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本次實驗旨在帶您熟悉變壓器耦合放大器的阻抗匹配操作。升降壓變壓器的基本定義是一種將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換為比原電壓更高(升壓)或更低(降壓)的器件。此外還有可用于將電路與地隔離的變壓器,這種變壓器被稱為隔離變壓器。本文將側(cè)重討論變壓器的另一種用途,即用于匹配電路阻抗以實現(xiàn) 最大功率傳輸。...
本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級設(shè)計中面臨的復雜難題,重點關(guān)注功率晶體管和自舉電容。降壓轉(zhuǎn)換器用于演示忽視功率晶體管時序規(guī)范的影響,以及移除自舉電容時會發(fā)生什么情況。功率晶體管具有最小導通和關(guān)斷時間要求,以確保FET柵極電容正確充電和放電,從而保證晶體管完全導通和關(guān)斷。如果忽略這些要求(例如...
TPA267x系列產(chǎn)品帶寬10MHz,壓擺率達到15V/μs,產(chǎn)品在100KHz電源干擾下抑制比達到了80dB,降低了客戶在電源上的設(shè)計成本,廣泛適用于工業(yè)自動化、光伏儲能、電機驅(qū)動器和音頻設(shè)備等領(lǐng)域。...
將PMOS的G極接電阻到地(GND),當輸入端連接正向電壓時,電流流過PMOS的體二極管到負載端。...
設(shè)計測試電路,使用 F030單片機進行測試。輸入的模擬信號經(jīng)過RC濾波之后,發(fā)送到 ADC的第0通道。使用兩個電阻將模擬地和電源分開。電路板上還設(shè)置了 3.3V的穩(wěn)壓芯片。設(shè)計電路PCB,使其能夠適應一分鐘制板方法。...
柵極參數(shù)設(shè)計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。...
PT100是正溫度系數(shù)的熱敏電阻,顧名思義,隨著溫度的升高,電阻的阻值變大;相反,如果隨著溫度的升高,電阻的阻值變小,就是負溫度系數(shù)的熱敏電阻。...
統(tǒng)講法一般分三步,以NPN型為例(以下所有討論皆以NPN型硅管為例),如示意圖A。1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子;2.電子在基區(qū)的擴散與復合;3.集電區(qū)收集由基區(qū)擴散過來的電子。”(注1)...
暗戀就像根二極管,總是單向的電流。除非你運氣好,表白時二極管反向擊穿了,否則你就一直這樣毫無回報的付出吧,別抱怨,誰讓你選二極管呢。...
當MOS管驅(qū)動能力不足時,我們會使用推挽電路來放大電流,但是MOS管明明是壓控型器件,為什么要去考慮電流大小呢?...
低阻抗、大面積接地層對于模擬電路和數(shù)字電路都是至關(guān)重要的。接地層不僅為了給高頻電流(高速數(shù)字邏輯產(chǎn)生的)一個低阻抗返回路徑,而且最大限度地減少EMI / RFI輻射。...
這個主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當耗盡區(qū)碰到Source的時候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。...
在高頻信號電路中,電阻不是單純的只有電阻R,而是還有電感,電感L模擬引線,電容Ca用于模擬電荷的分離效應,電容Cb用于模擬內(nèi)部引線電容。...
1. 每個IGBT有獨立的驅(qū)動器; 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián),兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連; 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流,但不同的IGBT門極回路間不存在耦合,IGBT的開關(guān)行為很獨立...
三極管是晶體管的一種,三極管的三個極分別是基極(Base)、發(fā)射極(Emitter)、集電極(Collector)。...
ESD保護二極管設(shè)計在信號線與GND之間,保護DUP器件免受浪涌電壓的沖擊。在正常工作模式下,ESD保護二極管幾乎沒有電流經(jīng)過,只會有少量電流使反向擊穿電壓高于信號線電壓。...
從 2kHz 頻率開始,我們逐漸調(diào)小輸入信號的頻率,直至輸出信號的峰峰值降至 2.05 * 0.707 = 1.45V ,此時的頻率即為下限截止頻率:...
.通電導通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT,用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“~”之間的導通性,顯示導通,壓降為0.379 V。...
為了保護接口,抵抗小能量電壓脈沖,防止信號脈沖損壞接口的。 舉個簡單的例子: 一個串口通訊的提示信號,當接上串口時,因為瞬間的插拔產(chǎn)生了一個很窄的電壓脈沖...
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET,當在柵極和源極端子之間施加電壓時在漏極中產(chǎn)生電流。...