資料介紹
圖1:開(kāi)關(guān)損耗
讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí),驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段(圖1中的t1),源極電壓(VGS)正接近MOSFET的閾值電壓,VTH和漏電流為零。因此,在此期間的功率損耗為零。在t2時(shí)段,MOSFET的寄生輸入電容(CISS)開(kāi)始充電,而漏極電流開(kāi)始流經(jīng)MOSFET,呈線性增加。對(duì)降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)講,該電流是負(fù)載電流,而漏源電壓(VDS)是輸入電壓(VIN)。因此,在第二個(gè)時(shí)段(t2),功率損耗可通過(guò)等式1表示:
MOSFET的輸入寄生電容沖完電后,負(fù)載電流流經(jīng)MOSFET,而VD…
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