Ramtron推出可與飛思卡爾Tower System共用的F-RAM存儲器模塊

　　世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM）和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation （簡稱Ramtron）宣布，現(xiàn)已提供可與飛思卡爾半導(dǎo)體公司廣受歡迎的Tower System開發(fā)平臺共用的全新F-RAM存儲器模塊（TWR-FRAM）。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM核心存儲器和集成產(chǎn)品的超級集合（superset），為采用飛思卡爾基于ARM? Cortex?的Kinetis?和i.MX、ColdFire?、PowerQUICC?、QorIQ?和其它微控制器和微處理器方案來開發(fā)產(chǎn)品的工程師提供了一個易于使用的平臺，以便在其設(shè)計方案中演示、評測和使用Ramtron的F-RAM存儲器。

　　Ramtron的F-RAM核心存儲器和集成產(chǎn)品是要求高數(shù)據(jù)完整性和超低功耗等應(yīng)用的理想選擇——這與飛思卡爾在汽車、工業(yè)，使能技術(shù)和聯(lián)網(wǎng)方面的目標(biāo)市場完全吻合。F-RAM固有高耐用性、快速單周期和對稱讀/寫速度、低能耗、伽瑪輻射耐受性和抗電磁噪聲干擾能力。TWR-FRAM經(jīng)過設(shè)計，可讓客戶使用Ramtron的全部產(chǎn)品線來開發(fā)產(chǎn)品，提供高達(dá)8Mb的核心存儲器產(chǎn)品和精選存儲器接口（SPI、I2C或并行），以及Ramtron處理器伴侶、狀態(tài)保存器，還有單獨(dú)銷售的WM72016-6-EVAL等無線存儲器產(chǎn)品的接口。

　　價格和供貨

　　Ramtron的TWR-FRAM存儲器模塊備有庫存，通過富昌電子（Future Electronics）、Digi-Key和Mouser Electronics公司在世界各地供貨，客戶也可以通過Alltek、Tokyo Electron Devices、WT Micro和Farnell等Ramtron/飛思卡爾共同授權(quán)分銷商訂購TWR-FRAM。雖然TWR-FRAM特別采用飛思卡爾的Kinetis K53 Tower System kit （TWR-K53N512-KIT）來開發(fā)，但如果設(shè)計作為外設(shè)模塊使用，可以與任何飛思卡爾Tower System控制器或處理器模塊共用，構(gòu)成完整的Tower System組件。

　　TWR-FRAM的所有代碼和范例項目文件均是針對與IAR? Embedded Workbench和Keil? μVision4 評測授權(quán)許可（evaluation-licensed）開發(fā)工具一起使用而構(gòu)建，包含在飛思卡爾Tower System開發(fā)平臺中，可從網(wǎng)址www.iar.comand www.keil.com.下載?？蛻艨蓮膚ww.ramtron.com/go/TWR-FRAM下載更多信息和TWR-FRAM開發(fā)工具，并且可從www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx獲取高分辨率TWR-FRAM產(chǎn)品照片（從下拉菜單中選擇TWR-FRAM）。

　　TWR-FRAM存儲器的建議轉(zhuǎn)售價格是99美元。

　　關(guān)于Ramtron公司

　　Ramtron International Corporation （簡稱Ramtron）總部設(shè)在美國科羅拉多州Colorado Springs市，是專門設(shè)計、開發(fā)和銷售專用半導(dǎo)體存儲器和集成半導(dǎo)體解決方案的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，產(chǎn)品廣泛用于各種應(yīng)用和全球市場。要了解更多信息，請訪問公司網(wǎng)站www.ramtron.com或電郵framinfo@ramtron.com。

