兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測(cè)試，從動(dòng)態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ)，例如600 V匯流排直流電壓，開(kāi)啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。
2020-06-04 16:23:22
956 
?●空調(diào)壓縮機(jī)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng) ?●高效高密度工業(yè)、通信、服務(wù)器電源 ?●半橋、全橋、LLC電源拓?fù)?? 如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創(chuàng)新地將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于高壓半橋驅(qū)動(dòng)中，使得高壓輸出側(cè)可以承受高達(dá)1200V的直流電壓，同時(shí)SW pin可以滿(mǎn)足高dv/dt和耐負(fù)壓尖峰的需求?？蛇m
2022-06-27 09:57:072093 
穩(wěn)壓器調(diào)整端增加簡(jiǎn)單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動(dòng)電流 ,有時(shí)，設(shè)計(jì)約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243169 
是驅(qū)動(dòng)電機(jī)系統(tǒng)中Si IGBT的可接受替代品。dV / dt較高會(huì)在逆變器和電動(dòng)機(jī)彼此遠(yuǎn)離的情況下由于反射波而給電動(dòng)機(jī)繞組保護(hù)帶來(lái)額外的負(fù)載，這在大多數(shù)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)應(yīng)用中非常常見(jiàn)。1由于切換速度更快，即使使用短電纜，在不同應(yīng)用中也需要dV / dt濾波器。可以為SiC
2021-03-19 16:34:256647 
傳感器時(shí)要面臨一些挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)與絕緣的嚴(yán)格要求以及與 10 kV SiC MOSFET 相關(guān)的更高 dv/dt （50-100 V/ns） 相關(guān)。有不同的方法可以測(cè)量中壓電源的電壓，其中一些是霍爾效應(yīng)傳感器、電容分壓器、電阻分壓器和電阻-電容梯。在理想條件下，我們可以在電阻分壓器中找到無(wú)限帶寬。
2022-07-26 08:03:01741 
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 17:31:58955 
意法半導(dǎo)體提高了新一代 ST25DV-I2C動(dòng)態(tài)NFC-tag IC的I2C 接口性能，讓主機(jī)系統(tǒng)更快速、更輕松地讀寫(xiě)標(biāo)簽芯片上的EEPROM存儲(chǔ)器。
2021-10-22 17:52:222258 
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過(guò)
2018-08-27 20:50:45
在以下公式中：其中dV為BVDss的80%，I是用于為MOSFET充電的電流，dt則是以測(cè)試電路所測(cè)量的時(shí)間。當(dāng)求解Coss_eff(tr)時(shí)，即得圖4：以有效輸出電容電流為基礎(chǔ)的測(cè)試器另一種可用于測(cè)量
2014-10-08 12:00:39
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
驅(qū)動(dòng)阻抗將會(huì)減少米勒電容CRES和關(guān)斷VCE的dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET
2021-06-16 09:21:55
型晶體管的組合，又加上因大面積帶來(lái)的大電容，所以其du/dt能力是較為脆弱的。對(duì)di/dt來(lái)說(shuō)，它還存在一個(gè)導(dǎo)通區(qū)的擴(kuò)展問(wèn)題，所以也帶來(lái)相當(dāng)嚴(yán)格的限制?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的情況有很大的不同。它的dv
2019-06-14 00:37:57
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
問(wèn)題在溫度升高情況下會(huì)進(jìn)一步惡化。因此，低閾值FET對(duì)C dv/dt問(wèn)題尤其敏感。在實(shí)際應(yīng)用中，要想評(píng)估同步MOSFET Q2，需要了解柵極電容的柵極電荷性能。因此，聰明的辦法是調(diào)查C dv/dt感應(yīng)導(dǎo)
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的失效機(jī)理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過(guò)MOSFET規(guī)格書(shū)中的絕對(duì)最大
2022-07-26 18:06:41
驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路設(shè)計(jì)中如何降低di/dt,dv/dt減小震蕩，我們有以下幾點(diǎn)考慮：1．減小PCB布線(xiàn)所帶來(lái)等效寄生電感。2．選擇合適的帶內(nèi)置門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻的MOSFET如Infineon CoolMOS C6
2018-12-10 10:04:29
Bad layout2. 一般原則① 開(kāi)關(guān)回路短② 單點(diǎn)接地3. 實(shí)例4. 小結(jié)一下1. Bad layoutEMI，DC-DC 的 SW 管腳上面會(huì)有較高的 dv/dt， 比較高的 dv/dt 會(huì)引起比較大的 EMI 干擾；地線(xiàn)噪聲，地走線(xiàn)不好，會(huì)在地線(xiàn)上面會(huì)產(chǎn)生比較大的開(kāi)關(guān)噪聲，而這些噪聲會(huì)影.
