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“dv/dt”和“di/dt”值:這些值的水平對固態(tài)繼電器有什么影響?

騰恩科技彭工 ? 來源:騰恩科技彭工 ? 作者:騰恩科技彭工 ? 2023-02-20 17:06 ? 次閱讀

讓我們從技術(shù)回顧開始

di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發(fā)生這種情況時,施加到半導(dǎo)體器件上的應(yīng)力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中,我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性,以及為什么在為您的應(yīng)用選擇固態(tài)繼電器之前需要考慮它們。

過電壓是超過設(shè)備或電路正常工作電壓的電壓值。根據(jù)電平的不同,這種過電壓會損壞系統(tǒng)中的組件。

電流是指超過正常負(fù)載電流時。同樣,根據(jù)值的不同,這種過電流也會損壞系統(tǒng)中的組件。

DV/DT是電壓相對于時間的導(dǎo)數(shù)。換句話說,它是電壓的變化(delta V或ΔV)除以時間的變化(delta t或Δt),或電壓隨時間變化的速率。dv/dt 額定值是陽極到陰極電壓的最大允許上升速率,在沒有任何柵極信號的情況下,該電壓不會觸發(fā)器件。

di/dt是電流相對于時間的導(dǎo)數(shù)。di/dt額定值是陽極到陰極電流的最大允許上升速率,而不會對晶閘管造成任何損壞。

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應(yīng)用于固態(tài)繼電器的“dv/dt”和“di/dt”值.

荷載類型的影響

當(dāng)功率元件(晶閘管或三端雙向可控硅)上的電流低于保持電流值時,晶閘管停止導(dǎo)通。對于純阻性負(fù)載,這發(fā)生在正弦波周期的最后,電壓和電流同相。當(dāng)負(fù)載具有電感元件(例如電機(jī))時,電流和電壓之間存在滯后。當(dāng)電流降至保持電流值以下的那一刻,電壓已經(jīng)以相反的極性上升。因此,當(dāng)三端雙向可控硅/晶閘管關(guān)閉時,由于電壓突然切斷,其上會出現(xiàn)一個很大的dv/dt。這種情況可能導(dǎo)致三端雙向可控硅/晶閘管自觸發(fā),從而導(dǎo)致電流不受控制。

固態(tài)繼電器的dv/dt 額定值

SSR 的 dv/dt 額定值是一個重要的參數(shù)r,因為它表示在沒有施加?xùn)艠O信號時不會使 SSR 進(jìn)入導(dǎo)通階段的陽極電壓的最大上升速率。dv/dt 限值始終以電壓/微秒為單位指定。

如果正向陽極電壓的上升速率超過規(guī)定的最大限制,則會導(dǎo)致從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)。換句話說,如果dv/dt 增加到超過 SSR 的指定值,則會導(dǎo)致錯誤觸發(fā) SSR,這是一種不希望的情況。

固態(tài)繼電器的di/dt 額定值

在SSR 的導(dǎo)通過程中,di/dt 值的限制始終以安培/微秒為單位指定。注意不要超過此值將使 SSR 能夠可靠運行。

當(dāng)di/dt高于規(guī)格中提到的最大值時,陽極到陰極電流上升得太快,以至于導(dǎo)電區(qū)域沒有足夠的時間分布在整個硅區(qū)域。這會導(dǎo)致在柵極連接附近產(chǎn)生熱點,因為結(jié)區(qū)域存在高電流密度。熱點的產(chǎn)生會使半導(dǎo)體的結(jié)溫超過最大允許極限。結(jié)果,電源元件可能會遭受永久性故障:

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di/dt極限值主要取決于晶閘管/三端雙向可控硅硅的傳播和擴(kuò)散速度。

我們?nèi)绾螌⑦@些值保持在指定的范圍內(nèi)?

為了在SSR的開啟過程中將dv/dt值保持在指定的范圍內(nèi),可以實現(xiàn)RC網(wǎng)絡(luò)。這也稱為緩沖器(或具有高dv/dt承受水平的無緩沖元件)。一些 celduc 的固態(tài)繼電器配備了無緩沖或 RC 網(wǎng)絡(luò)元件:

-零交叉固態(tài)繼電器:SO8,SA / SU8等這些固態(tài)繼電器適用于所有類型的負(fù)載

-建議將隨機(jī)或瞬時固態(tài)繼電器用于高感負(fù)載:SO7、SU7 等。

當(dāng)您希望控制非阻性負(fù)載時,或者當(dāng)可能超過三端雙向可控硅/晶閘管的最大dv/dt時,應(yīng)考慮這些產(chǎn)品

在容性負(fù)載上,當(dāng)功率元件閉合時,di/dt值通常至關(guān)重要。在這種情況下,串聯(lián)安裝的電感器可減少快速轉(zhuǎn)換,從而平滑電流。

塞爾杜克的SO8 / SU8 / SGT8 ...系列使用特定技術(shù)來最小化觸發(fā)電壓和同步性,以限制容性負(fù)載(電池、電源等)上的這些突然電流變化。

我們在哪里可以找到這些值?

最大dv/dt和di/dt值(非重復(fù))由celduc在其數(shù)據(jù)表中給出:超過此限制,晶閘管/三端雙向可控硅可能會損壞。

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– 500 V/μs 意味著每微秒電壓增加 500 伏。– 50A/μs 意味著每微秒電流增加 50 安培。

在導(dǎo)通期間,電流和電壓的最大上升速率不應(yīng)超過這些最大di/dt和dv/dt值。

結(jié)論

選擇固態(tài)繼電器時應(yīng)考慮“dv/dt”和“di/dt”值,特別是對于非電阻負(fù)載。Celduc提供配備無緩沖或RC網(wǎng)絡(luò)元件的固態(tài)繼電器,有助于將“dv/dt”和“di/dt”水平保持在指定的范圍內(nèi)。

審核編輯:湯梓紅

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