DFN0606 MOSFET：小封裝里的高效器件

對于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用中，尤其是可穿戴設(shè)備來說，準(zhǔn)則是更精簡、更高效。通過使用高效的開關(guān)選項，設(shè)計者可以擁有更多空間來嵌入功能，同時最大限度降低電池消耗。Nexperia新發(fā)布的小信號 MOSFET采用超小型DFN0606，擁有低導(dǎo)通電阻，能夠節(jié)省大量空間

新一代智能手機、智能手表/健身跟蹤器、耳塞和GPS跟蹤器繼續(xù)拓展著科技的邊界。當(dāng)然，它們都有一個共同點，空間有限，很難容納消費者想要的所有功能，并且還需要更長的電池續(xù)航能力。為了與可穿戴設(shè)備的新發(fā)明保持一致，設(shè)計者一直在努力尋找滿足每種功能的高效解決方案。

低導(dǎo)通電阻的超小型MOSFET

在一系列低電壓開關(guān)方面，小信號MOSFET是理想的選擇，Nexperia新推出的PMH系列20/30 V、N溝道和P溝道器件，在超小型DFN0606中處于領(lǐng)先地位。它們可在0.62 x 0.62 mm占位面積中實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。憑借這些器件中使用的先進工藝技術(shù)，Rdson方面可以輕松地在更大的封裝（DFN0806和DFN1006）中與許多器件競爭。

除了低導(dǎo)通電阻，它們還提供出色的ESD性能，并且僅需 0.7 V 的閾值電壓即可工作，這對于低驅(qū)動電壓的便攜式產(chǎn)品應(yīng)用至關(guān)重要。Nexperia的DFN0606產(chǎn)品組合也具有與DFN1006封裝相同的0.35 mm間距，簡化了設(shè)計和制造，同時具備高性能和空間優(yōu)勢。憑借我們大批量生產(chǎn)制造能力，可以快速擴產(chǎn)，盡可能滿足市場需求。

DFN0606超小型封裝

人氣舊款已經(jīng)煥然一新

除PMH系列之外，Nexperia還將發(fā)布采用DFN0606封裝的NX7002BK。這款超小型封裝久經(jīng)實踐證明60 V、N溝道Trench MOSFET，使設(shè)計人員可以選擇在各種占位空間和封裝形式中實現(xiàn)相同的性能。從引腳SOT23、SOT323和SOT363到分立式扁平無引腳DFN1010、DFN1006和DFN0606。

DFN0606 MOSFET概覽

封裝??							DFN0606-3
尺寸(mm)??							0.62 x 0.62 x 0.37
極性	VDS (V)	VGS (V)	VGSth 最小值 (V)	VGSth 最大值 (V)	ESD保護(kV)	導(dǎo)通電阻典型值(mΩ) (VGS = 4.5 V)	?
N	20	8	0.45	0.95	1.8	260	PMH260UNE
	20	8	0.45	0.95	1	470	PMH600UNE
	30	8	0.45	0.95	1.7	400	PMH400UNE
	30	8	0.45	0.95	2	550	PMH550UNE
	60	20	1.1	2.1	2	2100	NX7002BKH
P	20	8	0.45	0.95	1.8	550	PMH550UPE
	20	8	0.45	0.95	1	1000	PMH950UPE
	30	8	0.45	0.95	1.8	850	PMH850UPE
	30	10	0.45	0.95	2	?	?

審核編輯：郭婷

閱讀全文

MOSFET(209665) MOSFET(209665)
智能手機(176837) 智能手機(176837)
gps(164062) gps(164062)

Nexperia繼續(xù)擴充采用小型DFN封裝、配有側(cè)邊可濕焊盤的分立器件產(chǎn)品

奈梅亨，2022年4月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅固耐用，節(jié)省

2022-04-27 18:08:53

4051

Diodes發(fā)布DFN3020封裝分立式MOSFET

Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件

2011-05-13 08:44:56

928

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。

2020-04-23 11:05:58

799

Vishay推出首款采用Power DFN系列DFN3820A封裝的200 V FRED Pt? Ultrafast整流器

、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業(yè)、工業(yè)和車載應(yīng)用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產(chǎn)品都有

2023-06-26 15:19:16

373

AOS推出創(chuàng)新型雙面散熱 DFN 5x6 封裝

了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝?？蛻粝到y(tǒng)研發(fā)人員一直以來把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計的重要組件之一，幫助客戶實現(xiàn)各種高性能應(yīng)用