2021-11-16 08:17:58
性能影響較大，在調(diào)整該值時(shí)，除了理論計(jì)算外，工程師會(huì)結(jié)合雙脈沖試驗(yàn)的測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證并調(diào)整，以達(dá)到較好的開(kāi)關(guān)效果。 最小的Rgon（開(kāi)通電阻）由開(kāi)通的di/dt限制；最小的Rgoff（關(guān)斷電阻）由關(guān)斷
2021-02-23 16:33:11
的這個(gè)MOSFET的體二極管有很大的反向恢復(fù)，并且伴隨很高的dv/dt。 連貫起來(lái)看，就是LLC的硬開(kāi)關(guān)會(huì)導(dǎo)致有體二極管方向恢復(fù)這顆管子的內(nèi)部BJT導(dǎo)通，從而熱點(diǎn)損壞，進(jìn)而半橋電路出現(xiàn)直通短路?？紤]到
2016-12-12 15:26:49
了門(mén)極信號(hào)；如同直通電流一樣，它會(huì)影響到該開(kāi)關(guān)電源。這會(huì)產(chǎn)生很大的反向恢復(fù)dv/dt，有時(shí)會(huì)擊穿MOSFET Q2。這樣就會(huì)導(dǎo)致MOSFET失效，并且當(dāng)采用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性較差
2019-09-17 09:05:04
逐漸降低柵極電壓的軟關(guān)斷功能等，并在沒(méi)有過(guò)電壓的情況下關(guān)斷。dV/dt破壞Si-MOSFET存在一種由于dV/dt過(guò)高而通過(guò)電容Cds流過(guò)瞬態(tài)電流，寄生雙極晶體管工作導(dǎo)致?lián)p壞的模式。ROHM
2018-11-30 11:30:41
Rg。關(guān)斷時(shí)SiC模塊沒(méi)有像IGBT那樣的尾電流，因此顯示與導(dǎo)通時(shí)同樣依賴(lài)于外置柵極電阻Rg的dV/dt。寄生電容：與IGBT的比較MOSFET（IGBT）存在柵極－漏極（集電極）間的Cgd（Cgc
2018-11-30 11:31:17
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
電阻 取百Ω級(jí)，100R~330R。分析：高壓管子內(nèi)部是有很多個(gè)小管子串的，所以GS電容偏小，那么，柵極驅(qū)動(dòng)電阻不能太小，否則平臺(tái)時(shí)間短，dv/dt容易引起震蕩，結(jié)果發(fā)熱更大。那么，需要有一個(gè)大
2021-06-23 10:24:55
分量就大。什么是諧波分量呢？任何一個(gè)波形都可以用若干個(gè)正弦波進(jìn)行疊加，那么，我們MOSFET由于米勒平臺(tái)時(shí)間短，dv/dt就很大，就表示開(kāi)關(guān)波形的沿越陡，棱角越分明。一般我們所說(shuō)的基波是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的正弦波，dv/dt
2021-07-05 11:39:09
項(xiàng)目名稱(chēng)：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
它能承受的應(yīng)力。也就是說(shuō)，這個(gè)MOSFET不能關(guān)斷的太快，如果關(guān)斷太快，很高的dv/dt會(huì)把MOSFET給沖壞掉。Eas = 460mJ，表示MOSFET所能承受的最高的峰值沖擊能量，高于這個(gè)沖擊能量
2021-08-11 16:34:04
無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET平面柵結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET溝槽柵結(jié)構(gòu)等。這些不同的技術(shù)對(duì)于碳化硅功率器件應(yīng)用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先
2022-03-29 10:58:06
我想知道如何使用 ST25DV 動(dòng)態(tài)標(biāo)簽執(zhí)行設(shè)備固件升級(jí)。我正在使用“en.STSW-ST25DV001SC-Source_v1.2.0”并嘗試了兩個(gè)演示示例ST25DVDemo（使用內(nèi)部閃存更新
2023-02-02 07:30:26
。不同的器件，所選擇的外部恒流源的元件參數(shù)會(huì)有異差。圖2（b）中，ID由電感構(gòu)成恒流源，相對(duì)而言， 這種方式電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，只是電流的精度不如上一種方式。根據(jù)電容的特性：C·dv/dt = IG可以得到
2017-01-13 15:14:07
可滿(mǎn)足高性能數(shù)字接收機(jī)動(dòng)態(tài)性能要求的ADC和射頻器件有哪些？
2021-05-28 06:45:13
在開(kāi)啟時(shí)提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，在高負(fù)載范圍和低開(kāi)關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動(dòng)器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
在啟動(dòng)期間，由于反向恢復(fù)dv/dt，零電壓開(kāi)關(guān)運(yùn)行可能會(huì)丟失并且MOSFET可能發(fā)生故障?！≡趩?dòng)之前諧振電容和輸出電容完全放電。這些空電容導(dǎo)致Q2體二極管進(jìn)一步導(dǎo)通并且在Q1導(dǎo)通前不會(huì)完全恢復(fù)
2019-01-15 17:31:58
開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
封裝在開(kāi)關(guān)速度、效率和驅(qū)動(dòng)能力等方面的有效性。最后，第四節(jié)分析了實(shí)驗(yàn)波形和效率測(cè)量，以驗(yàn)證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開(kāi)關(guān)
2018-10-08 15:19:33
的噪聲電壓，因此影響到開(kāi)關(guān)電源 EMI 特性。下面以反激式開(kāi)關(guān)拓?fù)錇槔?，?duì)降低 MOSFET 的 dv/dt 和 di/dt 措施進(jìn)行介紹。圖 1 MOSFET 噪聲源1、 降低 MOSFET
