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TVS管與ESD保護(hù)二極管的區(qū)別

2017-11-29 | rar | 0.4 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

  TVS管與ESD保護(hù)二極管的區(qū)別

  TVS瞬態(tài)電壓抑制

  這里不論TV是如何產(chǎn)生的,比如直接或者間接的雷擊,靜電放電,大容量的負(fù)載投切等因素導(dǎo)致的浪涌。電壓從幾伏到幾十千伏甚至更高。

  ESD靜電放電保護(hù)

  這里的ES主要是三種模型所表述。

  其中主要應(yīng)用是HBM 和 MM,簡單說,就是人或者設(shè)備對器件放電(靜電),但是器件不能損壞。

  典型的HBM CLASS 1C模型規(guī)定 一個充電1000V-2000V的100pF的電容通過一個1500歐姆的電阻對器件放電。

  MM模型要比人體模型能量大一些。電容是200pF,電壓大概在200-400之間,不過沒有串聯(lián)電阻了。

  典型的人體模型放電,峰值電流小于0.75A,時間150ns

  典型的機器模型放電,峰值電流小于8A,時間5ns

  典型的雷擊浪涌(電力線入線處使用的TVS)峰值電流3000A,時間20us

  原理是一樣的,但根據(jù)功率和封裝來分就不一樣。

  ESD和TVS比較的話,要看用在那些用途上,像ESD主要是用來防靜電,防靜電就要求電容值低,一般是1--3.5PF之間為最好。而TVS就做不到這一點,TVS的電容值比較高。

  通過分別對其進(jìn)行符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的+/-8KV接觸放電,分析捕獲的IEC應(yīng)波型可以得知,TVS保護(hù)性能強過貼片壓敏很多倍。

  壓敏電阻采用物理吸收原理,每經(jīng)過一次ESD事件,材料就會受到一定物理損傷,形成永久性的漏電通道,而TVS是采用的半導(dǎo)體鉗位原理,在經(jīng)歷ESD事件時,瞬間將能量傳遞出去,對器件本身并無影響。

  在結(jié)電容方面兩者都可以做到1pF以下。

  0603-060E0R20P-LF 壓敏電阻是0603封裝工作電壓5v,容值0.2pf是業(yè)界中目前最低的容值。主要用在HDMI和VGA端口,但是其它端口也可以使用。

  性能及特點:

  1.極低電容量(《0.2pF),提供理想的高速數(shù)據(jù)傳輸端口保護(hù)。

  2.頻率響應(yīng)范圍:0-6GHZ

  3.接觸放電: 8KV (IEC 61000-4-2)

  空氣放電:15KV (IEC 61000-4-2)

  ESD靜電放電保護(hù)快速反應(yīng)時間《1ns,完全通過IEC 61000-4-2靜電放電抗擾度國際試驗標(biāo)準(zhǔn)。

  

  BS0060SS

  (SOD-123)超小結(jié)電容TSS

  

  特點:

  滿足IEC61000-4-5 浪涌承受能力:15A(10/1000μS)

  IEC 61000-4-2 (ESD) ± 15 kV (air), ± 8 kV (contact)

  無極性、雙向浪涌保護(hù)、吸收特性良好

  

  他們應(yīng)用的場合不同,TVS一般用于處級和次級保護(hù),而ESD主要用于板級保護(hù).TVS(transient voltage suppressor) ,而ESD( Electrolstatic discharge )。選擇TVS一般是看器件的功率和封裝,ESD器件一般看中的是它的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O很重視它的C.當(dāng)然他們的ppk.IPP.VC.Vbr.Vm也都很重要.具體的內(nèi)容大家可以參考MICROSEMI/ONSEMI/PROTECKDEVICES等公司的網(wǎng)站.一般都有比較專業(yè)的介紹.

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