RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

什么是SiC功率器件?它有哪些應用?

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-09-10 15:15 ? 次閱讀

SiC功率器件概述

SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學特性,如高絕緣擊穿場強度、寬禁帶、高熱導率等,在電力電子領域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應用前景。

SiC材料的特性

SiC材料由硅(Si)和碳(C)構成,是一種化合物半導體材料。其絕緣擊穿場強度是硅的10倍,禁帶寬度是硅的3倍。這些特性使得SiC成為制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料。具體來說,SiC的擊穿電場強度使得它能夠在更薄的漂移層和更高的雜質濃度下配置更高電壓的功率器件;而寬禁帶則允許功率器件在更高的溫度下工作,從而大大擴展了其應用范圍。

SiC功率器件的主要類型

SiC功率器件主要包括SiC MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和SiC SBD(肖特基勢壘二極管)等。這些器件利用SiC材料的特性,實現(xiàn)了高功率密度、高效率和高溫工作,從而在電力電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。

  1. SiC MOSFET
    • 工作原理 :SiC MOSFET的工作原理主要涉及加載和關斷、控制以及整流等過程。在導電狀態(tài)下,通過施加正向偏壓,使得漏極和源極之間建立正向電場。當施加的電壓大于門源極電壓閾值時,導電通道打開,電流通過。通過施加在柵層上的電壓來控制通道的導電性,正向電壓將使通道導電,而負向電壓或零電壓將使通道關閉。
    • 特性與優(yōu)勢 :SiC MOSFET具有低導通電阻、高耐壓、高速開關和低開關損耗等特性。相比傳統(tǒng)的硅MOSFET,SiC MOSFET能夠在更高的溫度和電壓下工作,且導通電阻更低,從而提高了能量轉換效率。此外,SiC MOSFET還具有較低的柵極電荷和電容,使得其更適用于高頻開關應用。
  2. SiC SBD
    • 工作原理 :SiC SBD是一種利用肖特基勢壘效應的整流二極管。當施加正向偏壓時,金屬電極和碳化硅之間的電子流被阻礙,形成勢壘;當施加反向電壓時,勢壘增加,電子更難通過。這種二極管具有較低的反向漏電流和較高的開關速度。
    • 特性與優(yōu)勢 :SiC SBD具有高耐壓、低導通壓降和快速恢復等特性。其耐壓能力可達600V以上,且反向恢復時間極短,從而顯著降低了反向恢復損耗。此外,SiC SBD還具有良好的溫度穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,適用于高溫工作環(huán)境。

SiC功率器件的應用

SiC功率器件因其優(yōu)異的性能特點,在多個領域得到了廣泛應用。以下是一些主要的應用領域:

1. 電動汽車

電動汽車是SiC功率器件的主要應用領域之一。在電動汽車中,SiC功率器件被廣泛應用于電機驅動系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)和充電系統(tǒng)等關鍵部件中。具體來說:

  • 電機驅動系統(tǒng) :SiC MOSFET和SiC SBD等功率器件可用于電機驅動系統(tǒng)中的逆變器和整流器等部件,以提高電機驅動系統(tǒng)的效率和可靠性。相比傳統(tǒng)的硅功率器件,SiC功率器件能夠在更高的電壓和電流下工作,且開關損耗更低,從而提高了電機的運行效率和續(xù)航能力。
  • 電池管理系統(tǒng) :SiC功率器件可用于電池管理系統(tǒng)中的預充電路和保護電路等部件,以確保電池的安全和穩(wěn)定運行。通過快速響應和精確控制,SiC功率器件能夠有效地防止電池過充、過放和短路等故障的發(fā)生。
  • 充電系統(tǒng) :SiC功率器件在電動汽車充電系統(tǒng)中也發(fā)揮著重要作用。它們可用于充電樁的整流器和逆變器等部件中,以提高充電速度和充電效率。SiC功率器件的快速開關能力和低導通電阻使得充電系統(tǒng)能夠在更短的時間內完成充電過程,從而提高了用戶的充電體驗。

2. 光伏發(fā)電

在光伏發(fā)電領域,SiC功率器件被用于逆變器和光伏控制器等關鍵部件中。逆變器是光伏發(fā)電系統(tǒng)中的核心部件之一,負責將光伏電池板產生的直流電轉換為交流電以供電網使用。SiC功率器件因其高耐壓、低導通電阻和高速開關等特性,在逆變器中得到了廣泛應用。它們能夠提高逆變器的轉換效率和可靠性,降低損耗和成本,從而推動光伏發(fā)電產業(yè)的發(fā)展。