2020-10-10 08:31:31
低，因此這個(gè)問(wèn)題在溫度升高情況下會(huì)進(jìn)一步惡化。因此，低閾值FET對(duì)C dv/dt問(wèn)題尤其敏感。在實(shí)際應(yīng)用中，要想評(píng)估同步MOSFET Q2，需要了解柵極電容的柵極電荷性能。因此，聰明的辦法是調(diào)查C
2011-08-18 14:08:45
并聯(lián)快恢復(fù)二極管，改變MOSFET開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間常數(shù)，在開(kāi)通時(shí)為減小dv/dt的應(yīng)力，增加?xùn)艠O的充電時(shí)間，而關(guān)斷時(shí)間應(yīng)短一些，以使用較短的死區(qū)時(shí)間減小輸出波形的諧波含量，電路如圖3所示。通過(guò)以上措施
2018-08-27 16:00:08
FAN7382MX 是一款單片半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動(dòng)最高在 +600V 下運(yùn)行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供了高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
范圍-5V~-15V，客戶(hù)根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開(kāi)通穩(wěn)定?！ ?）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
帶來(lái)的大電容，所以其dv/dt能力是較為脆弱的。對(duì)di/dt來(lái)說(shuō)，它還存在一個(gè)導(dǎo)通區(qū)的擴(kuò)展問(wèn)題，所以也帶來(lái)相當(dāng)嚴(yán)格的限制。功率MOSFET的情況有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每納秒（而
2020-03-20 17:01:53
，那么CGD就不再有dv/dt產(chǎn)生的抽取電流，因此驅(qū)動(dòng)電路又開(kāi)始同時(shí)對(duì)CGS+CGD充電，VGS電壓從米勒平臺(tái)電壓開(kāi)始增加，直到達(dá)到驅(qū)動(dòng)電壓的最大值。這個(gè)過(guò)程中，MOSFET導(dǎo)通壓降稍有降低，降低到最小值
2016-11-29 14:36:06
做一個(gè)低功耗的14bit的SAR ADC，異步結(jié)構(gòu)，用動(dòng)態(tài)比較器，請(qǐng)教動(dòng)態(tài)比較器的噪聲性能如何確定？
2021-06-25 06:03:20
用本地編譯的libwifi_native_js.z.so替換Hi3516DV300板子上/system/lib/module/libwifi_native_js.z.so后，在觸屏上進(jìn)行wifi連接操作異常，請(qǐng)問(wèn)在開(kāi)發(fā)板系統(tǒng)上直接進(jìn)行動(dòng)態(tài)庫(kù)替換不行嗎，重新燒錄太麻煩，有什么方式解決
2022-03-18 09:55:16
。但是隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，會(huì)帶來(lái)EMI特性的惡化，必須采取有效的措施改善電路的EMI特性圖 1 MOSFET噪聲源1、降低MOSFET的dv/dt1-3中，Rg和Cgd越大，dv/dt越低。1-4中
2020-10-21 07:13:24
問(wèn)下大家，一般開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度（dv/dt），與電磁干擾（EMI）有沒(méi)有計(jì)算關(guān)系？還是說(shuō)一般取經(jīng)驗(yàn)值，為什么一般上升速度會(huì)做的下降速度慢？
2018-12-17 11:29:58
中功率 MOSFET 損壞模式及分析，電子技術(shù)應(yīng)用：2013.3 問(wèn)題 19：功率 MOSFET 的數(shù)據(jù)表中 dv/dt 為什么有二種不同的額定值？如何理解體二極管反向恢復(fù)特的 dv/dt？回復(fù)：在反
2020-03-24 07:00:00
新技術(shù)就可通過(guò)降低RDS（ON）和柵極電荷（Qg），最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變（dv/dt）和電流瞬變（di/dt），甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下
2011-08-17 14:18:59
能會(huì)對(duì)MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負(fù)面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來(lái)，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會(huì)逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
的情況有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每納秒（而不是每微秒）的能力來(lái)估量。但盡管如此，它也存在動(dòng)態(tài)性能的限制。這些我們可以從功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)來(lái)予以理解?！ D4是功率
2023-02-27 11:52:38
關(guān)于限制穩(wěn)壓器啟動(dòng)時(shí)dV/dt和電容的電路的詳細(xì)介紹
2021-04-12 06:21:56
Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:32
10 capacitances, total gate charge, the gate threshold voltage and Miller plateau voltage, approximate internal gate resistance, and dv/dt limi