2024-01-25 15:18:42

617

16秒自動復(fù)位低功耗DFN封裝單鍵觸摸IC，通泰TTP233D-SB6

，智能穿戴，智能鎖觸摸按鍵等領(lǐng)域。品牌質(zhì)量，價格實惠，歡迎來電垂詢。產(chǎn)品概述：TTP233D-SB6是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電

2019-05-16 15:57:53

3.3V升5V1A小封裝升壓電源IC，玩具機器人、小風(fēng)扇專用升壓方案

廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬

2018-08-28 16:07:42

3.3V升5V升12V 1A小封裝電源芯片，替代SX1308

2018-08-06 18:16:28

3V升5V升9V升12V超小封裝同步升壓芯片SP1108

2018-07-27 09:58:22

5V升12V0.5A小封裝電源IC

2020-08-26 16:33:25

5V升9V0.5A小封裝電源管理芯片SP1108

產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

2021-10-26 15:56:58

DFN,QFN代工

DFN,QFN代工QQ67217217

2015-07-21 13:41:32

DFN-6封裝 10秒自動復(fù)位電容式單鍵觸摸IC

`產(chǎn)品概述：8223LC是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代

2018-11-07 16:14:17

DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護二極管

`SOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護二極管,應(yīng)用高速數(shù)據(jù)通信保護DC0521P15V雙向

2020-03-18 10:30:15

DFN2*2-6封裝電容式觸摸IC，10秒自動復(fù)位，絲印8323

產(chǎn)品概述：8323是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代

2018-08-31 11:18:27

DFN6單鍵觸摸IC（絲印8323），超小超薄封裝，成熟藍牙耳機專用方案

2018-08-31 11:14:25

DFN封裝單通道觸摸芯片8223LD ，10秒自動復(fù)位

`產(chǎn)品概述：8223LD是一款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片

2019-05-15 09:01:30

DFN封裝單鍵電容式觸摸檢測芯片，絲印8323F

產(chǎn)品概述：8323F是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為

2021-12-13 16:38:14

DFN封裝的1.8V雙路和四路運算放大器

凌特公司推出業(yè)界第一個采用纖巧 DFN 封裝的 1.8V 雙路和四路運算放大器 LT6001 和 LT6002。這些微功率器件的每個放大器僅消耗 1.3uA 電流，并具有卓越的性能。在 25oC

2018-11-26 16:18:13

DFN超薄超小封裝觸摸IC-絲印8323

`產(chǎn)品概述：8323是國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代

2019-07-23 09:11:37

mosfet是什么型器件

`　　誰來闡述一下mosfet是什么型器件？`

2019-10-25 16:06:28

mosfet是電壓型器件嗎

　　誰來闡述一下mosfet是電壓型器件嗎

2019-10-25 15:58:03

mosfet的TO220封裝上的鐵片接的是漏極嗎？為什么？

mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？

2015-10-25 20:56:23

封裝寄生電感對MOSFET性能的影響

、試驗器件IPZ65R019C7 最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時間，比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開關(guān)損耗降低，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實現(xiàn)了更高效率，如圖

2018-10-08 15:19:33

小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？

大功率TVS管和小功率TVS管是有應(yīng)用區(qū)別是什么？小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？

2022-01-14 07:09:46

Diodes直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器AP3405在全負載范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率

率?！　P3405提供一系列完善的保護功能，包括打嗝模式短路保護、欠壓閉鎖、超溫保護和過流保護，從而保護終端系統(tǒng)及器件本身?！　〔捎肬-DFN2020-8封裝的AP3405以一千個為出貨批量。

2018-10-09 10:59:43

OptiMOS 3功率MOSFET系列產(chǎn)品為高能效產(chǎn)品提供更高性能

的基礎(chǔ)。MOSFET設(shè)計的改進可使電路設(shè)計者充分發(fā)揮改進器件的性能，比如開關(guān)性能的提高和其他幾個關(guān)鍵參數(shù)的改善，可確保轉(zhuǎn)換器能夠更高效地運行。某些情況下，還可對設(shè)計的電路進行修改。若不采用這些改進

2018-12-07 10:21:41

ROHM 低柵極驅(qū)動電壓MOSFET

`羅姆低門驅(qū)動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動類型。這種廣泛的驅(qū)動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應(yīng)用。這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。各種大小

2021-02-02 09:55:16

SY7304DHC,高效33V，4A，1MHz升壓調(diào)節(jié)器

sY7304DHC,高效33V，4A，1MHz升壓調(diào)節(jié)器，矽力杰代理供應(yīng)。1. 一般描述特征：sy7304是效率高，電流模式控制升壓穩(wěn)壓器。該器件集成了一個高Ω RDS（ON）的N溝道MOSFET

