資料介紹
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度,更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電 阻,氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。 氮化鎵晶體可以在各種襯底上生長,包括藍寶石、碳化硅(SiC)和硅(Si)。在硅上生長氮化鎵(GaN)外延層可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施,從而 無需使用高成本的特定生產(chǎn)設(shè)施,而且以低成本采用大直徑的硅晶片。 GaN power semiconductor 2023 predictions一文有所論述,2023年對氮化鎵(GaN)系統(tǒng)的預(yù)測,囊括了功率半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈對數(shù)據(jù)中心和新能源汽車與日俱 增的可持續(xù)性監(jiān)管。該文表示我們正處于功率氮化鎵(GaN)技術(shù)的轉(zhuǎn)折點,隨著電動化大趨勢的到來和越來越多的包含半導(dǎo)體產(chǎn)品的出現(xiàn),經(jīng)濟的贏家 和輸家主要取決于那些能夠更好管理其供應(yīng)鏈的人,這些供應(yīng)鏈不僅能夠為企業(yè)和消費者生產(chǎn)現(xiàn)有產(chǎn)品,還能在不久的將來點燃創(chuàng)新之火。
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