RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiC功率元器件在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2022-06-15 16:00 ? 次閱讀

與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。并且SiC讓設(shè)計人員能夠減少元件的使用,從而進(jìn)一步降低了設(shè)計的復(fù)雜程度。SiC元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗,從而有助于設(shè)計出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。

羅姆在SiC功率元器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位,這些器件和模塊在許多行業(yè)的應(yīng)用中都實現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。

此次,作為社會貢獻(xiàn)事業(yè)的一部分,羅姆向日本京都府捐贈了基于優(yōu)勢領(lǐng)域“功率半導(dǎo)體技術(shù)”相關(guān)的研究設(shè)備。SiC功率元器件,不僅在電動汽車領(lǐng)域,在能源管理和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域也已作為推動“節(jié)能和小型化”的“王牌”被寄予厚望。同時將觸角延伸到醫(yī)療領(lǐng)域的一大步即將從這里邁出。

工程師們一定迫不及待的想要獲取關(guān)于羅姆SiC功率元器件的更多信息了,在本次羅姆為大家準(zhǔn)備的白皮書中,展示了在實現(xiàn)電源產(chǎn)品的更小型、更低功耗、更高效方面,碳化硅(SiC)所表現(xiàn)出潛力巨大的基本物理特性以及用作二極管、晶體管的使用方法和應(yīng)用例。

原文標(biāo)題:視頻 | 功率半導(dǎo)體對新一代癌癥治療方法研究的貢獻(xiàn)

文章出處:【微信公眾號:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2804

    瀏覽量

    62607
  • 羅姆
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    408

    瀏覽量

    66327
  • 功率元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    42

    瀏覽量

    14681

原文標(biāo)題:視頻 | 功率半導(dǎo)體對新一代癌癥治療方法研究的貢獻(xiàn)

文章出處:【微信號:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán),微信公眾號:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?254次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特點和優(yōu)勢

    功率器件多次循環(huán)雙脈沖測試中的應(yīng)用

    隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對功率
    的頭像 發(fā)表于 11-26 10:58 ?212次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>在</b>多次循環(huán)雙脈沖測試中的應(yīng)用

    碳化硅功率器件能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?205次閱讀

    SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

    汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的
    的頭像 發(fā)表于 10-16 11:36 ?295次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?656次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢和應(yīng)用<b class='flag-5'>領(lǐng)域</b>

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?497次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用

    羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

    近日,全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者羅姆半導(dǎo)體公司與中國汽車行業(yè)的重要綜合性供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子有限公司(UAES)正式簽署了SiC功率元器件的長期供貨協(xié)議。這一合作標(biāo)志著雙方自2015年建立技
    的頭像 發(fā)表于 09-10 16:11 ?358次閱讀

    SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

    SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:19 ?1522次閱讀

    什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?

    SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:15 ?1608次閱讀

    SiC器件電源中的應(yīng)用

    SiC(碳化硅)器件電源中的應(yīng)用日益廣泛,其獨特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC
    的頭像 發(fā)表于 08-19 18:26 ?833次閱讀

    全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

    SiC功率器件市場正處于快速增長階段,特別是汽車電動化趨勢的推動下,其市場規(guī)模預(yù)計將持續(xù)擴大。 根據(jù)Yole Group的報告,汽車行業(yè)對Si
    發(fā)表于 04-07 11:20 ?797次閱讀
    全面的<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>行業(yè)概覽

    一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

    和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給
    發(fā)表于 03-07 14:28 ?1406次閱讀
    一文解析<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>互連技術(shù)

    碳化硅(SiC功率器件新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

    采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗,無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC
    發(fā)表于 03-04 10:35 ?1784次閱讀
    碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>在</b>新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

    SiC功率元器件特征有哪些

    碳化硅(SiC功率元器件是一種半導(dǎo)體器件,具有許多獨特的特性,使其高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是
    的頭像 發(fā)表于 02-04 16:25 ?750次閱讀

    同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:11 ?3666次閱讀
    RM新时代网站-首页