2016-05-03 20:36:24

SiC MOSFET：經(jīng)濟高效且可靠的高功率解決方案

產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L

2019-07-30 15:15:17

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻?！　〔粌H能夠以小封裝實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小?！　J-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體

2019-04-09 04:58:00

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

2019-05-07 06:21:55

TTP原廠一級代理TTP233D-RB6，DFN封裝

，智能穿戴，智能鎖觸摸按鍵等領(lǐng)域。品牌質(zhì)量，價格實惠，歡迎來電垂詢。產(chǎn)品概述：TTP233D-RB6是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電

2019-07-18 09:06:03

XB6042超小封裝，電池反向保護

反向保護連接集成先進功率MOSFET相當(dāng)于44米′DS(ON)·Dfn1X1x0.37-4包·低過充釋放電壓·超溫保護·過充電流保護0.4A兩步過流檢測：-過充電流0.4A-負載短路·充電器檢測功能

2021-04-10 17:15:51

XB6091全網(wǎng)超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機二合一保護IC專用

`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴手機號碼：***QQ：1275294458XB6091全網(wǎng)超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機二合一保護IC專用XB6091ISC產(chǎn)品是一個高鋰的集成解決方案?離子

2019-05-05 19:42:04

XB6091鋰電保護超小封裝DFN1X1，最最最適合藍牙對耳超小封裝要求，

MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護·過度充電電流保護·兩步過電流檢測:過量放電電流負載短路·充電器檢測功能·0V電池充電功能-內(nèi)部生成延遲時間·高精度

2018-11-01 19:06:21

XB6091鋰電保護超小封裝DFN1X1，最最最適合藍牙對耳超小封裝要求，

長時間使用的信息設(shè)備?電池壽命。·電池反向保護連接·集成先進功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護·過度充電電流保護·兩步過電流檢測:過量

2019-08-29 09:13:50

XBL6042-SM超小封裝，支持船舶模式

和鋰聚合物電池供電的需要長時間電池壽命的信息家電。電池反向保護無外載連接·集成先進功率MOSFET相當(dāng)于44mΩrds(ON)·DFN1X1x0.37-4封裝·低過充電釋放

2021-05-12 17:48:35

共享一款小封裝92%高效率車充IC

電路應(yīng)用簡單、外圍器件少、超小封裝SOT23-6、大電流1A輸出、92%高效轉(zhuǎn)換。

2013-05-24 11:46:27

創(chuàng)新型MOSFET封裝：大大簡化您電源的設(shè)計

應(yīng)用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經(jīng)使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機會能夠把所用的空間再減少一點，以及提高功率密度。實現(xiàn)這個目的的辦法之一是用組合了兩個器件的封裝替代分立的單片MOSFET

2013-12-23 11:55:35

功率MOSFET的高效熱管理

功率MOSFET的高效熱管理

2019-02-03 21:16:30

加濕器MOS，霧化器MOS、美容儀MOS，小封裝SOT23-3

，大電流，小封裝MOS，實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管：100V 5A

2020-07-10 11:53:19

華泰推出DFN2*2小封裝觸摸IC-HT8323F

SOT23-6封裝(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封裝 產(chǎn)品應(yīng)用：◆ 智能穿戴◆ TWS藍牙耳機◆ 指紋鎖聯(lián)系人：洪武（銷售工程）手機：***Q Q: 2926372413

2020-07-08 08:54:04

可替代TI的保護IC，DFN小小小小封裝，

了先進的功率管，高精度電壓檢測和延遲電路。XB6166IS為DFN2x2-6的封裝形式，并且只需要一個外圍器件，非常適合用于空間有限的電池保護板應(yīng)用。XB6166IS具有過充保護，過放保護，過流保護

2019-09-05 11:28:39

對耳，雙耳藍牙耳機觸摸按鍵方案，絲印8323-DFN-6 2*2小封裝

2018-08-31 11:17:24

帶10秒自動復(fù)位小封裝DFN6觸摸IC方案，絲印8323

◆ DFN-6 2*2封裝單通道觸摸按鍵芯片8323現(xiàn)已經(jīng)批量出貨，大量庫存，歡迎選購！產(chǎn)品概述：8323是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給

2018-09-20 10:17:30

快速充電過壓充電保護器件TVS DFN1610 DFN2020P2E封裝

`快速充電過壓充電保護器件TVS DFN1610DFN2020P2E封裝DFN1610-2L封裝浪涌保護器件 DC0371P6 (Marking Code: 73)DC0571P6 (Marking

