恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC
中國(guó)上海，2010年12月6日訊--恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36:44
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以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。 ? ? 截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池
2023-11-09 15:19:57664 
技術(shù)最終將通過(guò)3D人臉識(shí)別等新興應(yīng)用進(jìn)入更廣泛的消費(fèi)市場(chǎng)。典型VCSEL器件橫截面示意圖，越來(lái)越多的這類(lèi)器件采用單片式工藝iPhone給150mm晶圓吃了一顆“定心丸”蘋(píng)果iPhone X是首款具備
2019-05-12 23:04:07
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 16P03 30V P溝道MOS管 -30V -16A DFN3*3-8場(chǎng)效應(yīng)管 ，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)16P03參數(shù)： -30V -16A DFN3*3-8 P溝道
2021-03-18 14:21:33
描述 此參考設(shè)計(jì)支持電源并用作使用TPS61161-Q1的噴油器的指示器，升壓轉(zhuǎn)換器將輸入從 5V-12V 驅(qū)動(dòng)至 30V 輸出。該設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)高效、準(zhǔn)確、靈活的控制和精確的參考電壓 2.7V 至
2022-09-22 06:11:22
直流5V升壓到直流30V，求大佬推薦升壓芯片
2021-07-31 09:37:49
基于CS8683+FP5207、12V升30V大功率2x100W雙聲道D類(lèi)音頻功放升壓組合解決方案，為音頻愛(ài)好者提供極致的音質(zhì)體驗(yàn)。輸出功率曲線圖方案簡(jiǎn)介此方案大致分為兩個(gè)主要級(jí)：1、采用FP5207非同步升壓控制器。此
2022-02-18 17:37:12
30V 10A MOS管TO-252封裝HC005N03L，MOS原廠庫(kù)存現(xiàn)貨HC005N03L參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場(chǎng)效率管品牌：惠海
2020-11-14 14:33:47
惠海直銷(xiāo)30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 貼片 mos管【惠海半導(dǎo)體直銷(xiāo)】惠海直銷(xiāo)30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252
2020-11-12 09:52:03
DFN3*3封裝mos管【惠海半導(dǎo)體直銷(xiāo)】惠海直銷(xiāo)30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開(kāi)啟低結(jié)電容】 惠海半導(dǎo)體--中低壓場(chǎng)效率管
2020-11-03 15:38:19
*3封裝mos管【惠海半導(dǎo)體直銷(xiāo)】惠海直銷(xiāo)30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開(kāi)啟低結(jié)電容】 惠海半導(dǎo)體--中低壓場(chǎng)效率管
2020-11-11 14:45:15
30V轉(zhuǎn)15V降壓芯片 ，30V轉(zhuǎn)12V降壓芯片，30V轉(zhuǎn)9V降壓芯片，30V轉(zhuǎn)8V降壓芯片 , 30V轉(zhuǎn)6V降壓芯片 ,30V轉(zhuǎn)5V降壓芯片，30V轉(zhuǎn)3.3V降壓芯片，30V轉(zhuǎn)3V降壓芯片，30V
2020-10-16 10:58:20
TI專(zhuān)家好！我的項(xiàng)目里需要一個(gè)30V轉(zhuǎn)5V的電源，但電流很小，只有30mA，不超過(guò)50mA。由于所需電流甚小，我原先用電阻和5V1穩(wěn)壓二極管搭了個(gè)分立電路供電，但發(fā)現(xiàn)分立器件的離散性太大，轉(zhuǎn)出來(lái)5V
2019-04-08 14:57:41
30v開(kāi)關(guān)電源為什么只能輸出15v了，是不是變壓器的原因呢？
2011-03-14 16:50:12
`以下是羅姆MOSFET晶圓規(guī)格(6inch)N型16V:12A；16V:8A;20V:12A;20V:8A;30V:6A;45V:30A;60V:50A;100V:60A;100V:10A
2020-01-18 17:42:21
的工作環(huán)境，由于其額定溫度為+175°C，因此非常適合用于要求高溫的環(huán)境。Nexperia汽車(chē)用MOSFET具有額定重復(fù)性雪崩，開(kāi)關(guān)速度非?？?，ESD電阻高。Nexperia MOSFET采用先進(jìn)的業(yè)界領(lǐng)先
2021-01-23 11:20:27
，設(shè)計(jì)工程師已經(jīng)習(xí)慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而，來(lái)自 Nexperia 的最新特定應(yīng)用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結(jié)技術(shù)，可產(chǎn)生較低的導(dǎo)通電阻，而
2022-10-28 16:18:03
晶圓級(jí)CSP的返修工藝包括哪幾個(gè)步驟？晶圓級(jí)CSP對(duì)返修設(shè)備的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
晶圓級(jí)CSP的元件如何重新貼裝？怎么進(jìn)行底部填充？
2021-04-25 06:31:58
