奈梅亨，2022年4月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無(wú)引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅(jiān)固耐用，節(jié)省
2022-04-27 18:08:53
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奈梅亨，2022年5月12日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60
2022-05-12 10:20:495112 
DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空間受限的應(yīng)用中節(jié)省電力并簡(jiǎn)化散熱管理 ? 奈梅亨，2022年7月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出
2022-07-27 10:14:36526 
Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件
2011-05-13 08:44:56928 多年來(lái)，功率MOSFET一直是高功率應(yīng)用的支柱，能夠可靠地提供大電流。然而，隨著功率應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)步，需要極高水平的電流。這些應(yīng)用已達(dá)到功率水平要求，而一個(gè)MOSFET的實(shí)現(xiàn)已不再足夠，這迫使設(shè)計(jì)人
2021-03-12 11:29:324652 假定我們?cè)O(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮到結(jié)到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實(shí)際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可靠運(yùn)行。假定MOSFET的結(jié)到外殼的熱阻為3K/W，那么我們?nèi)绾未_定所需的最小散熱器尺寸呢？
2022-05-20 10:06:086324 
Fig. 2標(biāo)出了我們所關(guān)注的MOSFET器件的幾何尺寸，包括溝道的有效長(zhǎng)度L_eff（導(dǎo)體的長(zhǎng)度L_drawn略大于L_eff），溝道的寬度W，絕緣層的厚度t_ox，這些參數(shù)主要影響溝道兩側(cè)的電容和溝道的電阻，從而影響著電壓電流的關(guān)系，后面的表達(dá)式會(huì)用到這些尺寸。
2023-02-16 11:35:281560 
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過(guò)36%的空間。
2020-04-23 11:05:58799 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451216 采用DFN2020D-6 （SOT1118D）封裝，能有效節(jié)省空間。
2020-10-12 11:20:34752 Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電（PoE）應(yīng)用提供ASFET系列。
2020-10-23 09:38:13881 Nexperia今日宣布，位于英國(guó)曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:57701 Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并降低在設(shè)計(jì)過(guò)程后期發(fā)現(xiàn)EMC問(wèn)題的風(fēng)險(xiǎn)。
2021-08-30 09:47:281500 
Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩(wěn)壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼（SMD）封裝選項(xiàng)，采用超小型分立式扁平無(wú)引腳（DFN）封裝以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件。
2022-01-27 10:40:402669 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。
2022-03-24 09:31:461418 
? RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計(jì)算應(yīng)用 ? 奈梅亨， 2023 年 3 月 22 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80
2023-03-22 09:11:33422 
) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
`315433MHZ超小尺寸方案，詳情見(jiàn)圖`
2018-06-05 19:00:04
DFN,QFN代工QQ67217217
2015-07-21 13:41:32
DL0521P1有低電容，超小尺寸和ESD高穩(wěn)健性等特點(diǎn)，是高速數(shù)據(jù)端口和高頻線路（如USB 2.0和天線線路）應(yīng)用的理想選擇，如蜂窩電話和高清視頻設(shè)備。超低電容TVS/ESD保護(hù)二極管特征高速數(shù)據(jù)線的瞬態(tài)保護(hù)
2020-03-18 10:30:15
產(chǎn)品概述：8323是兩款國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2018-08-31 11:14:25
`產(chǎn)品概述：8323是國(guó)內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測(cè)效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測(cè)芯片是專為取代
2019-07-23 09:11:37
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
`Nexperia 200V超快恢復(fù)整流器擁有高功率密度，同時(shí)最大限度地減少了反向恢復(fù)時(shí)間和損耗。這些器件是大功率密度、超快恢復(fù)整流器，采用高效平面技術(shù)，采用小型扁平引線SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
。推薦產(chǎn)品：BCP56-16,115；BCX56-16,115Nexperia其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：大電流三種電流增益選擇高功耗能力裸露的散熱器具有出色的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性（SOT89
2020-03-11 17:20:01
