Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管是分立式碳化硅基氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 23:23:18
晶體管是一種半導體器件，泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、晶閘管、可控硅等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能，可用于各種各樣的數字和模擬功能。
2024-02-26 17:24:44
620 
？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱為半導體三極管或三極管，是一種具有三個終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導體組成，這三部分分別是發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此被稱為雙極性的。
2024-02-19 15:15:05290 
晶體管是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。它是現代電器的最關鍵的元件之一，廣泛應用于各種數字和模擬功能中，包括放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和振蕩器等。晶體管由半導體材料制成，最常見的是鍺和硅。
2024-02-18 14:28:05327 
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認為晶體管處在關斷狀態(tài)
2、當基
2024-01-18 16:34:45
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵是一種化合物，化學式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結構和優(yōu)異的物理化學性質，是一種重要的半導體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:011020 氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結構、性質以及應用領域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:21941 氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發(fā)展方向等方面的內容。 氮化鎵半導體的性質 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32396 IGBT）是一種半導體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點集于一身，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優(yōu)點。IGBT廣泛應用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
材料不同。傳統(tǒng)的硅半導體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24424 鎵（GaN）半導體： 氮化鎵是一種二元復合半導體（由氮和鎵元素構成），具有較大的禁帶寬度（3.4電子伏特）。它是一個具有六方晶系結構的材料，并且具有較高的熱穩(wěn)定性和寬溫度范圍的應用特性。 碳化硅（SiC）半導體： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:18325 2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態(tài)設計目標。
2023-12-15 16:44:11462 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
[半導體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導體
2023-11-29 16:24:59193 
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
氮化鎵功率半導體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設計充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mode設計卻必須在性能上做出妥協
2023-10-24 14:12:26526 根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節(jié)計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。
2023-09-27 10:59:402314 
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
介紹：
晶體管是一種用于放大或切換電子信號和電力的半導體器件。它是一種三端口半導體器件，這些引腳分別標記為集電極（C）、基極（B）和發(fā)射極（E）?，F在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。
2023-09-21 13:48:18832 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:45857 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 近日，意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457 2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-28 17:03:082026 
特性、場效應管和晶體管的導電特性、半導體材料的應用等。 半導體的能帶結構 半導體的導電特性與其能帶結構有關。根據泡里原理，電子首先填充能量最低的能帶。在半導體中，電子的行為可以通過幾個能帶來描述：價帶、導帶和禁帶
2023-08-27 15:55:201120 CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發(fā)的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
晶體管是一種半導體元器件，它由三個層疊在一起的材料構成，分別是 P 型半導體、N 型半導體和 P 型半導體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47651 晶閘管和晶體管區(qū)別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導體器件的范疇，它們的出現都徹底改變了電子行業(yè)的發(fā)展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關鍵的區(qū)別，這些區(qū)別在分析它們的工作原理、特點、應用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現代電子設備的基礎，如計算機、手機、電視等。晶體管是一個半導體器件，它可以放大或開關電流信號。晶體管的工作原理是由三個不同類型的材料組成：N型半導體
2023-08-25 15:35:141791 晶體管和芯片的關系介紹 晶體管和芯片是現代電子技術中最重要的兩個概念，二者有密不可分的關系。晶體管是一種半導體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 Bardeen、Walter Brattain于1947年發(fā)明并獲得諾貝爾物理學獎。它的原理是基于半導體物理學中的PN結，PN結是n型半導體和p型半導體結合形成的界面，具有一個類似于電容的特性。應用電壓后，PN結中的少數載流子（電子或空穴）會沿著不同的方向移動，從而改變電流。通過控制
2023-08-25 15:21:051513 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應用中,二極管發(fā)揮簡單的開關功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
200-W；4400 - 5000 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效率設計的氮化鎵 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:09:28
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:07:15
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:48:33
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 10:21:42
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 17:06:31
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-03 16:54:07
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:27:54
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
在半導體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實現性能、功耗和面積增益，這稱為經典縮放。集成電路工作得更好，因為電信號在每個晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43413 功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產品使用，性能質量獲得客戶的高度認可。
輸出VBUS開關管均來自威兆半導體
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
行業(yè)標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種
2023-05-30 15:32:362177
場效應管是由多數載流子參與導電的半導體器件，也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導體器件，具有噪聲小、功耗低、開關速度快、不存在二次擊穿問題，主要具有信號放大、電子開關、功率控制等功能，廣泛應用
2023-05-26 14:24:29
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導體的直接接觸會導致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項研究中，二維
2023-05-25 16:11:29599 
當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但是什么使它們與眾不同呢？
2023-05-24 11:08:30665 晶體管是一種半導體器件，由三個摻雜不同的半導體材料組成，通常是n型半導體、p型半導體和n型半導體。晶體管具有體積小、重量輕、功耗低、可靠性高等優(yōu)點，廣泛應用于電子電路中的放大器、開關、振蕩器等電路中。
2023-05-17 15:38:338341 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管，工作頻率為 DC 至 3.5 GHz，功率為 50 W，增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝，面向軍事和大批量商業(yè)市場。
2023-04-14 15:39:35
有沒有負觸發(fā)導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
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工商網監(jiān)
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