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? 對(duì)于壓接式IGBT器件,封裝結(jié)構(gòu)引起的寄生參數(shù)不一致將導(dǎo)致開通瞬態(tài)過(guò)程中并聯(lián)IGBT芯片的電流分布不一致,使部分芯片在開關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中的電流過(guò)沖太大,從而降低了開通性能。采用寄生參數(shù)提取、電路建模仿真以及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的方法,首先在壓接式IGBT器件各并聯(lián)芯片驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)一致的條件下,研究了發(fā)射極凸臺(tái)布局對(duì)并聯(lián)芯片開通電流一致性的影響。其次,在發(fā)射極凸臺(tái)布局完全對(duì)稱的情況下,研究了柵極PCB板不對(duì)稱布局對(duì)各并聯(lián)芯片開通電流一致性的影響。最后,提出了一種可以改善各并聯(lián)芯片開通電流一致性的雙針+雙層PCB板的驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu),并分析了該結(jié)構(gòu)的均流效果。
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