`Nexperia汽車用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，符合汽車行業(yè)制定的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。這些Nexperia汽車器件設(shè)計(jì)用于比家用和便攜式應(yīng)用中使用的功率MOSFET更惡劣
2021-01-23 11:20:27
，設(shè)計(jì)工程師已經(jīng)習(xí)慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而，來(lái)自 Nexperia 的最新特定應(yīng)用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結(jié)技術(shù)，可產(chǎn)生較低的導(dǎo)通電阻，而
2022-10-28 16:18:03
=oxh_wx3、【周啟全老師】開(kāi)關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來(lái)自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
導(dǎo)讀：全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商國(guó)際整流器公司（International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR）日前發(fā)布其近日新增產(chǎn)品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
2018-09-28 15:57:04
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的選擇。半橋/全橋轉(zhuǎn)換器同步降壓、升降壓拓?fù)潆娮訜?、無(wú)線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
`羅姆低門驅(qū)動(dòng)電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動(dòng)類型。 這種廣泛的驅(qū)動(dòng)器類型范圍支持從小信號(hào)到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí)，還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
反向保護(hù)連接集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于44米′DS(ON)·Dfn1X1x0.37-4包·低過(guò)充釋放電壓·超溫保護(hù)·過(guò)充電流保護(hù)0.4A兩步過(guò)流檢測(cè)：-過(guò)充電流0.4A-負(fù)載短路·充電器檢測(cè)功能
2021-04-10 17:15:51
?電池壽命。<p>·電池反向保護(hù)連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過(guò)充釋放電壓低·過(guò)熱保護(hù)·過(guò)度充電電流保護(hù)·兩步過(guò)電
2019-08-24 10:30:38
?電池壽命。 ·電池反向保護(hù)連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過(guò)充釋放電壓低·過(guò)熱保護(hù)·過(guò)度充電電流保護(hù)·兩步過(guò)電流檢測(cè):過(guò)量放電電流負(fù)載短路
2019-08-24 09:36:42
`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴 手機(jī)號(hào)碼：***QQ：1275294458XB6091全網(wǎng)超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機(jī)二合一保護(hù)IC專用XB6091ISC產(chǎn)品是一個(gè)高鋰的集成解決方案?離子
2019-05-05 19:42:04
DFN1X1x0.37-4包裝，只有一個(gè)外部組件使其成為理想的組件解決方案在有限的空間電池包。XB6091ISC具有所有的保護(hù)功能要求在電池應(yīng)用中包括過(guò)度充電、過(guò)放電、過(guò)電流以及負(fù)載短路保護(hù)等準(zhǔn)確的超充電檢測(cè)電壓
2018-11-01 19:06:21
長(zhǎng)時(shí)間使用的信息設(shè)備?電池壽命。·電池反向保護(hù)連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過(guò)充釋放電壓低·過(guò)熱保護(hù)·過(guò)度充電電流保護(hù)·兩步過(guò)電流檢測(cè):過(guò)量
2019-08-29 09:13:50
一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
揚(yáng)杰電子，代工DFN,QFN,不分單，有需求聯(lián)系：QQ67217217
2015-07-21 13:34:27
揚(yáng)杰電子，代工DFN,QFN,不分單，有需求聯(lián)系：QQ67217217
2015-07-21 13:29:59
超小尺寸寬帶頻率源，低相噪保證，可內(nèi)外置晶振，唯一的區(qū)別在于腔體的高度增加兩毫米?？煽康刭|(zhì)量。仁健微波，頻率源專家。{:12:}
2013-07-11 09:58:40
長(zhǎng)期供應(yīng)泰德IC MOSFET產(chǎn)品：[tr=transparent]針對(duì)快充應(yīng)用 全系列的MOSFET [/tr] [tr=transparent]PartNumberpackagecfgBv(v
2018-06-07 16:51:22
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來(lái)越高?！ 闈M足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開(kāi)關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚脑趯?shí)際
2018-11-20 10:52:44
幾乎所有的設(shè)備都有印刷電路板。然而，并不是每個(gè)設(shè)備都有相同的大小。例如，與電視相比，智能手機(jī)需要非常小的PCB。與重型機(jī)械相比，電視機(jī)需要更小的PCB。因此，這些尺寸在電路中起著至關(guān)重要的作用。設(shè)計(jì)人員必須根據(jù)設(shè)備尺寸來(lái)設(shè)計(jì)印刷電路板。而我們?nèi)绾芜x擇這些電子印刷電路板的尺寸呢？
2023-04-14 15:17:35
封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步推進(jìn)了小信號(hào)MOSFET的微型化?！ 喰酒?jí)封裝 XLLGA封裝在封裝底部提供可焊接的金屬觸點(diǎn)（類似于DFN型封裝），采用創(chuàng)新的內(nèi)部設(shè)計(jì)，使整體封裝尺寸小于任何類似芯片級(jí)封裝
