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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

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SiC功率模塊和SiC MOSFET單管不同的散熱安裝形式

在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下,WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物,并在
2022-07-29 14:09:53807

SiC功率器件和模塊!

在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型(晶體多晶型),并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件,4H-SiC被認(rèn)為是理想的,其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373

碳化硅(SiC功率器件發(fā)展現(xiàn)狀

近年來(lái),SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能,這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè),到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元,其主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車領(lǐng)域,特別是
2019-07-05 11:56:2833343

ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件,還積極推動(dòng)Si功率元器件和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
2021-07-08 16:31:581605

同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候,常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361220

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

一樣,商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中,并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景?! √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET:經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外,幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅(SiC)MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17

SiC SBD的器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

通過(guò)電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗?! ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET體二極管特性

SiC-MOSFET-溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC(碳化硅)?何謂碳化硅SiC功率元器件開發(fā)背景優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD-特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)

采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)(導(dǎo)通電阻變低,則開關(guān)速度變慢),就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞?b class="flag-6" style="color: red">器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同,不存在開啟電壓,所以
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

功率元器件開發(fā)背景優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD-特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD-與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD-與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39

SiC功率元器件開發(fā)背景優(yōu)點(diǎn)

前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)(導(dǎo)通電阻變低,則開關(guān)速度變慢),就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞?b class="flag-6" style="color: red">器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同,不存在開啟電壓,所以
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件概述

,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件的封裝技術(shù)研究

  具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與Si相比,它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04

SiC功率模塊的特征與電路構(gòu)成

)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09

SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?

與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢(shì)?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些?
2021-07-12 08:07:35

SiC寬帶功率放大器有什么設(shè)計(jì)方法?

擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定以及抗輻射等優(yōu)點(diǎn), 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用寬禁帶半導(dǎo)體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達(dá)、電子對(duì)抗系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)等
2019-08-12 06:59:10

SiC肖特基勢(shì)壘二極管更新?lián)Q代步履不停

。我們就SCS3系列的特點(diǎn)、應(yīng)用范圍展望等,采訪了負(fù)責(zé)開發(fā)的ROHM株式會(huì)社 功率元器件制造部 千賀 景先生。-今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產(chǎn)品。后面我會(huì)問到第三代SiC-SBD的特點(diǎn)
2018-12-03 15:12:02

功率元器件

與Si的比較開發(fā)背景SiC優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47

功率驅(qū)動(dòng)自舉元器件

本帖最后由 chenyuchenyucy 于 2018-11-16 12:45 編輯 功率驅(qū)動(dòng)自舉元器件
2017-09-30 09:33:44

ROHM功率元器件助力物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)設(shè)備

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-04-12 05:03:38

ROHM功率元器件讓"工業(yè)設(shè)備"更節(jié)能

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-07-11 04:17:44

ROHM功率元器件讓"工業(yè)設(shè)備"更節(jié)能

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-07-15 04:20:14

ROHM最新功率元器件產(chǎn)品介紹

實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無(wú)法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體(SiC半導(dǎo)體)的量產(chǎn)。另外,在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品,并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過(guò)程中,ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色,使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13

ROHM的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所集團(tuán)旗下企業(yè) Murata Power Solutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊

。特別是對(duì)于負(fù)責(zé)進(jìn)行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言,其服務(wù)器的小型化和效率提升已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下,SiC功率器件因其有助于實(shí)現(xiàn)電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.
2023-03-02 14:24:46

Si功率元器件前言

半導(dǎo)體相比,損耗更低,高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異,有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅(SiC功率元器件”。提及功率元器件,人們當(dāng)然關(guān)注SiC之類的新材料,但是,目前占有極大市場(chǎng)份額和應(yīng)用領(lǐng)域的Si功率
2018-11-28 14:34:33

功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

確實(shí)無(wú)法在21世紀(jì)單芯片化。羅姆積極致力于走在22世紀(jì)前端的一體化封裝電源的開發(fā),敬請(qǐng)期待未來(lái)羅姆具有前瞻性的的產(chǎn)品陣容?! 《诹_姆提出的四大發(fā)展戰(zhàn)略中,其中之一便是“強(qiáng)化以SiC為核心的功率元器件
2018-09-26 09:44:59

【直播邀請(qǐng)】羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用

本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯 親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè),自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】SiC MOSFET元器件性能研究

項(xiàng)目名稱:SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn),熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用,掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型

項(xiàng)目名稱:全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗(yàn),曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng),通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34

什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件?

