資料介紹
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如 800V 系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關(guān)頻率。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體代表,具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點,更適合車載充電機 OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應(yīng)用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對 SiC MOSFET 的應(yīng)用特點,介紹了車載充電機 OBC 和直流變換器 DC/DC 應(yīng)用中的 SiC MOSFET 的典型使用場景,并針對 SiC MOSFET 的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后,本文根據(jù) SiC MOSFET 驅(qū)動對供電的特殊要求,對不同供電設(shè)計方案的優(yōu)劣勢進行了分析。
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