2018-09-29 16:50:56
電子煙充電管理芯片 DFN-8 有那種類型可以選擇
2016-07-23 12:52:06
：介于平面和超結(jié)型結(jié)構(gòu)中間的類型超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)是高壓MOSFET技術(shù)的重大發(fā)展并具有顯著優(yōu)點(diǎn)，其RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時(shí)得到降低。為充分利用這些快速和高效器件，設(shè)計(jì)工程師需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
PW2601是一種充電器前端集成電路，旨在為鋰離子提供保護(hù)電池充電電路故障。該設(shè)備監(jiān)測(cè)輸入電壓，電池電壓以及充電電流，以確保所有三個(gè)參數(shù)都在正常范圍內(nèi)工作。這個(gè)該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET斷開(kāi)，以
2021-01-25 17:46:48
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對(duì)快充應(yīng)用設(shè)計(jì)需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
東風(fēng)DFN-15A DFN-20A DFN-25A充油式電暖器電路圖
2009-06-06 16:24:59629 
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 日前，集設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開(kāi)啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561040 有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設(shè)計(jì)或由于外殼的限制，裝配時(shí)TO220封裝
2020-01-28 15:17:006671 
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263164 AOI檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn)的DFN（分立式扁平無(wú)引腳）封裝，涵蓋Nexperia的所有產(chǎn)品組合，包括開(kāi)關(guān)、肖特基、齊納和保護(hù)二極管、雙極結(jié)晶體管（BJT）、N溝道及P溝道MOSFET、配電阻晶體管和LED驅(qū)動(dòng)器。
2020-06-29 15:09:052666 DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測(cè)電阻器集成在一個(gè) 5mm x 3mm DFN 封裝中，以在緊湊狹小的空間提供 準(zhǔn)確的電流限制和負(fù)載電流監(jiān)視
2021-03-18 21:25:58
5 DFN封裝，相對(duì)來(lái)說(shuō)，是一種比較新的表面貼裝封裝工藝。在ESD二極管產(chǎn)品中，DFN封裝很常見(jiàn)，具體封裝有：DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN
2021-08-16 17:12:352684 Nexperia今天宣布，其位于德州達(dá)拉斯的全新設(shè)計(jì)中心正式啟動(dòng)。值此成為獨(dú)立實(shí)體五周年之際，這一舉措標(biāo)志Nexperia朝著2030年成為全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的既定目標(biāo)又邁出了重要的一步。
2022-03-25 09:13:241015 
基本半導(dǎo)體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數(shù)量的器件參數(shù)
2022-03-28 09:56:054259 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南 認(rèn)識(shí)理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。
2022-09-21 00:08:34704 __[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來(lái)越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無(wú)引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅(jiān)固耐用的組件
2022-09-27 11:53:231092 設(shè)備。 ? 多年來(lái)，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來(lái)，增強(qiáng)器件中關(guān)鍵MOSFET的
2022-11-18 10:32:58399 
的安全工作區(qū)（SOA）性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。? 多年來(lái)，Nexperia（安世半導(dǎo)體）致力于將成熟的 MOSFET 專業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來(lái)，增強(qiáng)器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的
2022-11-21 16:11:38646 雖然尺寸至關(guān)重要，但在許多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正優(yōu)勢(shì)在于其RDSon。提供額定 VGS 為 4.5 V 的選項(xiàng)，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:55298 
針對(duì)空間非常緊湊的功率MOSFET應(yīng)用而言，3x3封裝是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET產(chǎn)品序列中，采用了非?？煽康母咝阅躄FPAK33封裝。Nexperia開(kāi)發(fā)了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封裝，與業(yè)界聞名的DFN3333封裝保持管腳兼容性，提供給客戶另外一個(gè)選項(xiàng)。
2023-02-08 09:18:00243 盡管DFN封裝的尺寸非常緊湊，但它具有出色的功耗能力。然而， 使用具有低熱阻和足夠?qū)嵝缘?PCB 是強(qiáng)制性的，以允許適當(dāng)?shù)臋M向散熱.圖2中的紅外圖片顯示了高功率密度，顯示了SOT23
2023-02-08 09:45:381925 
Nexperia 文檔白皮書 RET 設(shè)備 2021-Nexperia_document_wh...