細(xì)間距的晶圓級(jí)CSP時(shí)，將其當(dāng)做倒裝晶片并采用助焊劑浸蘸的方法進(jìn)行組裝，以取代傳統(tǒng)的焊膏印刷組裝，如圖2所示，首先將晶圓級(jí)CSP浸蘸在設(shè)定厚度的助焊劑薄膜中，然后貼裝，再回流焊接，最后底部填充（如果有要求）。關(guān)于錫膏裝配和助焊劑裝配的優(yōu)缺點(diǎn)。圖1 工藝流程1——錫膏裝配圖2 工藝流程2——助焊劑裝配
2018-09-06 16:24:04
晶圓級(jí)CSP裝配回流焊接工藝控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
晶圓級(jí)CSP的裝配對(duì)貼裝壓力控制、貼裝精度及穩(wěn)定性、照相機(jī)和影像處理技術(shù)、吸嘴的選擇、助焊劑應(yīng) 用單元和供料器，以及板支撐及定位系統(tǒng)的要求類(lèi)似倒裝晶片對(duì)設(shè)備的要求。WLCSP貼裝工藝的控制可以參
2018-09-06 16:32:18
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
晶圓級(jí)封裝技術(shù)Wafer Level Package Technology Board Mounting Application Note for 0.800mm pitch
2009-06-12 23:57:22
晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開(kāi)發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動(dòng)。1964年，美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓級(jí)封裝類(lèi)型及涉及的產(chǎn)品
2015-07-11 18:21:31
晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
觀點(diǎn)：隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的演變，臺(tái)積電本有的地位也受到了威脅。再加上三星、英特爾的挑戰(zhàn)，讓一路走來(lái)，始終第一的***晶圓代工業(yè)有所警覺(jué)。為維持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電已開(kāi)始著手上下游整合，以鞏固臺(tái)積電龍頭
2012-08-23 17:35:20
半導(dǎo)體廠產(chǎn)能利用率再拉高，去化不少硅晶圓存貨，加上庫(kù)存回補(bǔ)力道持續(xù)加強(qiáng)，業(yè)界指出，12吋硅晶圓第二季已供給吃緊，現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)走高且累計(jì)漲幅已達(dá)1～2成之間，合約價(jià)亦見(jiàn)止跌回升，8吋及6吋硅晶圓現(xiàn)貨價(jià)同步
2020-06-30 09:56:29
。 隨著越來(lái)越多晶圓焊凸專(zhuān)業(yè)廠家將焊膏印刷工藝用于WLP封裝，批量壓印技術(shù)開(kāi)始在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域中廣泛普及。然而，大型EMS企業(yè)也走進(jìn)了WLP領(lǐng)域。封裝和板卡之間的邊界，以及封裝與組裝工藝之間的邊界日漸模糊，迫使企業(yè)必須具備晶圓級(jí)和芯片級(jí)工藝技術(shù)來(lái)為客戶服務(wù)`
2011-12-01 14:33:02
使用方式。、二.晶圓切割機(jī)原理芯片切割機(jī)是非常精密之設(shè)備，其主軸轉(zhuǎn)速約在30,000至 60,000rpm之間，由于晶粒與晶粒之間距很小而且晶粒又相當(dāng)脆弱，因此精度要求相當(dāng)高，且必須使用鉆石刀刃來(lái)進(jìn)行
2011-12-02 14:23:11
圓比人造鉆石便宜多了，感覺(jué)還是很劃算的。硅的純化I——通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將冶金級(jí)硅提純以生成三氯硅烷硅的純化II——利用西門(mén)子方法，通過(guò)三氯硅烷和氫氣反應(yīng)來(lái)生產(chǎn)電子級(jí)硅 二、制造晶棒晶體硅經(jīng)過(guò)高溫成型，采用
2019-09-17 09:05:06
圖為一種典型的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)示意圖。晶圓上的器件通過(guò)晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過(guò)程中對(duì)器件造成的損壞?！ D1 晶圓級(jí)封裝工藝過(guò)程示意圖 1 晶圓封裝的優(yōu)點(diǎn) 1）封裝加工效率
2021-02-23 16:35:18
的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中，12寸晶圓有較高的產(chǎn)能。當(dāng)然，生產(chǎn)晶圓的過(guò)程當(dāng)中，良品率是很重要的條件。`
2011-09-07 10:42:07
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內(nèi)部集成了開(kāi)關(guān)管和同步整流管，通過(guò)它們進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過(guò)程中，該芯片通過(guò)PWM
2024-03-22 11:31:10
全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應(yīng)商——MicrochipTechnologyInc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布，推出其首款具備30V輸入、600mA輸出能力的降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
2011-07-12 22:04:35
晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝; 49 bumps; 3.29×3.29×0.54mm（包括背面涂層）
2022-12-06 06:06:48