元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

SiC功率模塊介紹

從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04

SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

%的小型化與4kg的輕量化,與未使用SiC功率元器件的第2賽季逆變器相比,實(shí)現(xiàn)了43%的小型化和6kg的輕量化。此次文圖瑞Formula E車隊(duì)賽車逆變器所搭載的全SiC功率模塊,采用了ROHM獨(dú)有
2018-12-04 10:24:29

SiC功率模塊的開關(guān)損耗

SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30

反激式轉(zhuǎn)換器與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合顯著提高效率

ROHM一直專注于功率元器件開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25

功率的電子元器件有哪些

全國(guó)電子設(shè)計(jì)比賽要到了,不知道要備些哪些芯片,不管賽題類型。大功率的電子元器件怎么理解?大功率的電子元器件有哪些?
2015-06-03 18:13:47

開關(guān)損耗更低,頻率更高,應(yīng)用設(shè)備體積更小的全SiC功率模塊

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18

有效實(shí)施更長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車用SiC功率器件

雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45

未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件

崛起。④SiC功率元器件開發(fā)背景優(yōu)點(diǎn)SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率元器件上,實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無(wú)法
2017-07-22 14:12:43

淺析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05

淺析SiC功率器件SiC SBD

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

的一種最具有優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22

羅姆在功率元器件領(lǐng)域的發(fā)展與變革

之間電壓被多次轉(zhuǎn)換,每次轉(zhuǎn)換都會(huì)發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零,就可以大幅消減CO2排放量。雖然不能完全達(dá)到零,但為了接近零,羅姆日以繼夜在進(jìn)行反復(fù)的研究和開發(fā)。羅姆認(rèn)為通過(guò)這些研發(fā)結(jié)果降低損耗、減少CO2排放,可以提高羅姆的企業(yè)存在價(jià)值。
2019-06-21 07:20:58

羅姆在功率元器件領(lǐng)域的探索與發(fā)展

(SiC) 注2和GaN注3這類寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體注4的功率元器件。WBG材料的最大特點(diǎn)如表1所示,其絕緣擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高。只要利用這個(gè)性質(zhì),就可提高與Si元件相同結(jié)構(gòu)時(shí)的耐壓性能。只要實(shí)現(xiàn)有耐壓余量
2019-07-08 06:09:02

羅姆在功率電子元器件范圍的展開

電壓、電流供應(yīng)電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需方式供應(yīng)電力”的范圍中,半導(dǎo)體也發(fā)揚(yáng)著重要的作用,從“處置電力(功率)”的含義動(dòng)身,其中心半導(dǎo)體部件被稱為功率元器件功率半導(dǎo)體?!   ≡?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件
2012-11-26 16:05:09

請(qǐng)問大功率的電子元器件有哪些

功率的電子元器件怎么理解?大功率的電子元器件有哪些?
2019-02-15 06:36:33

SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)

SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)   具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與S
2009-11-19 08:48:432355

德國(guó)英飛凌專家:功率元器件市場(chǎng)將會(huì)增長(zhǎng)

隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高,功率元器件市場(chǎng)在不斷增長(zhǎng)。而且,為了進(jìn)一步減少電力損失,以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動(dòng)向也日益活躍。日前,記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件
2012-10-22 11:10:361024

針對(duì)惡劣環(huán)境應(yīng)用的SiC功率器件

引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444

SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景

本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899

介紹 SiC功率元器件

使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775

SiC器件SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257

采用SiC材料元器件的特性結(jié)構(gòu)介紹

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115

一文解析SiC功率器件在充電樁電源模塊中的應(yīng)用

隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799

SiC功率器件加速充電樁市場(chǎng)發(fā)展

隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774

行業(yè) | 全SiC模塊正在加速,SiC功率器件走向繁榮

安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一,在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206

新基建加速SiC功率器件規(guī)?;瘧?yīng)用

SiC功率器件作為一種新型功率器件,在新能源汽車的應(yīng)用中具有極大優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉,SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,能夠極大地提升現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率。新能源汽車
2020-08-26 09:56:32653

ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻

ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754

電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)—SiC,您真的了解嗎?

