作為業(yè)內(nèi)極具代表性的電子展之一，3月中旬在滬舉辦的慕尼黑上海電子展吸引了海內(nèi)外眾多半導(dǎo)體廠商的關(guān)注。日本的知名廠商羅姆（ROHM）半導(dǎo)體也攜帶了其最新的產(chǎn)品和技術(shù)出席了這次盛會。電子發(fā)燒友網(wǎng)受邀請拜訪了羅姆的展臺，聽現(xiàn)場工程師給我們帶來羅姆的最新產(chǎn)品和技術(shù)分享。

　　羅姆成立于1958年，最初是做電阻起家，其英文名ROHM就是由電阻的單詞Resistance的首字母R和電阻的單位歐姆（OHM）組合而成的。一直以來功率器件都是其最核心，也是最基礎(chǔ)的領(lǐng)域，在這次展會現(xiàn)場，功率器件也是羅姆展示的重要產(chǎn)品的一部分。

　　慕尼黑電子展現(xiàn)場的羅姆展臺

　　SiC技術(shù)夯實功率器件產(chǎn)品線

　　近年來，由于電動車和工控設(shè)備等的發(fā)展，對于高性能的功率器件日益增長，傳統(tǒng)的Si基器件已逐漸不符合新產(chǎn)品的性能需求，于是半導(dǎo)體廠商就將目光投向了性能更佳的SiC材料。作為功率器件領(lǐng)域的強者，羅姆無疑是當(dāng)中的先鋒。

　　根據(jù)羅姆展臺現(xiàn)場的工作人員介紹：“與Si半導(dǎo)體相比，SiC功率器件可進一步實現(xiàn)小型化、低功耗及高效化。它在高溫環(huán)境下具備優(yōu)良的工作特性，且開關(guān)損耗更低。尤其是這次帶來的全SiC功率模塊，性能更優(yōu)越?！?/p>

　　除了具備高速開關(guān)、高速恢復(fù)以外，羅姆的這些全SiC功率模塊還具備第開關(guān)損耗和消除寄生二極管通電導(dǎo)致的元件劣化問題。

　　從和現(xiàn)場的工作人員求證得知，這些內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC構(gòu)成的新型功率器件較之傳統(tǒng)的Si基IGBT，開關(guān)損耗大幅減少，將其最新的產(chǎn)品BSM300D12P2E001和傳統(tǒng)的IGBT對比可得出，這個損耗減少數(shù)值可以高達77%。

　　而在高速開關(guān)動作時，則可以實現(xiàn)低損耗，如在5kHZ時的開關(guān)損耗可以降低22%，而在30kHZ，這個數(shù)字可以去到60%。而這都是傳統(tǒng)的IGBT所不能達到的。

　　這系列產(chǎn)品也具有豐富的產(chǎn)品陣容，能夠滿足不同客戶的需求。

　　龐大的SiC功率器件產(chǎn)品陣容

　　除了全SiC功率模塊以外，羅姆還有各種各樣的SiC器件，例如SiC MOS管和SiC二極管，在展會現(xiàn)場，羅姆帶來了第二代SiC肖特基勢壘二極管，這一代產(chǎn)品不但具有業(yè)界最小級別的正向電壓（VF=1.35V）、快速回復(fù)特性和極低的開關(guān)損耗，能夠廣泛應(yīng)用在太陽能功率調(diào)節(jié)器、開關(guān)電源、EV/HEV逆變器和充電器上面。

　　由于SiC產(chǎn)品在性能上遙遙領(lǐng)先傳統(tǒng)的Si產(chǎn)品，成本自然而然就成為了消費者和制造商關(guān)注的問題。在問到這個的時候，羅姆的工作人員透露：“SiC二極管價格則是Si二極管的2到3倍；SiC MOS管則是Si MOS管的3到5倍；SiC模組的價格更是比IGBT貴5倍開外。”

　　考慮到SiC產(chǎn)品可以高達100kHZ以上的高頻特性和其他優(yōu)點，加上開發(fā)難度和成本原因，這點溢價相信會被制造商所接受。