2019-09-24 09:16:59

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代

2012-12-06 14:32:55

熱銷DFN封裝觸摸IC，私印233DS，藍牙耳機專用

產(chǎn)品概述：233DS是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代傳統(tǒng)

2019-05-15 08:47:53

芯片上印有EADURT字樣，芯片很小封裝像SOP6

一個6腳芯片上印有EADURT字樣，芯片很小封裝像SOP6，除去引腳，大小就比0805的電阻大點。不知道是個什么芯片啊，好像是用在電源部分。

2014-10-14 09:35:15

藍牙耳機專用DFN封裝觸摸IC 8223LC 8323

產(chǎn)品概述：8223LC和8323是兩款款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸

2018-08-29 09:54:21

請問哪一個小封裝的單片機芯片帶ADC,DAC,UART?

哪一個小封裝的單片機芯片帶ADC,DAC,UART?

2023-06-25 06:19:41

賽芯微XBR6096小封裝低功耗

MOSFET，高精度電壓檢測電路和延遲電路。Xbr6096系列是放在一個超超。..小的Dfn2X2-6封裝和只有一個外部組件使其成為理想的解決在有限的空間的電池組。Xbr6096系列具有所有的保護功能電池

2021-05-12 16:59:37

車載吸塵器MOS DFN3333小封裝低內(nèi)阻原廠直銷HC3039D

車載吸塵器MOS DFN3333小封裝低內(nèi)阻原廠直銷東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)銷售高品質(zhì)價格有優(yōu)勢的低結(jié)電容、低內(nèi)阻MOS管。HC3039D中壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝

2020-06-08 15:02:21

采用3mm x 3mm DFN封裝的500kHz降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　北京 - 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT1912,該器件采用 3mm x 3mm DFN (或

2018-11-26 16:59:46

采用小型DFN封裝的的手機LED閃光燈驅(qū)動器解決方案

LTC3216采用小型DFN封裝的低噪聲高效電荷泵，以及4個0603電容和2個0402電阻。這款LXCL-PWF1 luxeon閃光燈驅(qū)動器非常小巧

2019-03-11 07:26:25

采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護二極管

`SOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護二極管,應(yīng)用高速數(shù)據(jù)通信保護DL0521P1雙向

2019-11-12 14:11:12

針對快充應(yīng)用設(shè)計3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET

本帖最后由一只耳朵怪于 2018-6-19 09:43 編輯針對快充應(yīng)用設(shè)計需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET

2018-06-15 17:28:34

降壓芯片XM5021、ETA3425、ETA3426，功耗小封裝小適用于智能手環(huán)、手表方案，搭配藍牙主控芯片

（1）XM5021功能特點：2.5V-5.5V降到1.V-3.3V，輸出電流0.2A，超低功耗0.29uA；搭配藍牙主控芯片；小封裝DFN2*2-8（2）ETA3425 功能特點：2.6V-7V降到

2021-09-28 19:08:31

板級應(yīng)用筆記的DFN和QFN封裝

No−Lead package (DFN/QFN). The DFN/QFN platform represents the latestin surface mount packaging technology, it is important that the des

2009-04-27 16:27:32

Altera器件高密度BGA封裝設(shè)計

Altera器件高密度BGA封裝設(shè)計:隨著可編程器件(PLD) 密度和I/O 引腳數(shù)量的增加，對小封裝和各種封裝形式的需求在不斷增長。球柵陣列(BGA) 封裝在器件內(nèi)部進行I/O 互聯(lián)，提

2009-06-16 22:39:53

FA-238/238V 超小封裝尺寸的SMD晶振

FA-238/238V 超小封裝尺寸的SMD晶振產(chǎn)品規(guī)格 ‧超小封裝尺寸

2010-01-08 16:41:22

2135

EPSON-FC-135 超小封裝尺寸的SMD(3.2X1.

EPSON-FC-135 超小封裝尺寸的SMD(3.2X1.5 X0.8mm) 產(chǎn)品規(guī)格 ‧超小封裝尺寸的SMD (3.2 × 1，5 × 0.8 mm) ‧標(biāo)準(zhǔn)時鐘頻率32.768KHZ. 產(chǎn)品