2023-02-08 19:15:040 自動(dòng)焊接在電子元件如何在PCB上工作方面起著至關(guān)重要的作用。一般來(lái)說(shuō)，有兩種主要技術(shù)：表面貼裝封裝的回流焊和通孔或雙列直插式封裝的波峰焊。Nexperia創(chuàng)建了DFN波峰焊評(píng)估項(xiàng)目，以確定波峰焊工藝對(duì)于某些分立式扁平無(wú)鉛（DFN）封裝是否可行。
2023-02-09 09:50:091014 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 對(duì)于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用中，尤其是可穿戴設(shè)備來(lái)說(shuō)，準(zhǔn)則是更精簡(jiǎn)、更高效。通過(guò)使用高效的開(kāi)關(guān)選項(xiàng)，設(shè)計(jì)者可以擁有更多空間來(lái)嵌入功能，同時(shí)最大限度降低電池消耗。Nexperia新發(fā)布的小信號(hào)MOSFET采用超小型DFN0606，擁有低導(dǎo)通電阻，能夠節(jié)省大量空間
2023-02-10 09:33:31349 
Nexperia邏輯產(chǎn)品組合中的移位寄存器有助于減小使用LED的設(shè)計(jì)的尺寸和BOM。通過(guò)提供I/O擴(kuò)展，移位寄存器支持使用引腳較少的較便宜的微控制器。
2023-02-10 10:08:13617 
在半橋拓?fù)渲胁⒙?lián) Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190 Nexperia 白皮書溝槽肖特基整流器日語(yǔ)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 19:52:000 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續(xù)電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 白皮書：DFN 能否成功進(jìn)行波峰焊？-Nexperia_document_wh...
2023-02-17 19:40:190 可濕性側(cè)面-Nexperia_Document_Wh...
2023-02-20 19:03:582 Side-Wettable Flanks 可在無(wú)引線 SMD (DFN) 封裝上啟用 AOI-Nexperia_document_wh...
2023-02-20 19:05:261 具有集成 ESD 保護(hù)功能的差分通道共模 EMI 濾波器-PCMF2DFN1_PCMF3DFN1
2023-03-03 20:02:550 無(wú)需人工計(jì)算，參數(shù)可隨用戶輸入動(dòng)態(tài)響應(yīng) ? 奈梅亨， 2023 年 5 月 11 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-05-11 10:12:23300 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
Nexperia | 了解RET的開(kāi)關(guān)特性
2023-05-24 12:16:30450 
日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 Ci24R1小尺寸封裝DFN8/2*2*0.8mm已上市，并提供相應(yīng)的demo板供客戶測(cè)試。（詳詢各銷售網(wǎng)絡(luò)）區(qū)別兩個(gè)封裝的端口順序有調(diào)整，但DFN8的性能參數(shù)和原有SOP8一樣，在SOP8封裝
2022-03-08 09:43:09619 
通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證且可承受的接面溫度高達(dá)175°C，強(qiáng)茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計(jì)工程師理想的選擇，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 有四個(gè)主要元件可滿足電池反向保護(hù)，分別是恢復(fù)整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。
2023-08-10 14:00:10263 
億件，Nexperia深知自身對(duì)保護(hù)環(huán)境應(yīng)承擔(dān)的社會(huì)責(zé)任。今年五月，Nexperia發(fā)布了其首份可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，其中針對(duì)公司的環(huán)境影響、社會(huì)責(zé)任、增長(zhǎng)目標(biāo)以及其作為國(guó)際行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的重要角色進(jìn)行了評(píng)估。今天，Nexperia自豪地宣布其實(shí)現(xiàn)碳中和的預(yù)期目標(biāo)，同時(shí)秉持公開(kāi)透明的原則
2023-09-21 09:10:15165 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081 意識(shí)到自己對(duì)環(huán)境的責(zé)任。Nexperia于今年5月發(fā)布了首份《可持續(xù)發(fā)展報(bào)告》，審查了該公司對(duì)環(huán)境的影響、對(duì)社會(huì)責(zé)任的承諾、未來(lái)增長(zhǎng)計(jì)劃以及作為全球工業(yè)部門主要參與者的地位。Nexperia很高興以公開(kāi)和負(fù)責(zé)任的方式宣布其對(duì)碳中和的承諾。 Nexperia致力于到2035年實(shí)現(xiàn)其
2023-10-13 17:13:34935 ) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。 三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)
2023-11-14 10:06:00101 
Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場(chǎng)開(kāi)發(fā)硅碳（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開(kāi)發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 Nexperia（安世半導(dǎo)體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應(yīng)用。
2024-02-29 11:44:53225 在追求更長(zhǎng)電池壽命和無(wú)電池應(yīng)用趨勢(shì)的推動(dòng)下，全球知名半導(dǎo)體廠商Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日發(fā)布了一款創(chuàng)新的能量平衡計(jì)算器。這款網(wǎng)絡(luò)工具專為電池管理工程師設(shè)計(jì)，旨在通過(guò)提供精確的數(shù)據(jù)支持，幫助
2024-03-11 10:13:3662
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