　　關(guān)于飛思卡爾Tower System

　　飛思卡爾Tower System是一款模塊化開發(fā)平臺，幫助開發(fā)人員迅速構(gòu)建原型和評測其應(yīng)用產(chǎn)品，設(shè)計人員可從一個不斷豐富的控制器和外設(shè)模塊生態(tài)系統(tǒng)中進(jìn)行選擇。設(shè)計人員只需選擇具有所需性能和功能的開發(fā)板（模塊），并將它們組合以構(gòu)建一個Tower System。此外，飛思卡爾的客戶和合作伙伴可以使用標(biāo)準(zhǔn)化的開源硬件來設(shè)計其他模塊，實(shí)現(xiàn)更多的功能和定制要求?？蛻艨蓮木W(wǎng)址http://www.freescale.com/tower獲取在線培訓(xùn)、視頻內(nèi)容、網(wǎng)絡(luò)廣播、技術(shù)文檔和應(yīng)用指南。

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飛思卡爾(77872) 飛思卡爾(77872)
F-RAM(14969) F-RAM(14969)
Ramtron(28195) Ramtron(28195)
TWR-FRAM(5471) TWR-FRAM(5471)

fpga雙口ram的使用

FPGA雙口RAM的使用主要涉及配置和使用雙端口RAM模塊。雙端口RAM的特點(diǎn)是有兩組獨(dú)立的端口，可以對同一存儲塊進(jìn)行讀寫操作，從而實(shí)現(xiàn)并行訪問。

在計算機(jī)中，CPU需要定期地從 RAM 存儲器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計算機(jī)系統(tǒng)的需要。

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2023-09-21 15:35:03

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STM32L15x存儲器直接訪問DMA介紹

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2023-09-13 08:06:16

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STEP7-壓縮用戶存儲器(RAM)解析

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長鑫存儲“存儲器的檢測方法及存儲器”專利公布

根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。

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在FRDM-K64F開發(fā)板上開發(fā)中間件應(yīng)用程序

是MDK-Professional中間件的軟件組件。該應(yīng)用程序使用I2C和以太網(wǎng)(MAC+PHY)CMSIS驅(qū)動程序，并使用底層的飛思卡爾Kinetis SDK HAL。

2023-09-04 08:02:30

Freescale Kinetis設(shè)備上的內(nèi)存配置

飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強(qiáng)大的解決方案。 FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。 FlexNVM是一種非易失

2023-09-04 06:29:35

FPGA學(xué)習(xí)筆記：RAM IP核的使用方法

我們知道除了只讀存儲器外還有隨機(jī)存取存儲器，這一篇將介紹另一種存儲類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是隨機(jī)存取存儲器 （Random Access Memory），是一個易失性存儲器，斷電丟失。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。

2023-08-29 16:46:07

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AXI內(nèi)部存儲器接口的功能

庫的慢-慢工藝點(diǎn)對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求

2023-08-21 06:55:33

0722_03 fifo存儲器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第4節(jié)

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0722_03 fifo存儲器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第3節(jié)

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充八萬發(fā)布于 2023-08-20 01:34:50

0722_03 fifo存儲器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第2節(jié)

存儲器

充八萬發(fā)布于 2023-08-20 01:33:59

0722_03 fifo存儲器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第1節(jié)

存儲器

充八萬發(fā)布于 2023-08-20 01:33:08

英飛凌擴(kuò)展數(shù)據(jù)記錄存儲器產(chǎn)品組合，推出業(yè)內(nèi)首款1Mbit車規(guī)級串行EXCELON? F-RAM存儲器及新型4Mbit F-RAM存儲器

，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新

2023-08-09 14:32:40

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PrimeCell AHB SDR和SRAM/NOR存儲器控制器（PL243）技術(shù)參考手冊

（SMC）。AHB MC有四個可訪問外部存儲器的AHB端口。每個AHB端口都有一個到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對特定存儲器設(shè)備。

2023-08-02 14:51:44

PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲器控制器（PL241）技術(shù)參考手冊

可訪問外部存儲器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC的特定配置被實(shí)例化以針對特定存儲器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL241）配置