2009-11-26 11:22:204 對(duì)高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個(gè)關(guān)鍵的器件.快速的開(kāi)關(guān)可以降低開(kāi)關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級(jí)上dv/dt也變得越來(lái)越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在沒(méi)有正常的門(mén)極觸發(fā)信號(hào)時(shí)MOS開(kāi)通,這樣會(huì)
2009-11-28 11:25:284 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對(duì)高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個(gè)關(guān)鍵的器件.快速的開(kāi)關(guān)可以降低開(kāi)關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級(jí)上dv/dt也變得越來(lái)越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在
2009-11-28 11:26:1543 capacitances, total gate charge, the gate threshold voltage and Miller plateau voltage, approximate internal gate resistance, and dv/dt limi
2009-11-29 17:21:2136 功率MOSFET的情況有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每納秒（而不是每微秒）的能力來(lái)估量。但盡管如此，它也存在動(dòng)態(tài)性能的限制。這些我們可以從功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)來(lái)予
2009-07-27 09:39:574896 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR?家族雙芯片不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET
2011-11-15 10:34:07649 經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平
2013-01-10 15:30:1246 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱(chēng)雙片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT
2014-02-10 15:16:51890 Si827x數(shù)據(jù)表：具有高瞬態(tài)(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 動(dòng)態(tài)來(lái)流對(duì)風(fēng)力機(jī)性能的影響_胡丹梅
2016-12-30 14:38:200 Features ? International Standard Packages ? Dynamic dv/dt Rating ? Avalanche Rated ? Fast
2017-09-21 09:36:4310 初級(jí) MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通電流、體二極管 dv/dt、擊穿 dv/dt，以及柵極氧化層擊穿，異常條件諸如啟動(dòng)、負(fù)載瞬變，和輸出短路。
2018-03-19 16:56:007608 
器件均采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝，進(jìn)一步擴(kuò)展光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態(tài)電壓高達(dá)800 V，靜態(tài)dV/dt為1000
2019-01-16 18:18:01442 和VOT8123A斷態(tài)電壓高達(dá)800V，靜態(tài)dV/dt為1000V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。 日前發(fā)布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380 VAC線(xiàn)路低電壓邏輯，控制電
2019-03-12 22:30:01322 濾波器仍能提供卓越的性能。這種dV/dT濾波器具有3%的接入阻抗，這個(gè)接入阻抗是肯定不會(huì)因?yàn)闉V波器出來(lái)的額外壓降影響到電機(jī)扭矩的。
2019-05-13 16:12:106045 英飛凌電流源型驅(qū)動(dòng)芯片，一種非常適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案的產(chǎn)品，將同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無(wú)核變壓器技術(shù)平臺(tái)的隔離式驅(qū)動(dòng)芯片，能精準(zhǔn)地實(shí)時(shí)控制開(kāi)通時(shí)的dv/dt。下面我們來(lái)仔細(xì)看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:072945 高共模噪聲是汽車(chē)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用而可靠的動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)必須克服的一個(gè)重大問(wèn)題。當(dāng)高壓逆變電源和其他電源進(jìn)行高頻切換時(shí)，共模噪聲（又稱(chēng) dV/dt 噪聲）便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來(lái)源，并提出一些方法來(lái)盡量減少噪聲對(duì)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的影響。
2021-03-15 15:16:273189 
這種MOSFET是專(zhuān)門(mén)為降低導(dǎo)通電阻，提供更好的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。通過(guò)壽命控制，UniFET FRFETMOSFET的體二極管反向恢復(fù)性能得到增強(qiáng)。其trr小于100nsec，dv/dt