：8V～30V高電流精度：±3%高效率：97%負(fù)載開(kāi)路和短路保護(hù) PWM和線性調(diào)光滯環(huán)控制：無(wú)需補(bǔ)償最高工作頻率：1MHz內(nèi)置過(guò)溫電流補(bǔ)償控制 DIM腳接NTC電阻到地實(shí)現(xiàn)過(guò)溫電流補(bǔ)償 DIM腳接電
2020-04-21 15:19:31
型號(hào)：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類(lèi)：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
MOS管品牌：美浦森型號(hào)： SLN30P03T電壓：-30V 電流：-30A封裝：DFN3*3-8種類(lèi)：絕緣柵(MOSFET)SLN30P03T原裝，SLN30P03T庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)售后服務(wù)：公司免費(fèi)
2021-04-07 15:13:02
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
，我們將采用穿硅通孔（TSV）用于晶圓級(jí)堆疊器件的互連。該技術(shù)基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔，通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積（MOCVD）淀積一層TiN薄膜作為籽晶層，隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
`晶圓級(jí)封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有密閉空腔的保護(hù)
2011-12-01 13:58:36
`晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立
2011-12-01 13:54:00
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
要點(diǎn):?Hybrid MOS是兼?zhèn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的新結(jié)構(gòu)MOSFET。?同時(shí)具備MOSFET的高速性、在低電流范圍的低損耗、IGBT在大電流范圍的低損耗特性。?有利于提高家電的APF標(biāo)準(zhǔn)。不僅支持大功率，還可提高低電力范圍的效率。
2018-11-28 14:25:36
目晶圓提高了設(shè)計(jì)效率，降低了開(kāi)發(fā)成本，為設(shè)計(jì)人員提供了實(shí)踐機(jī)會(huì)，并促進(jìn)了集成電路設(shè)計(jì)成果轉(zhuǎn)化，對(duì)IC設(shè)計(jì)人才的培訓(xùn)，及新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)研制均有相當(dāng)?shù)拇龠M(jìn)作用。隨著制造工藝水平的提高，在生產(chǎn)線上制造芯片
2011-12-01 14:01:36
服務(wù)。其雙軸劃片功能可同時(shí)兼顧正背面劃片質(zhì)量，加裝二流體清洗功能可對(duì)CMOS Sensor等潔凈度要求較高組件，提供高質(zhì)量劃片服務(wù)。晶圓劃片機(jī)為廠內(nèi)自有，可支持至12吋晶圓。同時(shí)，iST宜特檢測(cè)可提供您
2018-08-31 14:16:45
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問(wèn)題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負(fù)11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計(jì)出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設(shè)計(jì)一個(gè)輸出直流電壓+30v，輸出電壓5v-25v直流電壓（步進(jìn)為0.1）電源轉(zhuǎn)換效率大于80％的dc/dc交換器
2019-11-21 19:45:16
如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14
% ,為全球大一大砷化鎵晶圓代工廠商。
拜產(chǎn)線多樣化與產(chǎn)品組合優(yōu)化外,該公司毛利率穩(wěn)定維持在30~35% 左右,營(yíng)業(yè)利益率與凈利率也尚屬平穩(wěn)。
2016年，公司宣布跨入光通訊市場(chǎng)，并自建EPI，主要
2019-05-27 09:17:13
我有一個(gè)30V，10mA的電源，需要反轉(zhuǎn)極性，時(shí)間需要用PIC來(lái)控制。我看了一些H橋，但是我看到MOSFET的高Gs電壓差因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">30V的問(wèn)題。使用晶體管看起來(lái)更好。我看了一些馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，但不
2019-03-21 10:00:09
怎么選擇晶圓級(jí)CSP裝配工藝的錫膏？
2021-04-25 08:48:29
我要找DC-DC直流升壓芯片，輸入9~14V，輸出30V，貼片8個(gè)腳，腳位功能是第2個(gè)腳接地，第三個(gè)腳輸出30V，1腳和8腳輸入電壓12V，腳位功能一定要對(duì)的上，我想找到相對(duì)應(yīng)的芯片型號(hào)，如有大蝦賜教，不勝感激，我的QQ是327048818
2012-04-24 10:06:57
用16~30V交流電來(lái)做+-12V直流電源這是我畫(huà)的圖，濾波電容不太清楚如何選取。所以按照網(wǎng)上的例子選的。最大輸出電流不小于0.3A，紋波電壓小于50mA，開(kāi)路電壓輸出誤差不大于5%我在30V仿真
2013-07-11 01:22:40
第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和鍺(Ge)的晶圓進(jìn)行快速劃片。硅晶圓片，切口寬度均小于30微米，切口邊緣平直、精準(zhǔn)、光滑，沒(méi)有崩裂，尤其硅晶圓更是如此。電力電子器件的晶圓價(jià)格昂貴
