隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷演進(jìn)，以及集成電路大量的運(yùn)用在電子產(chǎn)品中，靜電放電已經(jīng)成為影響電子產(chǎn)品良率的主要因素。美國(guó)最近公布因?yàn)殪o電放電而造 成的國(guó)家損失，一年就高達(dá)兩百多億美金，而光是電子產(chǎn)品部份就達(dá)到一百多億美金之多。為了有效的防范靜電放電所造成的損害，國(guó)際間眾多的靜電放電協(xié)會(huì)，分別針對(duì)不同的環(huán)境應(yīng)用下制定了不同的靜電測(cè)試規(guī)范。其中針對(duì)IC在生產(chǎn)、制造、測(cè)試及運(yùn)輸過(guò)程的靜電放電規(guī)范，是以美國(guó)軍方所制定的人體靜電放電模型最具 代表性，又稱之為芯片層級(jí)靜電放電測(cè)試。而針對(duì)終端消費(fèi)者所使用的電子產(chǎn)品，則以IEC 61000-4-2所制定的人體靜電放電模型為測(cè)試主流，這就是一般認(rèn)知的系統(tǒng)層級(jí)靜電放電測(cè)試。
　　由于芯片層級(jí)和系統(tǒng)層級(jí)靜電放電測(cè)試都是模擬人體靜電放電，并且都是以kV為單位，所以常常造成大家的誤解和困惑，我們?cè)谶@里特別將這兩種人體靜電放電測(cè)試規(guī)格做一個(gè)比較整理：
　　
　　模型電容電阻值規(guī)范不同：芯 片層級(jí)靜電放電模型為對(duì)一100pF電容充電后透過(guò)一串聯(lián)1.5kΩ電阻對(duì)待測(cè)物放電。而系統(tǒng)層級(jí)靜電放電模型為對(duì)一150pF電容充電后透過(guò)一串聯(lián) 330Ω電阻放電。由此可以看出在相同的靜電電壓下，系統(tǒng)層級(jí)靜電放電模型將會(huì)具有較多的電荷容量和較大的放電電流，其放電能量約為芯片層級(jí)靜電放電能量 的五倍之多，因此系統(tǒng)層級(jí)靜電放電測(cè)試將會(huì)比芯片層級(jí)靜電放電測(cè)試還要更嚴(yán)苛。而會(huì)如此規(guī)范的原因是，晶圓廠都會(huì)做工廠靜電消除管理，所以IC在制造生產(chǎn) 的過(guò)程中受到靜電的威脅較小。而電子產(chǎn)品用戶所處的環(huán)境卻是不受控制的，因此受到靜電放電的威脅較大，這也是為何系統(tǒng)層級(jí)靜電放電規(guī)范會(huì)制定的如此嚴(yán)格。
　　要求的靜電放電電壓等級(jí)不同：一般IC只會(huì)要求到芯片層級(jí)靜電放電測(cè)試±2kV，而電子產(chǎn)品會(huì)要求到系統(tǒng)層級(jí)靜電放電接觸測(cè)試±8kV，空氣放電±15kV。會(huì)這樣規(guī)范的主要原因也是電子產(chǎn)品所處的環(huán)境是比IC所處的環(huán)境還要更嚴(yán)苛。