RM46Lx30 器件集成了 ARM Cortex-R4F 浮點(diǎn) CPU，此 CPU 提供一個(gè)高效 1.66 DMIPS/MHz，并且 能夠 以高達(dá) 200 MHz 運(yùn)行的配置，從而提供高達(dá) 332 DMIPS。 此器件支持小端序 [LE] 格式。 RM46Lx30 器件具有 最高 1.25MB 集成閃存和 最高 192KB 數(shù)據(jù) RAM ，此配置具有單個(gè)位糾錯(cuò)和雙位糾錯(cuò) 功能。 這個(gè)器件上的閃存存儲(chǔ)器是一個(gè)由 64 位寬數(shù)據(jù)總線接口實(shí)現(xiàn)的非易失性、電可擦除并且可編程的存 儲(chǔ)器。 為了實(shí)現(xiàn)所有讀取、編程和擦除操作，此閃存運(yùn)行在一個(gè) 3.3V 電源輸入上（與 I/O 電源一樣的電 平）。 當(dāng)處于管線模式中時(shí)，閃存可在高達(dá) 200MHz 的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率下運(yùn)行。 SRAM 在整個(gè)支持的頻率范 圍內(nèi)支持字節(jié)、半子、字和雙字模式的單周期讀取和寫入訪問(wèn)。 RM46Lx30 器件特有針對(duì)基于實(shí)時(shí)控制的外設(shè)，其中包括 2 個(gè) 下一代高端 定時(shí)器 (N2HET) 時(shí)序 協(xié)處理 器，此協(xié)處理器具有多達(dá) 44 個(gè) I/O 端子，7 個(gè)支持多達(dá) 14 個(gè)輸出的增強(qiáng)型脈寬調(diào)制器 (ePWM) 模塊，6 個(gè) 增強(qiáng)型捕捉 (eCAP) 模塊，2 個(gè)增強(qiáng)型正交編碼器脈沖 (eQEP) 模塊，以及 2 個(gè)支持多達(dá) 24 個(gè)輸入的 12 位 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。