太陽(yáng)電池簡(jiǎn)介

　　太陽(yáng)電池可以有效吸收太陽(yáng)能，并將其轉(zhuǎn)化成電能的半導(dǎo)體部件。用半導(dǎo)體硅﹑硒等材料將太陽(yáng)的光能變成電能的器件。具有可靠性高﹐壽命長(zhǎng)﹐轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)﹐可做人造衛(wèi)星﹑航標(biāo)燈﹑晶體管收音機(jī)等的電源。單體電池尺寸從1×1厘米至15.6×15.6厘米，輸出功率為數(shù)十豪瓦至數(shù)瓦，它的理論光電轉(zhuǎn)換效率為25%以上 ，實(shí)際已達(dá)到22%以上。

太陽(yáng)電池百科

　　太陽(yáng)電池可以有效吸收太陽(yáng)能，并將其轉(zhuǎn)化成電能的半導(dǎo)體部件。用半導(dǎo)體硅﹑硒等材料將太陽(yáng)的光能變成電能的器件。具有可靠性高﹐壽命長(zhǎng)﹐轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)﹐可做人造衛(wèi)星﹑航標(biāo)燈﹑晶體管收音機(jī)等的電源。單體電池尺寸從1×1厘米至15.6×15.6厘米，輸出功率為數(shù)十豪瓦至數(shù)瓦，它的理論光電轉(zhuǎn)換效率為25%以上 ，實(shí)際已達(dá)到22%以上。

　　太陽(yáng)能電池板原理及工作原理

　　隨著全球能源日趨緊張，太陽(yáng)能成為新型能源得到了大力的開發(fā)，其中我們?cè)谏钪惺褂米疃嗟木褪翘?yáng)能電池了。太陽(yáng)能電池是以半導(dǎo)體材料為主，利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電轉(zhuǎn)換，使它產(chǎn)生電流，那么太陽(yáng)能電池的工作原理是怎么樣的呢？太陽(yáng)能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。當(dāng)太陽(yáng)光照射到半導(dǎo)體上時(shí)，其中一部分被表面反射掉，其余部分被半導(dǎo)體吸收或透過。被吸收的光，當(dāng)然有一些變成熱，另一些光子則同組成半導(dǎo)體的原子價(jià)電子碰撞，于是產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。這樣，光能就以產(chǎn)生電子—空穴對(duì)的形式轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋?/p>

　　一、太陽(yáng)能電池的物理基礎(chǔ)

　　當(dāng)太陽(yáng)光照射p-n結(jié)時(shí)，在半導(dǎo)體內(nèi)的電子由于獲得了光能而釋放電子，相應(yīng)地便產(chǎn)生了電　子——空穴對(duì)，并在勢(shì)壘電場(chǎng)的作用下，電子被驅(qū)向型區(qū)，空穴被驅(qū)向P型區(qū)，從而使凡區(qū)有過剩的　電子，P區(qū)有過剩的空穴。于是，就在p-n結(jié)的附近形成了與勢(shì)壘電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)。

　　如果半導(dǎo)體內(nèi)存在P—N結(jié)，則在P型和N型交界面兩邊形成勢(shì)壘電場(chǎng)，能將電子驅(qū)向N區(qū)，空穴驅(qū)向P區(qū)，從而使得N區(qū)有過剩的電子，P區(qū)有過剩的空穴，在P—N結(jié)附近形成與勢(shì)壘電場(chǎng)方向相反光的生電場(chǎng)。

　　制造太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體材料已知的有十幾種，因此太陽(yáng)電池的種類也很多。目前，技術(shù)最成熟，并具有商業(yè)價(jià)值的太陽(yáng)電池要算硅太陽(yáng)電池。下面我們以硅太陽(yáng)能電池為例，詳細(xì)介紹太陽(yáng)能電池的工作原理。

　　1、本征半導(dǎo)體

　　物質(zhì)的導(dǎo)電性能決定于原子結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體一般為低價(jià)元素，它們的最外層電子極易掙脫原子核的束縛成為自由電子，在外電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成電流。高價(jià)元素（如惰性氣體）或高分子物質(zhì)（如橡膠），它們的最外層電子受原子核束縛力很強(qiáng)，很難成為自由電子，所以導(dǎo)電性極差，成為絕緣體。常用的半導(dǎo)體材料硅（Si）和鍺（Ge）均為四價(jià)元素，它們的最外層電子既不像導(dǎo)體那么容易掙脫原子核的束縛，也不像絕緣體那樣被原子核束縛的那么緊，因而其導(dǎo)電性介于二者之間。