2021-03-25 17:06:3624 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT也會(huì)不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等，一般是安裝在變頻器的逆變側(cè)，用來(lái)抑制變頻器逆變側(cè)的Du/Dt，保護(hù)電動(dòng)機(jī)，同時(shí)，還能夠延長(zhǎng)變頻器的有效傳輸距離至≤500米，但其無(wú)法改變變頻器逆變側(cè)的電壓波形。
2021-12-20 10:19:545283 dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:223889 
首先，讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)包括：開(kāi)通時(shí)間ton、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)、開(kāi)通電流上升率di/dton、開(kāi)通電壓下降率dv/dton，電流上升時(shí)間tr
2022-04-27 15:10:216745 在圖1的半橋電路中，動(dòng)作管為下管S1，施加在上管S2的為關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其體二極管處于續(xù)流狀態(tài)。當(dāng)S1進(jìn)行開(kāi)通時(shí)，其端電壓VDS1下降，則S2開(kāi)始承受反向電壓，其兩端的電壓VDS2以dV/dt的速度快
2022-06-23 10:57:08922 
使用寬帶隙 （WBG） 器件設(shè)計(jì)電子轉(zhuǎn)換器確實(shí)存在與高 dv/dt 瞬態(tài)相關(guān)的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼈兺ǔ?huì)導(dǎo)致有源和無(wú)源元件中的寄生參數(shù)。WBG 器件的 dv/dt 比硅基 IGBT 大，眾所周知
2022-07-26 08:02:531062 
是驅(qū)動(dòng)電機(jī)系統(tǒng)中可接受的 Si IGBT 替代品。在逆變器和電機(jī)彼此遠(yuǎn)離的情況下，由于反射波，較高的 dV/dt 會(huì)給電機(jī)繞組保護(hù)帶來(lái)額外負(fù)載，這對(duì)于大多數(shù)驅(qū)動(dòng)電機(jī)應(yīng)用來(lái)說(shuō)非常常見(jiàn)。
2022-08-05 08:04:521064 
具有動(dòng)態(tài)溫度補(bǔ)償?shù)男拚?MOSFET 模型
2022-11-15 20:07:472 在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中，放緩開(kāi)關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
2022-12-19 09:38:491180 電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:371078 
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 
電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01556 
di/dt水平過(guò)高是晶閘管故障的主要原因之一。發(fā)生這種情況時(shí)，施加到半導(dǎo)體器件上的應(yīng)力會(huì)大大超過(guò)額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應(yīng)用選擇固態(tài)繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開(kāi)關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144760 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開(kāi)關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663 
SJ-FET是新一代高壓MOSFET系列正在利用先進(jìn)的電荷平衡機(jī)制低導(dǎo)通電阻和較低的柵極充電性能。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)是為最大限度地減少傳導(dǎo)而量身定制的損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并承受極端的dv/dt速率和更高的雪崩能量。SJ-FET適用于各種交流/直流電源轉(zhuǎn)換切換模式操作以獲得更高的效率。
2023-06-14 17:09:020 目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導(dǎo)通電阻 ⊙跨導(dǎo) ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動(dòng)態(tài)特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu)，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
９.３.４dv/dt觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)
2022-03-29 10:35:54214 
當(dāng)電晶體開(kāi)關(guān)時(shí)電壓和電流出現(xiàn)重疊時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)硬切換。這種重疊會(huì)造成能量損失，可透過(guò)提高di/dt和dv/dt將能量損失降至最低。然而，快速變化的di/dt或dv/dt會(huì)產(chǎn)生EMI。因此，應(yīng)最佳化di
2023-11-18 08:26:58140 
瞬態(tài)事件如何影響LDO的動(dòng)態(tài)性能？
2023-11-28 16:43:39240 
【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272
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