近日，第十一屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)暨2017中國(guó)半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在西安順利舉行，深圳基本半導(dǎo)體有限公司作為支持單位參與了本次論壇。

　　活動(dòng)由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦，邀請(qǐng)全國(guó)幾十所高校、科研院所及企業(yè)的數(shù)百名行業(yè)人士參與，基本涵蓋產(chǎn)、學(xué)、研、用的眾多機(jī)構(gòu)和企業(yè)代表。通過(guò)主題演講和學(xué)術(shù)報(bào)告的形式，嘉賓們分享并探討碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、石墨烯等各類(lèi)半導(dǎo)體新材料、功率器件、封裝工藝的最新技術(shù)和研究成果。碳化硅是目前非常熱門(mén)的第三代半導(dǎo)體材料，在本次活動(dòng)上相關(guān)主題分享達(dá)到十多場(chǎng)，其火爆程度可見(jiàn)一斑。

　　基本半導(dǎo)體此次攜最新研發(fā)的碳化硅功率器件亮相高峰論壇，其中包括各電流電壓等級(jí)的碳化硅JBS二極管、1200V MOSFET、10kV PiN二極管等產(chǎn)品，吸引眾多行業(yè)人士駐足交流?；景雽?dǎo)體1200V、1700V JBS二極管采用特有的嵌入式結(jié)構(gòu)，反向漏電流比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)低3個(gè)數(shù)量級(jí)，更利于高溫（250℃）環(huán)境下工作，抗浪涌電流能力強(qiáng)；公司推出的MOSFET采用高質(zhì)量柵氧工藝，導(dǎo)通電阻闕值電壓與國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品參數(shù)相當(dāng)；10kV PiN二極管憑借自身高質(zhì)量外延技術(shù)，良率達(dá)到75%以上，公司自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)了對(duì)應(yīng)的高壓封裝結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

　　碳化硅器件可廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、新能源汽車(chē)、家用電器、節(jié)能環(huán)保、軌道交通、醫(yī)療設(shè)備、智能電網(wǎng)、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。2016年美國(guó)福特電動(dòng)汽車(chē)搭載碳化硅MOSFET器件，在城市和高速上實(shí)測(cè)相比硅IGBT損耗降低超過(guò)77%；美國(guó)新一代航空母艦中，變壓器由傳統(tǒng)的磁結(jié)構(gòu)改為碳化硅器件的電力電子變壓器，重量從6噸減少到1.7噸，體積從10立方米減少到2.7立方米，碳化硅器件性能優(yōu)越優(yōu)勢(shì)顯著。

　　我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料研究上一直緊跟世界前沿，是世界上為數(shù)不多的碳化硅材料襯底、外延產(chǎn)業(yè)化的國(guó)家，但是在碳化硅器件設(shè)計(jì)和制造工藝方面整體實(shí)力較弱。基本半導(dǎo)體引進(jìn)國(guó)外領(lǐng)先技術(shù)，對(duì)碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等各方面進(jìn)行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，全方位覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)，依靠技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)碳化硅器件的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

　　有國(guó)家政策扶持和市場(chǎng)強(qiáng)勁需求雙重利好加身，中國(guó)碳化硅行業(yè)蓄勢(shì)待發(fā)，迎來(lái)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的春天。