寬禁帶半導(dǎo)體材料越來越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時，供應(yīng)商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場的潛在需求。 譬如，Cree計劃投資高達(dá)10億美元來擴(kuò)張其SiC晶圓產(chǎn)能。根據(jù)該公司
2019-07-19 16:59:35
13632 近年來，磷酸鐵鋰和三元技術(shù)路線之爭從未停歇，本文結(jié)合兩種正極材料及電池的特點，對它們在不同領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行了對比分析。
2022-08-18 15:43:212404 在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 2014年日本國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(INTERNEPCON Japan)展會時間2014年1月15-17日展會地點日本東京展館名稱有明國際展覽中心（TOKYO BIG SIGHT
2013-03-27 10:25:32
2016年印度國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展ELECTRONICS FOR YOU EXPO 2016） 【展會時間】2016年1月11日-13日 【展會地點】印度 班加羅爾 【展館名稱】班
2015-09-16 09:48:40
展覽日期：2016年1月11 - 13日主辦單位：EFY集團(tuán)中國組團(tuán)機(jī)構(gòu):北海展覽展覽地點：印度 班加羅爾展覽周期：一年一屆 展覽會概況：“印度國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展”將于2016年1月
2015-09-30 11:39:19
2016年日本國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(INTERNEPCON Japan)【展會時間】2016年1月13-15日【展會地點】日本 東京【展館名稱】有明國際展覽中心（TOKYO BIG
2015-09-16 09:47:46
2016年泰國國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(Nepcon Thailand) 【展會時間】2016年6月24-27日 【展會地點】泰國 曼谷 【展館名稱】曼谷BITEC展覽中心
2015-10-15 16:25:27
恢復(fù)二極管兩種：采用先進(jìn)的擴(kuò)鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
盡管自20世紀(jì)70年代以來，與器件相關(guān)的SiC材料研究一直在進(jìn)行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品質(zhì)因素是有抱負(fù)的材料和器件科學(xué)家繼續(xù)推進(jìn)SiC
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
在市場上開始流通是在二十世紀(jì)初，而SiC MOSFET則僅有5年左右的歷史。首先對SiC半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)稍作說明。SiC是在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對于功率元器件來說很重
2018-12-03 15:12:02
半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
目錄 2H311000 機(jī)電工程常用材料及工程設(shè)備 2H311010 機(jī)電工程常用材料 2H311020 機(jī)電工程常用工程設(shè)備 2H312010 機(jī)電工程測量技術(shù) 2H312020
2021-06-30 07:32:15
（Ⅰ）、（Ⅱ）兩部分。第一部分為一般磁性、非金屬磁性和材料及磁共振。主要介紹一般和非金屬磁性、微波磁學(xué)、磁光學(xué)、磁電子學(xué)、磁記錄、各種磁共振（鐵磁、順磁、核磁共振和M ***auer效應(yīng)）。第二部分為金屬磁性
2019-07-30 08:04:09
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
手機(jī)零件材料及技術(shù)要求
2013-05-05 21:57:51
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
2019年日本國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會一、 展會情況介紹【展會名稱】2019年日本國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(INTERNEPCON Japan)【展會時間】2019年1月
2018-09-27 09:35:59
AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對汽車級離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩款符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的SiC功率器件，并強(qiáng)調(diào)了成功設(shè)計必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動汽車和混合動力汽車提供動力
2019-08-11 15:46:45
要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。印象中的Sic應(yīng)該運用于大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對節(jié)能和小型化貢獻(xiàn)巨大的功率元器件。③“數(shù)說”碳化硅碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。SiC
2017-07-22 14:12:43
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
電磁屏蔽材料及其原理介紹
2016-07-14 13:47:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
概述了國內(nèi)外納米磁性材料及器件研究與開發(fā)的進(jìn)展。具體介紹納米磁性粒子、鐵基納米晶軟磁合金、稀土永磁快淬磁粉、人工格、納米磁性絲、射頻用復(fù)合軟磁材料的制備工藝、
2009-06-25 10:22:46
12 電子鎮(zhèn)流器用磁性材料及器件的選擇和制作要點:根據(jù)電子鎮(zhèn)流器的基本電路原理，分析了種種照明燈中主要功能磁性器件和功能磁性器件的實際工作狀態(tài)和環(huán)境。
2009-08-23 11:22:4040 元器件資料及封裝圖片完整資料下載
2010-04-02 15:59:573728 軟磁材料及其半成品1．序言2． 材料及其應(yīng)用2.1 含72—83%鎳的鎳鐵合金2.2 含54—68%鎳的鎳鐵合金2.3 含45—50%鎳的鎳鐵合金2.4 含35—40%鎳的鎳鐵合金2.5 接近30%鎳
2010-04-08 10:23:5517 展會簡介：印度國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會由世界著名的展覽公司之一德國慕尼黑展覽公司主辦，是國際最大的電子元器件展——慕尼黑電子元器件展（electronica）