前言 在Tech Web的“基礎(chǔ)知識(shí)”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來(lái),使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是
2022-12-01 18:08:391964

威世推出新型功率器件縮小磁性元器件尺寸

功率器件企業(yè)、磁性元器件企業(yè)針對(duì)這些市場(chǎng),開發(fā)出性能更優(yōu)的產(chǎn)品滿足這些市場(chǎng)的需求。 今年10月,磁性元器件大廠威世(Vishay)公司推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)---SiZ240DT,可用來(lái)提高白色家電、醫(yī)療、通信應(yīng)用以及工業(yè)的功率
2021-07-11 16:46:231167

SiC功率器件和GaN功率、射頻器件介紹

,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢(TrendForce)指出,因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升,預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6100萬(wàn)美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率領(lǐng)域營(yíng)收
2021-05-03 16:18:0010175

SiC功率器件模塊應(yīng)用筆記

的 3 倍,而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制,所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC,現(xiàn)在 4inch~6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957

羅姆半導(dǎo)體開發(fā)出新型碳化硅功率元器件第4代SiC MOSFET

功率元器件——第4代SiC MOSFET。 羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET,是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品,目前不僅可供應(yīng)裸芯片,還可供應(yīng)分立封裝的產(chǎn)品。該產(chǎn)品有助于實(shí)現(xiàn)車載逆變器和各種開關(guān)電源
2022-03-19 11:12:212089

SiC技術(shù)優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及應(yīng)用層面的一些瓶頸

隨著電力電子變換系統(tǒng)對(duì)于效率和體積提出更高的要求,SiC(碳化硅)將會(huì)是越來(lái)越合適的半導(dǎo)體器件。尤其針對(duì)光伏逆變器和UPS應(yīng)用,SiC器件是實(shí)現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。本文主要介紹SiC技術(shù)優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及目前應(yīng)用層面的一些瓶頸。
2022-05-09 15:50:175

SiC功率元器件在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用

了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。SiC元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗,從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。
2022-06-15 16:00:341368

非 CMOS 兼容的 SiC 功率器件在體硅晶圓廠中的制造

碳化硅器件正在幾個(gè)大容量功率應(yīng)用中取代其現(xiàn)有的硅對(duì)應(yīng)物。隨著 SiC 市場(chǎng)份額的持續(xù)增長(zhǎng),該行業(yè)正在消除大規(guī)模商業(yè)化的最后一道障礙,包括高于 Si 器件的成本、相對(duì)缺乏晶圓平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471

SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)!

介紹碳化硅功率二極管,包括碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)、碳化硅PiN二極管(PiN),碳化硅結(jié)/肖特基二極管(JBS),然后介紹碳化硅聚碳場(chǎng)效應(yīng)管、DMOSFET和幾種MESFET,第三部分是關(guān)于碳化硅雙極器件,如BJT和IGBT。最后,討論了SiC功率器件開發(fā)過(guò)程中的挑戰(zhàn),特別是其材料生長(zhǎng)和封裝。
2022-11-04 09:56:01564

SiC功率器件的發(fā)展及技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289

SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望!

碳化硅(SiC功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)?;仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀!

近年來(lái),SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善,已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685

非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件

非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件
2023-02-08 13:43:24355

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696

碳化硅與碳化硅(SiC功率器件

的FBSOA。SiC可以用來(lái)制造射頻和微波功率器件,各種高頻整流器,MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597

Yole:SiC 器件將占領(lǐng) 30% 的功率器件市場(chǎng)

根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測(cè),在未來(lái) 5 年內(nèi),SiC 功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場(chǎng)的 30%,SiC 行業(yè)(從襯底到模塊,包括器件)的增長(zhǎng)率非常高。在Yole看來(lái),到 2027 年,該行
2023-02-20 17:05:161106

SiC功率元器件開發(fā)背景優(yōu)點(diǎn)

前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346

SiC-SBD特征以及與Si二極管的比較

SiC功率元器件的概述之后,將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品,都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議

SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”)簽署
2023-06-20 16:14:54139

新聞 | 羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議

”)簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議,雙方在2024年至2030年間的交易額將超過(guò)1300億日元。 之所以能達(dá)成此次合作,是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”,并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作,開展了適用于電動(dòng)汽車的
2023-06-21 08:10:02287

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢?

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-03 14:34:59347

一文看懂SiC功率器件

范圍內(nèi)控制必要的p型、n型,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:55300

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687

三菱電機(jī)將投資Coherent的SiC業(yè)務(wù) 發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)

三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù); 旨在通過(guò)與Coherent的縱向合作來(lái)發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年10月10日)宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議,將SiC
2023-10-18 19:17:17368

車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419

smt元器件有哪些優(yōu)點(diǎn)

smt元器件有哪些優(yōu)點(diǎn)
2023-12-25 10:11:16271

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107

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