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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子論文>模擬數(shù)字論文>NAND FLASH存儲模塊設(shè)計（XC3S1600E和NAND512W3A構(gòu)成）

      NAND FLASH存儲模塊設(shè)計（XC3S1600E和NAND512W3A構(gòu)成）

      2017-10-31 | rar | 1.09 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　目前最新型的彈載黑匣子在實時性、大容量、高可靠性、高速率等方面又有了新的要求，炮彈彈道實驗中姿態(tài)、軌跡、旋轉(zhuǎn)速率等參數(shù)在被采集后需要及時存人存儲模塊中。傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲模塊多用ARM作為其控制核心，但是由于ARM 的時鐘頻率較低且需用軟件實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，這使得存儲的速度和效率較低，在整個存儲周期中大多為軟件的運行時間。而FPGA 有ARM 無法比擬的優(yōu)勢，F(xiàn)PGA 時鐘頻率高、內(nèi)部延時小，全部控制邏輯由硬件完成，速度快、效率高。在此技術(shù)基礎(chǔ)上，為了滿足數(shù)據(jù)存儲對速度的要求，本文將介紹一種基于FPGA，采用VerilogHDL硬件描述語言設(shè)計實現(xiàn)的高速數(shù)據(jù)存儲模塊。存儲芯片采用意法半導(dǎo)體公司的NAND512W3A，利用FPGA 構(gòu)建讀寫FIFO 緩存、硬件擦除和讀寫以及壞塊屏蔽NANDFLASH，從而加快了黑匣子數(shù)據(jù)存儲的速度和可靠性。

      NAND FLASH存儲模塊設(shè)計（XC3S1600E和NAND512W3A構(gòu)成）

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