2010-01-13 17:01:57
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一，高密度扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)正獲得越來(lái)越多
2020-07-07 11:04:42
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
的替代工藝。激光能對(duì)所有第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和鍺(Ge)的晶圓進(jìn)行快速劃片。硅晶圓片，切口寬度均小于30微米，切口邊緣平直、精準(zhǔn)、光滑，沒(méi)有崩裂，尤其硅晶圓更是如此。電力
2010-01-13 17:18:57
SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
12英寸晶圓片的外觀檢測(cè)方案？那類(lèi)探針臺(tái)可以全自動(dòng)解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測(cè)試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
途中C1是怎么把220V降到30V的。
2012-06-11 15:46:20
項(xiàng)目要做一個(gè)DC-DC車(chē)載電源，輸入300—1000V，輸出0—30V，功率大概2KW, 目前考慮到效率問(wèn)題，想用兩級(jí)級(jí)聯(lián)的結(jié)構(gòu)，前級(jí)和后級(jí)用什么拓?fù)浔容^好？
2024-03-19 14:13:37
旨在探討熱電偶在晶圓制造中的應(yīng)用及其優(yōu)化方法，以提高晶圓制造的質(zhì)量和效率。二、熱電偶的基本原理和工作原理熱電偶是一種基于熱電效應(yīng)的溫度測(cè)量設(shè)備。它由兩種不同金屬制成
2023-06-30 14:57:40
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8～30V的P通道功率MOSFET
這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件。日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用
2008-08-23 15:08:371249 30V 轉(zhuǎn) 15V ，30V 轉(zhuǎn) 12V，30V 轉(zhuǎn) 9V，30V 轉(zhuǎn) 8V ， 30V 轉(zhuǎn) 6V ，30V 轉(zhuǎn) 5V，30V 轉(zhuǎn) 3.3V，30V 轉(zhuǎn) 3V，30V 轉(zhuǎn) 1.8V 30V
2020-10-12 08:00:0012 30V轉(zhuǎn)15V 12V 9V 8V 6V 5V 3.3V 3V芯片選型介紹(通用電源技術(shù)(深圳有限公司官網(wǎng))-30V轉(zhuǎn)24V，30V轉(zhuǎn)20V，30V轉(zhuǎn)15V ，30V轉(zhuǎn)12V，30V轉(zhuǎn)9V，30V轉(zhuǎn)5V，30V轉(zhuǎn)3.3V，30V轉(zhuǎn)3V，30V轉(zhuǎn)1.8V，30V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 13:04:3322 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南 認(rèn)識(shí)理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220 Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 
和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信
2022-11-18 10:32:58400 
的安全工作區(qū)（SOA）性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。? 多年來(lái)，Nexperia（安世半導(dǎo)體）致力于將成熟的 MOSFET 專(zhuān)業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來(lái)，增強(qiáng)器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的
2022-11-21 16:11:38648 PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對(duì)稱(chēng)雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12R5EP
2023-02-16 21:17:050 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12R7EP
2023-02-16 21:20:320 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12EP
2023-02-17 19:23:290 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 12V升30V升壓芯片AH1160是一種電子元件，可以將電壓從12V升高到30V。此芯片內(nèi)置了60V NMOS升壓型LED驅(qū)動(dòng)器，可以有效地驅(qū)動(dòng)LED燈。該芯片的反饋電流采樣電壓為250mV，可以用來(lái)監(jiān)測(cè)LED驅(qū)動(dòng)器輸出電流的值。
2023-09-14 10:27:59514 新潔能NCE30P12S NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術(shù)，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550
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