電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 云塔科技（安努奇）發(fā)布世界首個LB/MB/HB/UHB四工器，基于云塔自主知識產(chǎn)權的SPD技術，其芯片制程工藝實現(xiàn)100%國產(chǎn)化。
2024-03-11 11:33:39
232 據(jù)介紹，這是業(yè)界首次將PCB熱涂層技術應用于超頻內(nèi)存中。該技術能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存的運行速率提升至每秒8000兆次以上，同時保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
2024-03-07 14:21:35155 存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品。
2024-02-22 16:21:51612 美光科技近日宣布推出業(yè)界首款標準低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊（LPCAMM2），這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項，旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設計空間及模塊化設計。
2024-01-19 16:20:47262 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052850 DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:58289 AWMF-0224 雙通道中頻收發(fā)器 IC 如有需求歡迎聯(lián)系AWMF-0224 是業(yè)界首款完全集成的雙通道 IF 上/下轉(zhuǎn)換器，帶有集成 PLL/VCO LO 合成器。該半雙工
2024-01-02 11:57:33
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術難關，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 
作為業(yè)界領先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出最先進的第四代?DDR5 寄存時鐘驅(qū)動器 (RCD)，并于 2023
2023-12-28 11:21:57211 ）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
日前，國科微正式發(fā)布基于8K超高清顯示芯片GK6780V100的OpenHarmony開發(fā)平臺，這也是業(yè)界首款支持TV及商顯的標準OpenHarmony平臺，為OpenHarmony生態(tài)帶來全新的高性能SoC芯片支持。
2023-12-01 09:14:14203 法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導，因此，中臺灣企業(yè)在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 日本定制芯片開發(fā)商 Socionext 發(fā)布了業(yè)界首款 32 核數(shù)據(jù)中心級芯片，該芯片將采用臺積電 2nm 級制造工藝制造。
2023-10-30 18:21:37487 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 2023年10月27日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片M88DR5RCD03，該芯片應用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨在進一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足新一代服務器平臺對容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:41508 DDR3是2007年推出的，預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
來源：比科奇 PC802基帶解決方案可支持三個LTE小區(qū)或兩個5G小區(qū)在TDD和FDD不同雙工方式下的所有組合和最大吞吐 5G開放式RAN基帶芯片和電信級軟件提供商比科奇（Picocom）今日宣布
2023-10-11 15:23:18456 香橙派是一款開源的單板卡片電腦，新一代的 arm 開發(fā)板，它可以運行Android 4.4、Ubuntu、Debian 等操作系統(tǒng)，兼容樹莓派。香橙派開發(fā)板(Lite)使用全志 H3 系統(tǒng)級芯片，同時擁有 512MB DDR3 內(nèi)存。
2023-10-10 06:00:40
業(yè)界首款擁有硬核USB的人工智能&嵌入式視覺應用FPGA，拓展小型、低功耗FPGA產(chǎn)品系列 — 中國上?！?2023 年 9 月 27 日 ——萊迪思半導體公司（NASDAQ: LSCC），低功耗
2023-10-08 14:39:07573 卡片電腦，它可以運行Android 4.4、Ubuntu 和 Debian 等操作系統(tǒng)。悟空派開發(fā)板使用全志 H3 系統(tǒng)級芯片，同時擁有 256MB/512MB DDR3 內(nèi)存。
上電測試：
找到一根
2023-09-30 19:03:11
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們在買DDR內(nèi)存條的時候，經(jīng)常會看到這樣的標簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
時，就需要外擴DDR SRAM二級存儲來滿足需求。
本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上，為我們配備了兩片DDR3的芯片，來完成二級存儲的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441481 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個問題點,當然其它3W，2H是基本點。
2023-09-15 11:42:37757 
在全默認設置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設定為40-40-40-76，因此在這個設置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當。
2023-09-15 10:40:42750 
內(nèi)置校準: DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準機制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調(diào)整驅(qū)動和接收電路的特性，以優(yōu)化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420 悟空派是一款開源的單板卡片電腦，新一代的arm開發(fā)板，它可以運行Android 4.4、Ubuntu 和 Debian 等操作系統(tǒng)。悟空派開發(fā)板 (悟空派H3 Zero) 使用全志 H3 系統(tǒng)級芯片，同時擁有 256MB/512MB DDR3 內(nèi)存。
2023-09-07 11:10:22
本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時，一些關鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
復制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512794 xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下內(nèi)存設備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
內(nèi)存設備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應的時延差異較大，必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 
包含關鍵的驅(qū)動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現(xiàn)了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
一、實驗要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實現(xiàn) DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進入 DDR5 新世代，標準升級拉動相關芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢可簡單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
MES50HP 開發(fā)板簡介
MES50HP 開發(fā)板集成兩顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
問題。
1) 這個128MB EIM 內(nèi)存的物理位置在哪里？
是imx6的內(nèi)存還是fpga的內(nèi)存？還是外接DDR內(nèi)存？
2) 我們將 CS0 用作單個緩沖區(qū)。
我想使用像環(huán)形緩沖區(qū)這樣的多緩沖區(qū)。
我如何開始將其實現(xiàn)為環(huán)形緩沖區(qū)？
如果您能告訴我相關的應用說明或技術鏈接，我將不勝感激。
2023-05-19 08:50:45
你好 ：
專家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大??？
2023-05-06 07:04:11
DDR3,數(shù)據(jù)速率1066Mbps，32bitPL端內(nèi)存：1GB DDR3,數(shù)據(jù)速率1600Mbps，32bitGTX收發(fā)器：16X速度等級：對標進口-2芯片級別：工業(yè)級工作溫度：-40℃-100
2023-04-13 16:04:38
RF3518產(chǎn)品簡介Qorvo 的 RF3518 單頻帶線性功率放大器在 3.4V、50 歐姆移動設備中支持 B8 (880-915MHz)，專為 3G UMTS 傳輸而設計。RF3518 滿足
2023-04-06 15:27:32
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）隆重推出了業(yè)界首款全棧式AI驅(qū)動型EDA解決方案Synopsys.ai，覆蓋了先進數(shù)字與模擬芯片的設計、驗證、測試和制造環(huán)節(jié)。基于此，開發(fā)者第一次
2023-04-03 16:03:26
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