嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
嗨，我想開(kāi)發(fā)一個(gè) CAN 連接到賽普拉斯CYW20730芯片的Android應(yīng)用程序。
實(shí)際上，一些主動(dòng)快門 3D 眼鏡使用了這個(gè)芯片，我想建立藍(lán)牙連接來(lái)打開(kāi)和關(guān)閉眼鏡鏡片。
我下載了您的 2 安卓
2024-03-01 11:58:58
; eviceCount () \" 給了我 0。
當(dāng)我查看 Windows 設(shè)備管理器時(shí)。 在編程之前，該設(shè)備被識(shí)別為“賽普拉斯FX3 USB引導(dǎo)加載程序設(shè)備”。 編程后，該設(shè)備被識(shí)別為“賽普拉斯FX3
2024-02-26 07:55:15
我只是想知道是否有可能訪問(wèn)我正在編寫的代碼中的構(gòu)建變量。 到目前為止我還沒(méi)找到出路。
起初，這些變量?jī)H用于自動(dòng)創(chuàng)建我想要的格式的圖像文件。 現(xiàn)在，我想通過(guò)發(fā)送給賽普拉斯的控制權(quán)轉(zhuǎn)移來(lái)訪問(wèn)它們。
如果這不可能，你知道其他方法可以做到這一點(diǎn)并滿足我的兩個(gè)需求嗎？
2024-02-26 06:36:36
拉普拉斯新能源科技股份有限公司，簡(jiǎn)稱“拉普拉斯”，近期成功通過(guò)IPO審核，準(zhǔn)備在科創(chuàng)板上市。該公司計(jì)劃募資18億元，主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目，以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
2024-02-23 14:16:32
218 目前，我的開(kāi)發(fā)板使用賽普拉斯3014芯片并使用UVC輸出。 但是，程序運(yùn)行后，可以在 Windows 系統(tǒng)上識(shí)別設(shè)備，但在 Linux 系統(tǒng)上無(wú)法識(shí)別。 我使用 Ubuntu 作為我的 Linux 系統(tǒng)。 可能是什么問(wèn)題？ 我需要修改 cyfxdscr 嗎。 c 文件？有人能提供一些建議嗎？
2024-02-23 06:11:56
通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問(wèn)速度，而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42121 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191 
傅里葉變換和拉普拉斯變換是兩種重要的數(shù)學(xué)工具，常用于信號(hào)分析和系統(tǒng)理論領(lǐng)域。雖然它們?cè)跀?shù)學(xué)定義和應(yīng)用上有所差異，但它們之間存在緊密的聯(lián)系和相互依存的關(guān)系。 首先，我們先介紹一下傅里葉變換和拉普拉斯
2024-02-18 15:45:38339 賽普拉斯的芯片，怎么燒錄后綴名為 .ELF 文件？要用什么燒錄器？用什么樣的燒錄軟件？芯片型號(hào)：CY8C5268AXI-LP047
2024-02-01 08:25:01
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 我想使用 DAP 協(xié)議對(duì) TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進(jìn)行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細(xì)信息的相關(guān)文檔？ 如何通過(guò) DAP 協(xié)議訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
我正在嘗試在 CY8CKIT-046 上運(yùn)行賽普拉斯/英飛凌的 \" USBFS UART 代碼示例 \"。 將 USB 連接到裝有 Windows 10 的電腦后，我收到了一條
2024-01-22 08:27:13
隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（RAM）分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）。由于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，所以它能達(dá)到的集成度遠(yuǎn)高于靜態(tài)存儲(chǔ)器。但是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存取速度不如靜態(tài)存儲(chǔ)器快。
2024-01-19 15:47:38513 
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:15512 賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28170 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問(wèn)它的方式，CPU對(duì)其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔ⅲ皇亲裱瓏?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位之間的訪問(wèn)時(shí)間。
2024-01-06 17:51:33158 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡(jiǎn)稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
近期，深圳市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)委員會(huì)辦公室發(fā)布了關(guān)于2023年度深圳市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)擬獎(jiǎng)名單的公示。其中，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“拉普拉斯”）依托“氣態(tài)BCl?特高溫硼擴(kuò)散系列設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
2023-11-10 10:37:24183 單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
賽普拉斯USB-PD控制器最多能支持多少種電力傳輸對(duì)象（PDO）？支持的電源配置文件有哪些？ 賽普拉斯USB-PD控制器是一種用于電源傳輸?shù)钠骷?，它可以?shí)現(xiàn)多種電力傳輸對(duì)象（PDO）的支持。在本篇
