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本文前面銜接《淺談12吋晶圓集成電路芯片制程（工藝與工序）前端FEOL之二》
8 ）多層金屬互聯(lián)與銅雙大馬士革工藝
8.1 局部互聯(lián)二氧化硅介質(zhì)制作：用LPCVD淀積一層氮化硅作為阻擋層（保護(hù)有源區(qū)使之與硼磷硅玻璃淀積層隔離）。
8.2 LPCVD淀積二氧化硅同時(shí)輕摻雜硼和磷，形成硼磷硅玻璃。（摻磷防止鈉離子等可動(dòng)電荷沾污，摻硼是玻璃層在較低溫度具有流動(dòng)性增加平坦性）之后再淀積不摻雜的二氧化硅。之后RTP使玻璃層更平坦。
化學(xué)機(jī)械拋光CMP之后，氧化層保留0.8μm.
工藝過(guò)程流到這里陸續(xù)經(jīng)過(guò)氧化層生長(zhǎng)、淀積多層薄膜、光刻刻蝕等，晶圓表面出現(xiàn)大量高低不平的“地形”，而***的景深有限，形成高分辨率精細(xì)線條受到威脅。此外金屬布線在臺(tái)階處會(huì)變薄甚至斷裂。導(dǎo)致失效或可靠性低。為此晶圓要在圖26之后面進(jìn)行CMP平坦化加工。接下來(lái)光刻確定第一層金屬布線與下層在硅襯底上制作的器件電極（源、柵、漏、接地、電源等）處接觸孔位置（窗口）
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