2006-04-15 17:25:521166 2005中國國際平面顯示器件、設(shè)備材料及零部件展覽會
2006-04-15 17:28:35910 SiC功率器件的封裝技術(shù)要點
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:2081 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速率
2017-11-24 06:54:521538 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵GaAs 砷化鎵GaAs 砷化鎵的電子
2017-12-07 14:37:191755 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0436486 
引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸，則功率器件的工作溫度將會提升到一個全新的高度。SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導(dǎo)率，而硅材料
2018-05-11 17:00:069141 
SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與Si相比具有擊穿場強(qiáng)高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點，適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。
2018-05-17 09:27:124668 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 文章簡要回顧了半導(dǎo)體的研究歷史，介紹了半導(dǎo)體材料與相關(guān)應(yīng)用，闡述了半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件的工作原理，并展示了半導(dǎo)體自旋電子學(xué)及低維窄禁帶半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀與發(fā)展前景。
2018-11-29 17:04:1711894 關(guān)鍵詞：導(dǎo)熱材料 , EMI屏蔽 近日，世強(qiáng)與Parker Chomerics（美國固美麗）簽訂代理協(xié)議。此后，世強(qiáng)及世強(qiáng)元件電商將代理銷售Parker Chomerics導(dǎo)熱材料及EMI屏蔽材料
2019-03-13 14:05:02643 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
為幫助行業(yè)人士高效、快速了解顯示行業(yè)，新材料在線?獨家策劃了《2019年顯示行業(yè)關(guān)鍵材料及市場研究報告》，為您全面介紹行業(yè)概況、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、上游關(guān)鍵原材料、本行業(yè)競爭格局及材料重點應(yīng)用領(lǐng)域。目錄如下：
2019-07-23 11:08:533818 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
是 21 世紀(jì)的關(guān)鍵前沿技術(shù)之一，歐美發(fā)達(dá)國家為促進(jìn)納米材料和技術(shù)的發(fā)展制定了多個科研計劃，投入巨額研發(fā)經(jīng)費，并在多個領(lǐng)域取得重要成果。 目前國內(nèi)規(guī)模較大的納米應(yīng)用產(chǎn)品主要集中在納米粉體材料及其相關(guān)產(chǎn)品。而納米生物
2020-10-10 17:20:167429 
汽車日漸走向智能化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，加上5G商用在即，這些將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元
2023-02-02 16:19:59969 納米材料電學(xué)測試方案將在本文中闡述，包括《納米線/碳納米管測試方案》、《二維/石墨烯材料測試方案》。納米材料電學(xué)測試SMU 應(yīng)用場景、測試特點及選型原則的示意圖，結(jié)合被測納米材料或納米電子器件的類型
2021-04-03 09:26:003099 
第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢
2021-05-03 16:18:0010175 
的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957 摘要：采用金摻雜替代作為深能級缺陷中心的汞空位，可明顯提高P型碲鎘汞材料少子壽命，進(jìn)而降低以金摻雜P型材料為吸收層n-on-p型碲鎘汞器件的暗電流，明顯提升了n-on-p型碲鎘汞器件性能。 是目前
2021-06-24 16:12:433158 
本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實驗性雙脈沖測試（DPT）結(jié)果驗證。
2022-05-05 10:43:232008 
【滲漏治理】煤粉集塵器堵漏的材料及步驟
2022-05-25 17:17:270 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠(yuǎn)未達(dá)到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:281551 介紹碳化硅功率二極管，包括碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）、碳化硅PiN二極管（PiN），碳化硅結(jié)/肖特基二極管（JBS），然后介紹碳化硅聚碳場效應(yīng)管、DMOSFET和幾種MESFET，第三部分是關(guān)于碳化硅雙極器件，如BJT和IGBT。最后，討論了SiC功率器件開發(fā)過程中的挑戰(zhàn)，特別是其材料生長和封裝。
2022-11-04 09:56:01564 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進(jìn)行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817 一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
后摩爾時代芯片互連新材料及工藝革新
2023-08-25 10:33:37499 
剛性PCB用材料及PTFE與FR4混壓工藝介紹
2022-12-30 09:21:092 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《太陽能電池光伏組件材料及部件.doc》資料免費下載
2023-11-02 10:25:440 點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49357 
眾所周知，硅（Si）材料及其基礎(chǔ)上的技術(shù)方向曾經(jīng)改變了世界。硅材料從沙子中提煉，構(gòu)筑了遠(yuǎn)比沙土城堡更精密復(fù)雜的產(chǎn)品。如今，碳化硅（SiC）材料作為一種衍生技術(shù)進(jìn)入了市場——相比硅材料，它可以實現(xiàn)更高
2023-12-21 10:55:02182 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107 
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