　　將純凈的半導(dǎo)體經(jīng)過一定的工藝過程制成單晶體， 即為本征半導(dǎo)體。晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，相鄰的原子 形成共價(jià)鍵。

　　晶體中的共價(jià)鍵具有極強(qiáng)的結(jié)合力，因此，在常溫下，僅有極少數(shù)的價(jià)電子由于熱運(yùn)動(dòng)（熱激發(fā)）獲得足夠的能量，從而掙脫共價(jià)鍵的束縛變成為自由電子。與此同時(shí)，在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。原子因失掉一個(gè)價(jià)電子而帶正電，或者說空穴帶正電。在本征半導(dǎo)體中，自由電子與空穴是成對(duì)出現(xiàn)的，即自由電子與空穴數(shù)目相等。

　　自由電子在運(yùn)動(dòng)的過程中如果與空穴相遇就會(huì)填補(bǔ)空穴，使兩者同時(shí)消失，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。在一定的溫度下，本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子與空穴對(duì)，與復(fù)合的自由電子和空穴對(duì)數(shù)目相等，故達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。

　　能帶理論：

　　1、單個(gè)原子中的電子在繞核運(yùn)動(dòng)時(shí)，在各個(gè)軌道上的電子都各自具有特定的能量;

　　2、越靠近核的軌道，電子能量越低;

　　3、根據(jù)能量最小原理電子總是優(yōu)先占有最低能級(jí);

　　4、價(jià)電子所占據(jù)的能帶稱為價(jià)帶;

　　5、價(jià)帶的上面有一個(gè)禁帶，禁帶中不存在為電子所占據(jù)的能級(jí);

　　6、禁帶之上則為導(dǎo)帶，導(dǎo)帶中的能級(jí)就是價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵束縛而成為自由電子所能占據(jù)的能級(jí);

　　7、禁帶寬度用Eg表示，其值與半導(dǎo)體的材料及其所處的溫度等因素有關(guān)。T=300K時(shí)，硅的Eg=1.1eV;鍺的Eg=0.72eV。

　　2、雜質(zhì)半導(dǎo)體

　　雜質(zhì)半導(dǎo)體：通過擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻入少量雜質(zhì)元素，便可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。

　　按摻入的雜質(zhì)元素不用，可形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體；控制摻入雜質(zhì)元素的濃度，就可控制雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。

　　N型半導(dǎo)體： 在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。

　　由于雜質(zhì)原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，所以除了與其周圍硅原子形成共價(jià)鍵外，還多出一個(gè)電子。多出的電子不受共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子。N型半導(dǎo)體中，自由電子的濃度大于空穴的濃度，故稱自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。由于雜質(zhì)原子可以提供電子，故稱之為施主原子。

　　P型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導(dǎo)體。

　　由于雜質(zhì)原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，所以當(dāng)它們與其周圍硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，就產(chǎn)生了一個(gè)“空位”，當(dāng)硅原子的最外層電子填補(bǔ)此空位時(shí)，其共價(jià)鍵中便產(chǎn)生一個(gè)空穴。因而P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子。因雜質(zhì)原子中的空位吸收電子，故稱之為受主原子。

　　3、PN結(jié)

　　PN結(jié)：采用不同的摻雜工藝，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成PN結(jié)。

　　擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運(yùn)動(dòng)，這種由于濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

　　當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在一起時(shí)，在它們的交界面，兩種載流子的濃度差很大，因而P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴(kuò)散，與此同時(shí)，N區(qū)的自由電子也必然向P區(qū)擴(kuò)散，如圖示。

　　由于擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動(dòng)的，稱為空間電荷區(qū)，從而形成內(nèi)建電場(chǎng)&epSILon;。

　　隨著擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)，其方向由N區(qū)指向P區(qū)，正好阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。

　　漂移運(yùn)動(dòng)：在電場(chǎng)力作用下，載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。

　　當(dāng)空間電荷區(qū)形成后，在內(nèi)建電場(chǎng)作用下，少子產(chǎn)生飄移運(yùn)動(dòng)，空穴從N區(qū)向P區(qū)運(yùn)動(dòng)，而自由電子從P區(qū)向N區(qū)運(yùn)動(dòng)。 在無(wú)外電場(chǎng)和其它激發(fā)作用下，參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的多子數(shù)目等于參與漂移運(yùn)動(dòng)的少子數(shù)目，從而達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成PN結(jié)，如圖示。 此時(shí)，空間電荷區(qū)具有一定的寬度，電位差為ε =Uho，電流為零。

