如何實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率——第二部分:高速柵極驅(qū)動(dòng)器
2022-11-02 |
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資料介紹
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管,對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示為典型MOSFET電路符號(hào)中表示的體二極管。
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圖1:MOSFET符號(hào)包括固有的體二極管
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限制體二極管的導(dǎo)通時(shí)間將進(jìn)而降低其兩端所消耗的功率。這是因?yàn)楫?dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),體二極管上的電壓降通常高于MOSFET兩端的電壓。由于對(duì)于相同的電流水平,P = I×V(其中P是功耗,I是電流,V是電壓降),通過MOSFET通道的傳導(dǎo)損耗顯著低于通過體二極管的傳導(dǎo)損耗。
這些概念在電力電子電路的同步整流中發(fā)揮作用。同步整流通過用諸如功率MOSFET的有源控制器件代替二極管來提高這些電路的效率…
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