2023-08-02 07:14:25

PrimeCell AHB SDR和NAND存儲器控制器（PL242）技術(shù)參考手冊

（SMC）。AHB MC有四個可訪問外部存儲器的AHB端口。每個AHB端口都有一個到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對特定存儲器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL242）配置

2023-08-02 06:26:35

單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲器

一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲器，簡稱ram。

2023-07-25 15:28:37

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ADSP-21992BSTZ是一款存儲器

ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN

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半導(dǎo)體存儲器的介紹與分類

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2023-07-12 17:01:13

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PLC的存儲器、I/O單元、I/O擴(kuò)展接口、外設(shè)接口和電源簡介

可編程控制器的存儲器由只讀存儲器ROM、隨機(jī)存儲器RAM和可電擦寫的存儲器EEPROM三大部分構(gòu)成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。

2023-07-11 14:26:42

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2023-07-06 14:22:27

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鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)

2023-06-29 09:39:03

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回顧易失性存儲器發(fā)展史

易失性存儲器的發(fā)展歷程繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機(jī)開機(jī)時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是

2023-06-28 09:05:28

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處理器基礎(chǔ)抱佛腳-存儲器部分

存儲器是用來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪問存儲器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。

2023-06-27 16:45:30

458

PLC系統(tǒng)的存儲器分類介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。

2023-06-26 14:02:45

3774

半導(dǎo)體存儲器簡介

半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有

2023-06-25 14:30:18

1959

RA6快速設(shè)計指南 [9] 存儲器 (1)

該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；使用單獨(dú)的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)

2023-06-21 12:15:03

421

ROM與RAM的主要區(qū)別存儲器rom的功能是什么

ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當(dāng)斷電時，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。

2023-06-20 16:38:44

2014

國芯思辰 |國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電

2023-06-08 09:52:17

RAM/ROM存儲器的設(shè)計

隨機(jī)存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中

2023-06-05 15:49:47

785

如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲器中通過SW?

************************************************* ************************************* * 詳細(xì)說明： * 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過

2023-06-05 09:47:48

什么是外部存儲器

磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進(jìn)制信息量

2023-05-26 11:27:06

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單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)

在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)停止供電

2023-05-19 17:04:36

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單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)

在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計： 1、存儲器介紹 存儲器的分類大致可以劃分如下： ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)

2023-05-19 15:59:37

單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？

單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？

2023-05-10 15:17:56

80C51單片機(jī)中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？

80C51單片機(jī)中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答

2023-05-09 16:04:22

如何為RT1172選擇FLASH存儲器？

通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？

2023-04-27 06:03:21

FPGA雙端口RAM的使用簡述

RAM ：隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”。

2023-04-25 15:58:20

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一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器

2023-04-19 17:45:46

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CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA（存儲器到存儲器）

本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。

2023-04-17 15:28:08

AM243x Sitara? 微控制器數(shù)據(jù)表

和單核運(yùn)算– 每個 R5F 內(nèi)核 32KB ICache 和 32KBDCache，所有存儲器上都有 SECDED ECC– 單核：每個集群 128KB TCM（每個 R5F 內(nèi)核128KB TCM

2023-04-14 15:42:08

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲器，用以存儲單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲信息。盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲嵌入式設(shè)備中使用的信息，但是它們的體系結(jié)構(gòu)

2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM

2023-04-07 16:41:05

RA2快速設(shè)計指南 [6] 存儲器

7. 存儲器 RA2 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh，其中可以包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；可使用單獨(dú)的總線分別訪問

2023-04-06 16:45:03

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是否可以將FLASH用作輔助存儲器？

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)

2023-04-04 08:16:50

手機(jī)上的ROM和RAM技術(shù)原理

ROM和RAM的區(qū)別是什么？ROM和RAM都是一種存儲技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲，掉電不會保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器

2023-03-30 14:53:27

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