　　二、太陽(yáng)能電池工作原理

　　1、光生伏打效應(yīng)：

　　太陽(yáng)能電池能量轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體PN結(jié)的光生伏打效應(yīng)。如前所述，當(dāng)光照射到半導(dǎo)體光伏器件上時(shí)，能量大于硅禁帶寬度的光子穿過減反射膜進(jìn)入硅中，在N區(qū)、耗盡區(qū)和P區(qū)中激發(fā)出光生電子--空穴對(duì)。

　　耗盡區(qū)：光生電子--空穴對(duì)在耗盡區(qū)中產(chǎn)生后，立即被內(nèi)建電場(chǎng)分離，光生電子被送進(jìn)N區(qū)，光生空穴則被推進(jìn)P區(qū)。根據(jù)耗盡近似條件，耗盡區(qū)邊界處的載流子濃度近似為0，即p=n=0。

　　在N區(qū)中：光生電子--空穴對(duì)產(chǎn)生以后，光生空穴便向P-N結(jié)邊界擴(kuò)散，一旦到達(dá)P-N結(jié)邊界，便立即受到內(nèi)建電場(chǎng)作用，被電場(chǎng)力牽引作漂移運(yùn)動(dòng)，越過耗盡區(qū)進(jìn)入P區(qū)，光生電子（多子）則被留在N區(qū)。

　　在P區(qū)中：的光生電子（少子）同樣的先因?yàn)閿U(kuò)散、后因?yàn)槠贫M(jìn)入N區(qū)，光生空穴（多子）留在P區(qū)。如此便在P-N結(jié)兩側(cè)形成了正、負(fù)電荷的積累，使N區(qū)儲(chǔ)存了過剩的電子，P區(qū)有過剩的空穴。從而形成與內(nèi)建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)。

　　1.光生電場(chǎng)除了部分抵消勢(shì)壘電場(chǎng)的作用外，還使P區(qū)帶正電，N區(qū)帶負(fù)電，在N區(qū)和P區(qū)之間的薄層就產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，這就是光生伏打效應(yīng)。當(dāng)電池接上一負(fù)載后，光電流就從P區(qū)經(jīng)負(fù)載流至N區(qū)，負(fù)載中即得到功率輸出。

　　2.如果將P-N結(jié)兩端開路，可以測(cè)得這個(gè)電動(dòng)勢(shì)，稱之為開路電壓Uoc。對(duì)晶體硅電池來(lái)說，開路電壓的典型值為0.5～0.6V。

　　3.如果將外電路短路，則外電路中就有與入射光能量成正比的光電流流過，這個(gè)電流稱為短路電流Isc。

　　影響光電流的因素：

　　1.通過光照在界面層產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)愈多，電流愈大。

　　2.界面層吸收的光能愈多，界面層即電池面積愈大，在太陽(yáng)電池中形成的電流也愈大。

　　3.太陽(yáng)能電池的N區(qū)、耗盡區(qū)和P區(qū)均能產(chǎn)生光生載流子；

　　4.各區(qū)中的光生載流子必須在復(fù)合之前越過耗盡區(qū)，才能對(duì)光電流有貢獻(xiàn)，所以求解實(shí)際的光生電流必須考慮到各區(qū)中的產(chǎn)生和復(fù)合、擴(kuò)散和漂移等各種因素。

　　太陽(yáng)能電池等效電路、輸出功率和填充因數(shù)

　?、?等效電路

　　為了描述電池的工作狀態(tài)，往往將電池及負(fù)載系統(tǒng)用一個(gè)等效電路來(lái)模擬。

　　1.恒流源： 在恒定光照下，一個(gè)處于工作狀態(tài)的太陽(yáng)電池，其光電流不隨工作狀態(tài)而變化，在等效電路中可把它看做是恒流源。

　　2.暗電流Ibk ： 光電流一部分流經(jīng)負(fù)載RL，在負(fù)載兩端建立起端電壓U，反過來(lái)，它又正向偏置于PN結(jié)，引起一股與光電流方向相反的暗電流Ibk。

　　3.這樣，一個(gè)理想的PN同質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的等效電路就被繪制成如圖所示。

　　4.串聯(lián)電阻RS：由于前面和背面的電極接觸，以及材料本身具有一定的電阻率，基區(qū)和頂層都不可避免地要引入附加電阻。流經(jīng)負(fù)載的電流經(jīng)過它們時(shí)，必然引起損耗。在等效電路中，可將它們的總效果用一個(gè)串聯(lián)電阻RS來(lái)表示。