2023-10-27 14:40:20337 賽普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充之間有何不同？ 賽普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充是兩種快速充電技術(shù)，它們有著不同的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。 賽普拉斯USB-PD2.0是一種基于USB
2023-10-27 14:40:18434 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 近年來(lái)，光伏行業(yè)蓬勃發(fā)展，為業(yè)內(nèi)企業(yè)發(fā)展提供了良好的動(dòng)力。以拉普拉斯為例，在穩(wěn)定的業(yè)績(jī)基礎(chǔ)上，疊加行業(yè)明朗的發(fā)展前景，拉普拉斯提交IPO招股書，擬申請(qǐng)上交所科創(chuàng)板上市，踏出了跨越性的一步
2023-10-19 11:34:04241 近期，光伏電池片制造設(shè)備供應(yīng)商——拉普拉斯積極闖關(guān)科創(chuàng)板IPO，計(jì)劃募資18億元用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。 從拉普拉斯IPO招股書披露
2023-10-19 11:20:23296 CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/賽普拉斯，USB Type-C端口控制器CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/賽普拉斯，USB Type-C端口控制器
2023-10-17 16:16:10
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：拉普拉斯）擬沖刺科創(chuàng)板IPO。不過(guò)近日，拉普拉斯IPO因財(cái)務(wù)資料過(guò)期問(wèn)題而被迫暫時(shí)中止。 此次沖刺科創(chuàng)板IPO，拉普拉斯擬募集
2023-10-12 17:10:012041 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：拉普拉斯）擬沖刺科創(chuàng)板IPO。不過(guò)近日，拉普拉斯IPO因財(cái)務(wù)資料過(guò)期問(wèn)題而被迫暫時(shí)中止。 此次沖刺科創(chuàng)板IPO，拉普拉斯擬募集
2023-10-12 01:12:002959 
太陽(yáng)能光伏設(shè)備制造行業(yè)作為技術(shù)密集型行業(yè)，一直以來(lái)對(duì)技術(shù)的先進(jìn)性依賴程度比較高。深耕行業(yè)多年，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“拉普拉斯”或“公司”）始終以技術(shù)引領(lǐng)，驅(qū)動(dòng)企業(yè)前行，成功獲得了
2023-10-10 17:04:00233 怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《8位PIC單片機(jī)上的存儲(chǔ)器訪問(wèn)分區(qū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 14:50:20
0 FSMC特性簡(jiǎn)介和FSMC框圖外掛存儲(chǔ)器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信號(hào)
支持的存儲(chǔ)器和訪問(wèn)方式異步傳輸
同步突發(fā)傳輸
NAND/PC card控制器
接口信號(hào)
·支持的存儲(chǔ)器和訪問(wèn)方式NAND操作
.ECC計(jì)算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問(wèn)方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272101 如何用拉普拉斯變換分析電路 拉普拉斯變換是通過(guò)一種特定的方法將時(shí)域中的一個(gè)信號(hào)轉(zhuǎn)化為復(fù)頻域中的一個(gè)函數(shù)，從而使得復(fù)雜的微分方程等可以變得更加簡(jiǎn)單、易于求解。因此，它在電路分析中的應(yīng)用非常廣泛，有助于
2023-09-07 16:39:041276 傅里葉變換拉普拉斯變換和z變換的區(qū)別聯(lián)系 傅里葉變換、拉普拉斯變換和z變換是信號(hào)處理中重要的數(shù)學(xué)工具。傅里葉變換用于將一個(gè)連續(xù)時(shí)間信號(hào)轉(zhuǎn)換為頻域表示；拉普拉斯變換則用于將一個(gè)連續(xù)時(shí)間信號(hào)轉(zhuǎn)換為復(fù)平面
2023-09-07 16:38:581400 拉普拉斯變換公式? 拉普拉斯變換公式是數(shù)學(xué)中極其重要的一種變換方式，它的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，包括在信號(hào)處理、控制論、微分方程、電路分析和量子力學(xué)等領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹拉普拉斯變換公式
2023-09-07 16:38:534091 拉普拉斯變換的意義 拉普拉斯變換是微積分中的一種重要方法，用于將時(shí)間域函數(shù)轉(zhuǎn)換為復(fù)平面的頻域函數(shù)。它是工程和科學(xué)中常用的一種數(shù)學(xué)工具，尤其是電路理論、信號(hào)處理和控制理論中。 拉普拉斯變換的意義可以
2023-09-07 16:35:083588 拉普拉斯變換的頻移特性 拉普拉斯變換是一種重要的數(shù)學(xué)工具，在信號(hào)處理、控制理論、電路分析等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。在這些應(yīng)用中，頻移是一個(gè)常見(jiàn)的操作，即將信號(hào)在頻域上移動(dòng)某個(gè)頻率。 拉普拉斯變換是一種復(fù)數(shù)變換
2023-09-07 16:29:43671 新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動(dòng)力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對(duì)于高性能非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的需求也越來(lái)越高，因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析
2023-09-01 10:04:52
AMBA靜態(tài)存儲(chǔ)器接口(SMI)是一個(gè)示例設(shè)計(jì)，它顯示了AMBA系統(tǒng)中外部總線接口(EBI)的基本要求。
