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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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東風(fēng)汽車:智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線預(yù)計7月批量投產(chǎn)
5月22日,東風(fēng)汽車官方發(fā)布消息表示,該司已聯(lián)手中國中車在武漢共同創(chuàng)立智新半導(dǎo)體,旨在通過自主研發(fā)突破,掌握生產(chǎn)車規(guī)級IGBT模塊的技術(shù),并成功實現(xiàn)量產(chǎn)...
2024-05-22 標(biāo)簽:IGBT碳化硅東風(fēng)汽車 770 0
IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器...
英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器,這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動MOS電壓驅(qū)動型功率晶體管,如Co...
昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
1200A-1800A 1700V IGBT5 XHP?2 .xt模塊的特點及應(yīng)用
大功率牽引和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用需要高魯棒性,高可靠性和使用壽命長的功率器件。采用IGBT5和.XT技術(shù)的XHP? 2模塊可以滿足這些要求。I
貝茵凱車規(guī)級產(chǎn)品亮相,助力汽車行業(yè)新潮
貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規(guī)級硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7,額定電壓達(dá)750V,額定電流275A,適用于生產(chǎn)550A-9...
2024-04-29 標(biāo)簽:芯片IGBT驅(qū)動系統(tǒng) 672 0
CIAS2024金翎獎頒獎典禮:上海貝嶺兩款I(lǐng)GBT產(chǎn)品榮獲兩大獎項
CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會于2024年4月23日在蘇州獅山國際會議中心舉行。
2024-04-29 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率半導(dǎo)體 935 0
時代半導(dǎo)體獲43.28億戰(zhàn)略投資 助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
作為株洲中車時代電氣股份有限公司的旗下子公司,時代半導(dǎo)體自1964年起專注于功率半導(dǎo)體技術(shù)的研究和產(chǎn)業(yè)化,現(xiàn)已成為全球領(lǐng)先的IDM企業(yè)之一,掌握了大功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:大功率半導(dǎo)體技術(shù)IGBT 512 0
SiC正在成為儲能主流,相關(guān)行業(yè)即將爆發(fā)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)在當(dāng)前的儲能系統(tǒng)中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時,寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)正越來越受到青睞,因為這種材料...
士蘭微電子車規(guī)級MOS產(chǎn)品獲CIAS2024年度“最具市場力產(chǎn)品獎”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會暨 CIAShow功率半導(dǎo)體、裝備與材料創(chuàng)新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦,士蘭微...
萬次循環(huán)已成儲能標(biāo)配,IGBT成壽命關(guān)鍵
儲能產(chǎn)品發(fā)展到今天,其技術(shù)變化日新月異,而壽命循環(huán)次數(shù)已經(jīng)成為不少廠商競爭的焦點。市場中超過萬次循環(huán)的產(chǎn)品已成為標(biāo)配,許多企業(yè)還承諾儲能產(chǎn)品壽命能夠達(dá)到...
新能源汽車蓬勃發(fā)展,IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張
IGBT作為電機(jī)和電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,對新能源汽車的性能有著直接影響,尤其在功率逆變器模塊中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)統(tǒng)計,IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%...
瑞薩電子功率半導(dǎo)體專用 300 毫米晶圓甲府工廠開始運(yùn)營
來源:Renesas Electronics 在甲府工廠開幕式上,瑞薩電子承諾擴(kuò)大其功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,以支持電動汽車不斷增長的需求 開幕式上:左二為瑞薩電...
功率半導(dǎo)體器件IGBT及新材料工藝技術(shù)發(fā)展
功率半導(dǎo)體:電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體是一種廣泛用于電力電子裝置和電能轉(zhuǎn)換和控制電路的半導(dǎo)...
2024-04-14 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件新材料 1119 0
大功率電機(jī)控制系統(tǒng)引領(lǐng)高效能動力新時代
在當(dāng)今這個追求效率、倡導(dǎo)節(jié)能環(huán)保的時勢下,高性能的電動機(jī)控制系統(tǒng)憑借其強(qiáng)勁的功率輸出和精細(xì)的操控能力,已逐漸成為現(xiàn)代機(jī)械設(shè)備中不可或缺的核心組件。
2024-04-14 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)電動機(jī)IGBT 735 0
瑞薩電子宣布為擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能重啟甲府工廠
近日,瑞薩電子宣布,考慮到EV(電動汽車)需求不斷增長,為擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能重啟甲府工廠(山梨縣甲斐市)。
光伏領(lǐng)域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領(lǐng)域IGBT市場規(guī)模將達(dá)73億
功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實現(xiàn)電能的變換或控制...
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