　　5.并聯(lián)電阻RSh：由于電池邊沿的漏電和制作金屬化電極時(shí)在微裂紋、劃痕等處形成的金屬橋漏電等，使一部分本應(yīng)通過負(fù)載的電流短路，這種作用的大小可用一個(gè)并聯(lián)電阻RSh來(lái)等效。

　　當(dāng)流進(jìn)負(fù)載RL的電流為I，負(fù)載RL的端電壓為U時(shí)，可得：

　　式中的P就是太陽(yáng)能電池被照射時(shí)在負(fù)載RL上得到的輸出功率。

　?、?輸出功率

　　當(dāng)流進(jìn)負(fù)載RL的電流為I，負(fù)載RL的端電壓為U時(shí)，可得：

　　式中的P就是太陽(yáng)能電池被照射時(shí)在負(fù)載RL上得到的輸出功率。

　　當(dāng)負(fù)載RL從0變到無(wú)窮大時(shí)，輸出電壓U則從0變到U0C，同時(shí)輸出電流便從ISC變到0，由此即可畫出太陽(yáng)能電池的負(fù)載特性曲線。曲線上的任一點(diǎn)都稱為工作點(diǎn)，工作點(diǎn)和原點(diǎn)的連線稱為負(fù)載線，負(fù)載線的斜率的倒數(shù)即等于RL，與工作點(diǎn)對(duì)應(yīng)的橫、縱坐標(biāo)即為工作電壓和工作電流。

　　調(diào)節(jié)負(fù)載電阻RL到某一值Rm時(shí)，在曲線上得到一點(diǎn)M，對(duì)應(yīng)的工作電流Im和工作電壓Um之積最大，即： Pm=ImUm

　　一般稱M點(diǎn)為該太陽(yáng)能電池的最佳工作點(diǎn)（或稱最大功率點(diǎn)），Im為最佳工作電流，Um為最佳工作電壓，Rm為最佳負(fù)載電阻，Pm為最大輸出功率。

　?、?填充因數(shù)

　　1.最大輸出功率與（Uoc×Isc）之比稱為填充因數(shù)（FF），這是用以衡量太陽(yáng)能電池輸出特性好壞的重要指標(biāo)之一。

　　2.填充因數(shù)表征太陽(yáng)能電池的優(yōu)劣，在一定光譜輻照度下，F(xiàn)F愈大，曲線愈“方”，輸出功率也愈高。

　　4、太陽(yáng)能電池的效率、影響效率的因素

　　⑴ 太陽(yáng)能電池的效率：

　　太陽(yáng)能電池受照射時(shí)，輸出電功率與入射光功率之比η稱為太陽(yáng)能電池的效率，也稱光電轉(zhuǎn)換效率。一般指外電路連接最佳負(fù)載電阻RL時(shí)的最大能量轉(zhuǎn)換效率。

　　在上式中，如果把At換為有效面積Aa（也稱活性面積），即從總面積中扣除柵線圖形面積，從而算出的效率要高一些，這一點(diǎn)在閱讀國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)時(shí)應(yīng)注意。

　　美國(guó)的普林斯最早算出硅太陽(yáng)能電池的理論效率為21.7%。20世紀(jì)70年代，華爾夫（M.Wolf）又做過詳盡的討論，也得到硅太陽(yáng)能電池的理論效率在AM0光譜條件下為20%~22%，以后又把它修改為25%（AM1.0光譜條件）。

　　估計(jì)太陽(yáng)能電池的理論效率，必須把從入射光能到輸出電能之間所有可能發(fā)生的損耗都計(jì)算在內(nèi)。其中有些是與材料及工藝有關(guān)的損耗，而另一些則是由基本物理原理所決定的。

　?、?影響效率的因素

　　綜上所述，提高太陽(yáng)能電池效率，必須提高開路電壓Uoc、短路電流ISC和填充因子FF這三個(gè)基本參量。而這3個(gè)參量之間往往是互相牽制的，如果單方面提高其中一個(gè)，可能會(huì)因此而降低另一個(gè)，以至于總效率不僅沒提高反而有所下降。因而在選擇材料、設(shè)計(jì)工藝時(shí)必須全盤考慮，力求使3個(gè)參量的乘積最大。

　　1.材料能帶寬度：

　　開路電壓UOC隨能帶寬度Eg的增大而增大，但另一方面，短路電流密度隨能帶寬度Eg的增大而減小。結(jié)果可期望在某一個(gè)確定的Eg處出現(xiàn)太陽(yáng)電池效率的峰值。用Eg值介于1.2～1.6eV的材料做成太陽(yáng)電池，可望達(dá)到最高效率。薄膜電池用直接帶隙半導(dǎo)體更為可取，因?yàn)樗茉诒砻娓浇展庾印?/p>

