中國上海，2013年8月13日訊 – 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射頻功率晶體管的最新成員。BLF188XR專為最嚴酷的工程環(huán)境而設計，真實條件下耐用性更強， 能夠在5dB壓縮點承受超過65：1駐波比的嚴重負載失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值輸出功率，其工作電壓可高達60 V，并且仍能通過極為嚴格的耐用性測試。其他主要特性包括：更強大的集成ESD保護，能使BLF188XR用于C類操作模式；幾種增強型功能，能使XR系列器件在多種應用中易于設計和調(diào)試。

　　BLF188XR另一項令人關注的特性是其卓越的線性度，該特性使BLF188XR成為高功率線性應用的極佳選擇。BLF188XR非常適合頻率范圍小于300 MHz的大規(guī)模工業(yè)、科學和醫(yī)療（ISM）應用，而廣受歡迎的BLF578XR系列的建議使用頻率范圍為500 MHz以內(nèi)。恩智浦本周在2013年IEEE MTT-S國際微波研討會（IMS 2013）上展示BLF188XR，要觀看現(xiàn)場演示的相關視頻，可點擊該鏈接：http://v.youku.com/v_show/id_XNTY3NDU2MzY0.html

　　恩智浦半導體射頻功率事業(yè)部市場總監(jiān)Mark Murphy表示：“我們的‘超耐用’系列目前具有更強的耐用性，完全滿足最苛刻的射頻負載要求，并且采用恩智浦最新的高電壓LDMOS技術，輕松超越VDMOS的性能、耐用性和可靠性。全新的BLF188XR借助BLF578XR的成功之處，擴展了我們的產(chǎn)品組合，并帶來額外的耐用性、線性度、功率和簡化設計。憑借作為ISM市場領先的射頻功率產(chǎn)品供應商所創(chuàng)下的驕人業(yè)績，我們已將BLF188XR設計為極具吸引力的解決方案，在激光器、MRI、射頻照明和射頻干燥以及VHF/FM廣播發(fā)射機等各種低頻應用?！?/p>

　　上市時間

　　合格客戶現(xiàn)在可索取BLF188XR工程樣品。

　　鏈接

　　· 視頻：恩智浦超耐用LDMOS（BLF188XR、BLF184XR）：http://v.youku.com/v_show/id_XNTY3NDU2MzY0.html

　　· 恩智浦BLF188XR產(chǎn)品信息：http://www.cn.nxp.com/pip/BLF188XR

　　· 恩智浦射頻手冊（第17版）：http://www.nxp.com/rfmanual

　　關于恩智浦半導體

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. （NASDAQ： NXPI） 致力于為智能世界提供安全互聯(lián)的解決方案?；诟咝阅芑旌?a target="_blank">信號的專業(yè)性，恩智浦在汽車、智能識別和移動行業(yè)，以及無線基礎設施、照明、醫(yī)療、工業(yè)、個人消費電子和計算等應用領域不斷創(chuàng)新。公司在全球逾25個國家都設有業(yè)務執(zhí)行機構(gòu)，2012年公司營業(yè)額達到43.6億美元。更多信息請登錄www.nxp.com 查詢。