等陶瓷電容。 15、Intel系列的96單片機(jī)80c196KB開(kāi)發(fā)系統(tǒng)時(shí)，都有那些注意事項(xiàng)？ 答：一個(gè)即時(shí)系統(tǒng)的軟體由即時(shí)操作系統(tǒng)加上應(yīng)用程序構(gòu)成。應(yīng)用程序與作業(yè)系統(tǒng)的接口通過(guò)系統(tǒng)調(diào)用來(lái)實(shí)現(xiàn)。用80C196KB作業(yè)系統(tǒng)的MCU，只能用內(nèi)部RAM作為T(mén)CB和所有系統(tǒng)記憶體（含各種控制表）以及各個(gè)任務(wù)的工作和資料單元。 因此一定要注意以下幾點(diǎn)： （1）對(duì)各個(gè)任務(wù)分配各自的堆迭區(qū)，該堆迭區(qū)既作為任務(wù)的工作單元，也作為任務(wù)控制塊的保護(hù)單元。 （2）系統(tǒng)的任務(wù)控制塊只存放各任務(wù)的堆迭指標(biāo)，而任務(wù)的狀態(tài)均存放于任務(wù)椎棧中。在一個(gè)任務(wù)退出運(yùn)行時(shí)，通過(guò)中斷把它的狀態(tài)進(jìn)棧，然后把它的堆迭指標(biāo)保存于系統(tǒng)的TCB中；再根據(jù)優(yōu)先取出優(yōu)先順序最高的已就緒任務(wù)的堆迭指標(biāo)SP映象值送入SP中；最后執(zhí)行中斷返回指令轉(zhuǎn)去執(zhí)行新任務(wù)。 （3）各任務(wù)的資料和工作單元盡量用堆迭實(shí)現(xiàn)，這樣可以允許各任務(wù)使用同一個(gè)子程序。使用堆迭實(shí)現(xiàn)參數(shù)傳遞并作為工作單元，而不使用絕對(duì)地址的RAM，可實(shí)現(xiàn)可重入子程序。該子程序既可為各個(gè)任務(wù)所調(diào)用，也可實(shí)現(xiàn)遞回調(diào)用。 16、在demo板上采樣電壓時(shí)，不穩(wěn)定，采樣結(jié)果有波動(dòng)，如何消除？ 答：①一般來(lái)說(shuō)，仿真器都是工作在一個(gè)穩(wěn)壓的環(huán)境(通常為5V)。如果用仿真器的A/D時(shí)，要注意其A/D參考電壓是由仿真器內(nèi)部給出，還是需要外部提供。 ②A/D轉(zhuǎn)換需要一個(gè)連續(xù)的時(shí)鐘周期，所以在仿真時(shí)不能用單步調(diào)試的方法，否則會(huì)造成A/D采樣值不準(zhǔn)。 ③至于A/D采樣不穩(wěn)定，可以在A/D輸入口加一電容，起到濾波作用；在軟件處理時(shí)采用中值濾波的方法。 17、在車(chē)載DVD系統(tǒng)中，如何設(shè)計(jì)電子防震系統(tǒng)？ 答：在車(chē)載DVD系統(tǒng)，最好選擇高檔DVD機(jī)，因?yàn)楦邫nDVD機(jī)都采用電子防震系統(tǒng)(ADVANCEDESP)，當(dāng)記憶緩沖區(qū)內(nèi)的讀數(shù)降低，先進(jìn)的電子防震設(shè)計(jì)會(huì)以雙速讀數(shù)系統(tǒng)，做出比正常速度快兩倍的讀數(shù)速率，以減低噪聲，即使連續(xù)震蕩仍可避免跳線(xiàn)情況出現(xiàn)，現(xiàn)在就說(shuō)說(shuō)什幺叫電子防震。簡(jiǎn)單地說(shuō)：電子防震就是一個(gè)信號(hào)的儲(chǔ)存--釋放過(guò)程，首先CD要先把信號(hào)進(jìn)行提前讀取，也就是我們見(jiàn)到機(jī)子的加速，再把信號(hào)儲(chǔ)存在RAM中，而我們?cè)陂_(kāi)防震的時(shí)候所聽(tīng)到的就是經(jīng)過(guò)RAM的聲音，這樣就是它的過(guò)程。當(dāng)沒(méi)有防震時(shí)是由于信號(hào)是1比1讀取的，所以當(dāng)受到?jīng)_擊后，就會(huì)出現(xiàn)跳音。而當(dāng)開(kāi)了防震時(shí)，機(jī)子受到?jīng)_擊后，由RAM釋放出來(lái)的聲音使音樂(lè)不停地播放，而與此同時(shí)，光頭迅速進(jìn)行復(fù)位檢索，當(dāng)檢索到信號(hào)后立即補(bǔ)充，所以不會(huì)出現(xiàn)跳音。大概的情況就是這樣。但是這樣還沒(méi)有滿(mǎn)足用家的要求，由于這種的方法帶來(lái)的時(shí)間短，通常只有3秒，所以跳音的機(jī)會(huì)還是蠻高，如果增大RAM又帶來(lái)造價(jià)的增高因?yàn)镽AM這東西價(jià)格較貴，尤其是質(zhì)量好的。 