資料介紹
隨著以硅材料為基礎(chǔ)的功率器件逐漸接近其理論極限值,利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件顯示出比Si和GaAs更優(yōu)異 的特性,給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了新的生機(jī)。 2014年,美國(guó)奧巴馬政府連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立TheNext Generation Power Electronics Institute,發(fā)展新一代寬禁 帶電力半導(dǎo)體器件。 相對(duì)于Si材料,使用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造新一代的功率器件,可以變得更小、更快、更可靠和更高效。這將減少功率器件的 質(zhì)量、體積以及生命周期成本,允許設(shè)備在更高的溫度、電壓和頻率下工作,使得功率器件使用更少的能量卻可以實(shí)現(xiàn)更高的 性能。
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