3. 智能電網

智能電網是電力系統(tǒng)的發(fā)展方向之一。在智能電網中,SiC功率器件被用于電力電子變壓器、靜止無功補償器(SVG)和高壓直流輸電(HVDC)等關鍵設備中。這些設備需要具有高效率、高可靠性和快速響應等特性,以應對復雜的電網環(huán)境和多變的需求。SiC功率器件以其優(yōu)異的性能特點,在智能電網中發(fā)揮著重要作用。它們能夠提高設備的效率和可靠性,降低損耗和成本,推動智能電網的建設和發(fā)展。

4. 軌道交通

在軌道交通領域,SiC功率器件被用于牽引系統(tǒng)和輔助電源等關鍵部件中。牽引系統(tǒng)是軌道交通車輛的核心部件之一,負責提供車輛運行所需的動力。SiC功率器件因其高耐壓、低導通電阻和高速開關等特性,在牽引系統(tǒng)中得到了廣泛應用。它們能夠提高牽引系統(tǒng)的效率和可靠性,降低損耗和成本,從而提高軌道交通的運行效率和安全性。

5. 其他領域

除了上述領域外,SiC功率器件還廣泛應用于通信雷達、航空航天、工業(yè)控制等多個領域。在通信雷達領域,SiC功率器件可用于發(fā)射機和接收機等部件中,以提高通信質量和傳輸距離;在航空航天領域,SiC功率器件可用于電源系統(tǒng)和電機驅動系統(tǒng)中,以確保航空航天器的安全和可靠運行;在工業(yè)控制領域,SiC功率器件可用于變頻器、伺服驅動器PLC等部件中,以提高工業(yè)設備的自動化水平和運行效率。

結論與展望

SiC功率器件作為第三代半導體材料的重要應用之一,在電力電子領域展現(xiàn)出了巨大的潛力和廣泛的應用前景。其高耐壓、低導通電阻、高速開關和低開關損耗等特性使得它在電動汽車、光伏發(fā)電、智能電網、軌道交通等多個領域得到了廣泛應用。隨著制造工藝的不斷進步和應用領域的不斷拓展,SiC功率器件必將在更多領域發(fā)揮其獨特的作用并推動整個行業(yè)的持續(xù)發(fā)展和進步。未來,隨著8英寸SiC晶圓等新型產品的量產和推廣,SiC功率器件的成本將進一步降低,性能將進一步提升,其應用領域也將更加廣泛和深入。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率器件
    +關注

    關注

    41

    文章

    1758

    瀏覽量

    90416
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2804

    瀏覽量

    62606
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2748

    瀏覽量

    49017
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    SiC功率器件和模塊!

    在很寬的范圍內實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型(晶體多晶型),并且
    發(fā)表于 11-22 09:59 ?1776次閱讀

    未來發(fā)展導向之Sic功率器件

    `①未來發(fā)展導向之Sic功率器件功率器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活,以大
    發(fā)表于 07-22 14:12

    SiC功率器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

    前面對SiC的物理特性和SiC功率器件的特征進行了介紹。SiC功率
    發(fā)表于 11-29 14:35

    SiC功率器件概述

    )工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路
    發(fā)表于 05-06 09:15

    淺析SiC功率器件SiC SBD

    1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流
    發(fā)表于 05-07 06:21

    SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

    電導率調制,向漂移層內注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時會產生尾電流,從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件
    發(fā)表于 05-07 06:21

    SiC功率器件概述

    ,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-
    發(fā)表于 07-23 04:20

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    SiC功率器件的封裝技術要點

    SiC功率器件的封裝技術要點   具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。Si
    發(fā)表于 11-19 08:48 ?2478次閱讀

    介紹 SiC功率器件

    使用SiC的新功率器件技術
    的頭像 發(fā)表于 06-26 17:56 ?6144次閱讀

    SiC器件SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

    SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。
    的頭像 發(fā)表于 07-15 11:05 ?1w次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>中<b class='flag-5'>SiC</b>材料的物性和特征,<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特征,<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET特征概述

    SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望!

    碳化硅(SiC功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?;仡櫫?b class='flag-5'>SiC功率器件
    發(fā)表于 11-11 11:06 ?1703次閱讀

    SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀!

    近年來,SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善,已經接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了
    發(fā)表于 11-24 10:05 ?2264次閱讀

    SiC功率器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

    SiC功率器件具有優(yōu)于Si功率器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對
    發(fā)表于 02-09 11:50 ?600次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>元<b class='flag-5'>器件</b>的開發(fā)背景和優(yōu)點

    SiC功率器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

    前面對SiC的物理特性和SiC功率器件的特征進行了介紹。SiC功率
    發(fā)表于 02-22 09:15 ?564次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>元<b class='flag-5'>器件</b>的開發(fā)背景和優(yōu)點
    RM新时代网站-首页