18、在電子防震技術(shù)中，有那些IC或器件可供選擇？ 答：在電子防震技術(shù)中，最重要的技術(shù)之一要數(shù)是RAM技術(shù)，而一直以來(lái)都是因?yàn)樗某杀締?wèn)題，所以防震時(shí)間都一直不能增加，也就是說(shuō)RAM本身就有限制，RAM的容量越大，造價(jià)就越高。而許多廠家就如何在RAM的限制里得到最大限度的記憶時(shí)間展開(kāi)了開(kāi)發(fā)研究。 19、如何進(jìn)行編程可以減少程序的bug？ 答：在此提供一些建議，因系統(tǒng)中實(shí)際運(yùn)行的參數(shù)都是有范圍的。 系統(tǒng)運(yùn)行中要考慮的超范圍管理參數(shù)有： 物理參數(shù)。 這些參數(shù)主要是系統(tǒng)的輸入?yún)?shù)，它包括激勵(lì)參數(shù)、采集處理中的運(yùn)行參數(shù)和處理結(jié)束的結(jié)果參數(shù)。合理設(shè)定這些邊界，將超出邊界的參數(shù)都視為非正常激勵(lì)或非正?；貞?yīng)進(jìn)行出錯(cuò)處理。 資源參數(shù)。 這些參數(shù)主要是系統(tǒng)中的電路、器件、功能單元的資源，如記憶體容量、存儲(chǔ)單元長(zhǎng)度、堆迭深度。在程序設(shè)計(jì)中，對(duì)資源參數(shù)不允許超范圍使用。 應(yīng)用參數(shù)。 這些應(yīng)用參數(shù)常表現(xiàn)為一些單片機(jī)、功能單元的應(yīng)用條件。如E2PROM的擦寫(xiě)次數(shù)與資料存儲(chǔ)時(shí)間等應(yīng)用參數(shù)界限。 過(guò)程參數(shù)。指系統(tǒng)運(yùn)行中的有序變化的參數(shù)。 在上述參數(shù)群對(duì)一程序編寫(xiě)者而言，須養(yǎng)成良好習(xí)慣，在程序的開(kāi)頭，有順序的用自己喜歡文字參數(shù)對(duì)應(yīng)列表來(lái)替代，然后用自己定義的文字參數(shù)來(lái)編寫(xiě)程序，這樣在做程序的修改及維護(hù)時(shí)只在程序的開(kāi)頭做變動(dòng)即可，不用修改到程序段，才比較容易且不會(huì)出錯(cuò)。 20、有人認(rèn)為單片機(jī)將被ARM等系列結(jié)構(gòu)的嵌入式系統(tǒng)所取代。單片機(jī)的生命期還有多長(zhǎng)？ 答：因?yàn)?位單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)的ARM在功能結(jié)構(gòu)和單價(jià)的差異，故應(yīng)用層次上就有很大的不同。 ARM適用于系統(tǒng)復(fù)雜度較大的高級(jí)產(chǎn)品，如PDA、手機(jī)等應(yīng)用。而8位單片機(jī)因架構(gòu)簡(jiǎn)單，硬件資源相對(duì)較少，適用于一般的工業(yè)控制，消費(fèi)性家電……等等。評(píng)估單片機(jī)近期是否會(huì)給ARM取代，要觀察兩個(gè)因素： - 芯片成本 因ARM的工作頻率較高，電路較龐大，所需的芯片制造工藝要求在0。25U以上，成本較高。8位單片機(jī)工作頻率相對(duì)較低，電路較小，所需的芯片制造工藝在0。5U 即可，成本較低。 - 功能定位 ARM的功能較單片機(jī)強(qiáng)，但兩者定位不同。就如現(xiàn)階段不會(huì)有人用ARM去作一個(gè)簡(jiǎn)單的工業(yè)定時(shí)開(kāi)關(guān)。當(dāng)然，如果兩者單價(jià)相同也無(wú)不可，但現(xiàn)實(shí)是有很大的單價(jià)差距。 至于將來(lái)，因芯片制造成本會(huì)不斷下降，上述的成本差異影響愈來(lái)愈少!但我估計(jì)在往后5年單片機(jī)仍有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，仍能存活!但ARM是否會(huì)精簡(jiǎn)架構(gòu)，降低成本，搶奪低階市場(chǎng)？我想可能性不大，ARM應(yīng)該會(huì)向上發(fā)展。同樣，單片機(jī)也只能向上發(fā)展，如16位，高功能……等。原因就是因?yàn)樾酒圃旃に囘M(jìn)步太快。壓迫芯片設(shè)計(jì)往高集成發(fā)展。