它并不打算成為真正系統(tǒng)的“現(xiàn)成”EBI。
這樣的EBI設(shè)計(jì)必須考慮到流程、包裝和各種外部延遲
2023-08-21 06:22:01
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
本指南介紹事務(wù)性內(nèi)存，它允許自動(dòng)執(zhí)行代碼，而無(wú)需始終實(shí)現(xiàn)限制性能的同步方法。
ARM事務(wù)內(nèi)存擴(kuò)展(TME)是事務(wù)內(nèi)存的ARM實(shí)現(xiàn)。
現(xiàn)代復(fù)雜系統(tǒng)在不止一個(gè)處理器上執(zhí)行。
對(duì)存儲(chǔ)器訪問(wèn)的管理確保了當(dāng)
2023-08-17 07:57:59
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級(jí)微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級(jí)高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級(jí)微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備，由ARM開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。SC054 ASB SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級(jí)系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過(guò)程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲(chǔ)器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運(yùn)行時(shí)的非易失性
2023-08-02 06:37:01
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
就需要一塊非易失性存儲(chǔ)芯片來(lái)儲(chǔ)存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們?cè)谙到y(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
可編程控制器的存儲(chǔ)器由只讀存儲(chǔ)器ROM、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM和可電擦寫的存儲(chǔ)器EEPROM三大部分構(gòu)成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719 ，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 存儲(chǔ)器是用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲(chǔ)器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見(jiàn)的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
該控制器訪問(wèn)連接到外部存儲(chǔ)器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間；使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)這兩個(gè)存儲(chǔ)器，從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421 
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 
16-MBIT（1M X 16）靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-06-01 09:18:00
無(wú)論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒(méi)有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無(wú)法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55313 我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
不懂單片機(jī)，最近公司一個(gè)外單要轉(zhuǎn)到國(guó)內(nèi)生產(chǎn)，發(fā)了一個(gè)后綴名是.elf的燒錄文件，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)怎么燒錄？要用什么軟件打開(kāi)？又要用什么樣的燒錄器？
芯片是賽普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56
，并把電容放電，藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫操作時(shí)都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)快速訪問(wèn)芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)字節(jié)的快速訪問(wèn)。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
。關(guān)于DMA存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH中，然后通過(guò)DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存器，然后通過(guò)串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來(lái)。
2023-04-20 16:35:13
PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無(wú)污染。
2023-04-20 11:29:57224 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462541 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無(wú)限的讀/寫耐力?無(wú)磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o(wú)限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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