2010-01-08 16:42:20

2828

IR推出采用PQFN封裝技術(shù)的MOSFET硅器件

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電

2010-11-24 09:14:35

1506

Diodes推出超小型DFN1006-3封裝MOSFET

Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間

2011-05-31 09:31:18

3330

Diodes推出運行溫度低于大型封裝器件的MOSFET

Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線

2011-06-01 08:54:01

452

Diodes推出采用薄型DFN2020-6封裝MOSFET

Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器

2012-05-03 10:08:40

1838

Diodes新型MOSFET芯片高度減少50%

　　Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類

2012-05-04 11:34:53

926

AOS推出超薄DFN3X3封裝功率MOSFET

日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。

2012-05-28 11:30:24

2463

AK4183 小封裝觸摸屏控制器

AK4183 小封裝觸摸屏控制器

2012-06-05 15:03:43

1229

Diodes全新微型晶體管縮減40%占位面積

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。

2015-01-28 14:07:57

1385

Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負載開關(guān)損耗

Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別

2015-12-16 16:57:43

1160

Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并減小封裝電感

的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且，與無引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時，PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級的可靠性。

2016-07-18 16:19:59

1555

Diodes新款邏輯器件采微型封裝，大幅節(jié)省便攜產(chǎn)品空間

關(guān)鍵詞：邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位

2018-09-23 12:38:02

221

采用ATPAK封裝功率MOSFET在開關(guān)器件設(shè)計中的應(yīng)用

視頻簡介：目前，市場對低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿

2019-03-06 06:05:00

3591

功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？

的功率MOSFET管腳直接插到根部，高度的限制不能使用TO247的封裝。有些超薄設(shè)計直接將器件管腳折彎平放，這種設(shè)計生產(chǎn)工序會變復(fù)雜。

2020-01-28 15:17:00

6671

DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中，以在緊湊狹小的空間提供準(zhǔn)確的電流限制和負載電流監(jiān)視

DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中，以在緊湊狹小的空間提供準(zhǔn)確的電流限制和負載電流監(jiān)視

2021-03-18 21:25:58

采用 3mm x 3mm DFN 封裝的 500mA 低噪聲、高效率雙模式充電泵

采用 3mm x 3mm DFN 封裝的 500mA 低噪聲、高效率雙模式充電泵

2021-03-18 23:01:30

DFN-2L封裝ESD二極管型號介紹

DFN封裝，相對來說，是一種比較新的表面貼裝封裝工藝。在ESD二極管產(chǎn)品中，DFN封裝很常見，具體封裝有：DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN

2021-08-16 17:12:35

2684

SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝是什么

ZLG致遠電子新推出的電源隔離芯片采用成熟的SiP工藝與DFN封裝，相比傳統(tǒng)SIP封裝體積縮小75%，性能和生產(chǎn)效能也有所提升。本文為大家分享傳統(tǒng)SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝有何區(qū)別

2021-09-22 15:12:53

7172

Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求奈梅亨，2022年7月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用

2022-07-06 16:13:22

586

PRISEMI芯導(dǎo)低電容小封裝成為ESD保護器件未來發(fā)展趨勢

PRISEMI芯導(dǎo)低電容、小封裝成為ESD保護器件未來發(fā)展趨勢

2022-07-20 17:12:42

1052

使用微型MOSFET實現(xiàn)高效的開/關(guān)開關(guān)

　　雖然尺寸至關(guān)重要，但在許多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正優(yōu)勢在于其RDSon。提供額定 VGS 為 4.5 V 的選項，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些

2023-02-03 10:39:55

298

DFN封裝如何在提供熱性能的同時減小器件尺寸

盡管DFN封裝的尺寸非常緊湊，但它具有出色的功耗能力。然而，使用具有低熱阻和足夠?qū)嵝缘?PCB 是強制性的，以允許適當(dāng)?shù)臋M向散熱.圖2中的紅外圖片顯示了高功率密度，顯示了SOT23

2023-02-08 09:45:38

1926

DFN 封裝的熱性能-AN90023_ZH

DFN 封裝的熱性能-AN90023_ZH

2023-02-16 21:17:48

DFN 封裝的熱性能-AN90023

DFN 封裝的熱性能-AN90023

2023-02-17 19:10:10

N0606N 數(shù)據(jù)表

2023-03-14 19:34:26

威世汽車級Power DFN系列整流器介紹

Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進的薄型可潤濕側(cè)翼 DFN3820A 封裝器件。

2023-04-28 09:09:53

390

中微愛芯小封裝邏輯芯片節(jié)省PCB空間

隨著新一代5G網(wǎng)絡(luò)、IoT物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和AI人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，小型化已成為筆電服務(wù)器、智能穿戴、智能家居等各種電子產(chǎn)品最重要的發(fā)展趨勢之一。中微愛芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片，可最大程度地減少外部元器件尺寸，節(jié)省PCB的寶貴空間。

2023-05-31 09:34:23

642