　　2.溫度 ：

　　少子的擴(kuò)散長(zhǎng)度隨溫度的升高稍有增大，因此光生電流也隨溫度的升高有所增加，但UOC隨溫度的升高急劇下降。填充因子下降，所以轉(zhuǎn)換效率隨溫度的增加而降低。

　　3.輻照度：

　　隨輻照度的增加短路電流線性增加，最大功率不斷增加。將陽(yáng)光聚焦于太陽(yáng)電池，可使一個(gè)小小的太陽(yáng)電池產(chǎn)生出大量的電能。

　　4.摻雜濃度：

　　對(duì)UOC有明顯影響的另一因素是半導(dǎo)體摻雜濃度。摻雜濃度越高，UOC越高。但當(dāng)硅中雜質(zhì)濃度高于1018/cm3時(shí)稱為高摻雜，由于高摻雜而引起的禁帶收縮、雜質(zhì)不能全部電離和少子壽命下降等等現(xiàn)象統(tǒng)稱為高摻雜效應(yīng)，也應(yīng)予以避免。

　　5.光生載流子復(fù)合壽命：

　　對(duì)于太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體而言，光生載流子的復(fù)合壽命越長(zhǎng)，短路電流會(huì)越大。達(dá)到長(zhǎng)壽命的關(guān)鍵是在材料制備和電池的生產(chǎn)過程中，要避免形成復(fù)合中心。在加工過程中，適當(dāng)而且經(jīng)常進(jìn)行相關(guān)工藝處理，可以使復(fù)合中心移走，而且延長(zhǎng)壽命。

　　6.表面復(fù)合速率：

　　低的表面復(fù)合速率有助于提高Isc，前表面的復(fù)合速率測(cè)量起來(lái)很困難，經(jīng)常假設(shè)為無(wú)窮大。一種稱為背電場(chǎng)（BSF）的電池設(shè)計(jì)為，在沉積金屬接觸前，電池的背面先擴(kuò)散一層P+附加層。

　　7.串聯(lián)電阻和金屬柵線：

　　串聯(lián)電阻來(lái)源于引線、金屬接觸柵或電池體電阻，而金屬柵線不能透過陽(yáng)光，為了使Isc最大，金屬柵線占有的面積應(yīng)最小。一般使金屬柵線做成又密又細(xì)的形狀，可以減少串聯(lián)電阻，同時(shí)增大電池透光面積。

　　8.采用絨面電池設(shè)計(jì)和選擇優(yōu)質(zhì)減反射膜：

　　依靠表面金字塔形的方錐結(jié)構(gòu)，對(duì)光進(jìn)行多次反射，不僅減少了反射損失，而且改變了光在硅中的前進(jìn)方向并延長(zhǎng)了光程，增加了光生載流子產(chǎn)量；曲折的絨面又增加了PN結(jié)的面積，從而增加對(duì)光生載流子的收集率，使短路電流增加5%～10%，并改善電池的紅光響應(yīng)。

　　9.陰影對(duì)太陽(yáng)電池的影響：

　　太陽(yáng)電池會(huì)由于陰影遮擋等造成不均勻照射，輸出功率大大下降。

　　目前，太陽(yáng)能電池的應(yīng)用已從軍事領(lǐng)域、航天領(lǐng)域進(jìn)入工業(yè)、商業(yè)、農(nóng)業(yè)、 通信、家用電器以及公用設(shè)施等部門，尤其可以分散地在邊遠(yuǎn)地區(qū)、高山、沙漠、海島和農(nóng)村使用，以節(jié)省造價(jià)很貴的輸電線路。但是在目前階段，它的成本還很高，發(fā)出1kW電需要投資上萬(wàn)美元，因此大規(guī)模使用仍然受到經(jīng)濟(jì)上的限制。

　　但是，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，隨著太陽(yáng)能電池制造技術(shù)的改進(jìn)以及新的光—電轉(zhuǎn)換裝置的發(fā)明，各國(guó)對(duì)環(huán)境的保護(hù)和對(duì)再生清潔能源的巨大需求，太陽(yáng)能電池仍將是利用太陽(yáng)輻射能比較切實(shí)可行的方法，可為人類未來(lái)大規(guī)模地利用太陽(yáng)能開辟?gòu)V闊的前景。