Nexperia | MOSFET 如何輕松應對傳導損耗
有四個主要元件可滿足電池反向保護，分別是恢復整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。
在今天的演示中，我們將展示每種方法的實際應用，您可以詳細了解 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 如何處理應用中的傳導損耗。
本演示使用的功率 MOSFET 和整流二極管來自符合 AEC-Q101 標準且適用于汽車應用的產(chǎn)品組合。40V 功率 MOSFET 采用 LFPAK 5x6 銅夾片封裝，二者均來自于 Nexperia（安世半導體）的廣泛 N 和 P 溝道版本產(chǎn)品組合，在關鍵測試參數(shù)中，它們超出 AEC-Q101 測試兩倍以上。
本演示還包含來自銅夾片 FlatPower 封裝中的整流器—— CFP5 和 CFP15，憑借數(shù)十年開發(fā)高性能封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，我們能夠提供一系列具有出色熱效率和電氣效率的封裝，從而支持要求最嚴苛的應用。
LFPAK 和 CFP 的獨特銅夾片結構提供出色的穩(wěn)健性和可靠性。如果與更傳統(tǒng)的替代方案相比，還能夠節(jié)省空間。經(jīng)過測試的器件電流額定值使得封裝非常適合要求最嚴苛的應用。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
二極管
+關注
關注
147文章
9627瀏覽量
166307 -
MOSFET
+關注
關注
147文章
7156瀏覽量
213142 -
封裝
+關注
關注
126文章
7873瀏覽量
142893
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
功率MOSFET的開關損耗：開通損耗
過程中的開關損耗。開關損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關斷過程和和關斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動的等效電路圖如圖1所示，
發(fā)表于 02-24 15:05
功率MOSFET的開關損耗：關斷損耗
公式計算：同樣，關斷損耗的米勒平臺時間在關斷損耗中占主導地位。對于兩個不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時，A管的開關損耗
發(fā)表于 03-06 15:19
討論DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導損耗
。在此期間，電感電流通過輸出電容、負載和正向偏置二極管。負載電流流過二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示：其中VF是選定二極管的正向電壓降。除了集成MOSFET與環(huán)流二極管中的傳導損耗，電感器中也有
發(fā)表于 06-07 10:17
DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導損耗
產(chǎn)生的。傳導損耗與占空比有直接關系。當電流較高一側的MOSFET打開后，負載電流就會從其中通過。漏源通道電阻(RDSON)產(chǎn)生的功率耗散可以用公式1表示：其中D == 占空比對于LM2673這樣的非同
發(fā)表于 08-30 14:59
Nexperia N溝道TrenchMOS邏輯電平FET
`Nexperia汽車用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101標準的器件，符合汽車行業(yè)制定的嚴格標準。這些Nexperia汽車器件設計用于比家用和便攜式應用中使用的功率MOSFET
發(fā)表于 01-23 11:20
Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應用 MOSFET
使用 MOSFET，如圖 1 所示。△ 圖 1：典型應用電路中的簡單高邊放電 MOSFET這種 MOSFET 最常見的要求是：● 足夠的Vds漏源電壓額定值?！?低導通電阻，可降低導通損耗
發(fā)表于 10-28 16:18
DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導損耗計算
在本系列最后一期文章中，我將討論DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導損耗。傳導損耗是由設備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導產(chǎn)生的。
發(fā)表于 11-16 06:30
DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導損耗計算
歡迎回到DC/DC變換器數(shù)據(jù)表博客系列。在本系列最后一期文章中，我將討論DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導損耗。 傳導損耗是由設備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的
發(fā)表于 04-18 08:59
?1357次閱讀
DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導損耗
的傳導產(chǎn)生的。傳導損耗與占空比有直接關系。當電流較高一側的MOSFET打開后，負載電流就會從其中通過。漏源通道電阻(RDSON)產(chǎn)生的功率耗散可以用公式1表示：
其中D = ?=
Nexperia全新POWER MOSFET工程師設計指南
Nexperia全新POWER MOSFET工程師設計指南 認識理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復雪崩強度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFP
發(fā)表于 04-07 11:40
?0次下載
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超
發(fā)表于 07-06 16:13
?733次閱讀
MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
發(fā)表于 02-17 19:13
?37次下載
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉換器的傳導損耗
在上一篇文章中，我們了解了同步整流降壓轉換器的損耗發(fā)生位置，并介紹了轉換器整體的損耗是各部位的損耗之和。從本文開始將探討各部位的損耗計算方法。本文介紹功率開關--輸出端
Nexperia、東芝和Navitas擴展MOSFET產(chǎn)品線以應對高效能需求
隨著電動車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等領域?qū)Ω咝?、高性能組件需求的持續(xù)上升，電源管理系統(tǒng)的復雜性也隨之增加，市場對更先進和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對此，Nexperia、東芝和Navitas等
工商網(wǎng)監(jiān)
評論