日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點(diǎn)是輸出功率密度高達(dá)60kW/L，這一數(shù)值達(dá)到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:46
2360 
碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更可減少所需的電容和感測(cè)器數(shù)量，已吸引愈來愈多太陽(yáng)能逆變器制造商青睞。
2013-06-25 09:25:301676 傳統(tǒng)光伏并網(wǎng)逆變器使用工頻變壓器進(jìn)行隔離，體積大、笨重、成本高、效率低。鑒于此，本文提出了一種利用半橋LLC串聯(lián)諧振電路進(jìn)行隔離的光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案，該設(shè)計(jì)方案分析了兩級(jí)式光伏并網(wǎng)逆變器各級(jí)結(jié)構(gòu)
2013-12-02 14:29:547786 
本文將介紹一款基于ARM控制的逆變器電源電路設(shè)計(jì)方案及其應(yīng)用。##系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)
2014-05-12 10:59:263362 的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強(qiáng)已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。
2015-10-14 09:52:221925 輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（重慶大學(xué)）的研究人員周林、解寶、鄭晨等，在2017年第18期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》上，提出一種單相并網(wǎng)LCL型逆變器的改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，能降低并網(wǎng)逆變器的直流母線電壓限制，擴(kuò)大逆變器在低功率場(chǎng)合下的應(yīng)用。
2017-12-09 07:40:0012687 在設(shè)計(jì)寬帶隙子系統(tǒng)（例如SiC逆變器和LLC諧振轉(zhuǎn)換器）時(shí)，在一些應(yīng)用中，KEMET的I類MLCC，KC-LINK可以用作合適的高效電容器解決方案。 在SiC逆變器中，DC-Link電容器需要
2021-03-30 11:03:023679 /ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見下圖）的設(shè)計(jì)提供完
2022-06-23 10:23:58570 
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
安全可靠的運(yùn)行帶來影響。因此針對(duì)基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元，重點(diǎn)研究了其低感設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì)方法，并提出了功率單元的整體設(shè)計(jì)方案。通過優(yōu)化疊層母排的結(jié)構(gòu)，將高壓交流模塊與低壓直流模塊
2024-02-22 09:39:26439 
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
(IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，這樣做的成本很高，而且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。 相反，設(shè)計(jì)人員可以使用現(xiàn)成的 IGBT 模塊，將多個(gè)功率器件組合到一個(gè)封裝中。此類模塊支持設(shè)計(jì)人員以最
2020-12-28 11:39:096991 
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
%。如該例所示，毫無疑問，SiC功率元器件將成為能源問題的一大解決方案。SiC的優(yōu)點(diǎn)如前文所述，利用SiC可以大幅度降低能量損耗。當(dāng)然，這是SiC很大的優(yōu)點(diǎn)，接下來希望再了解一下低阻值、高速工作、高溫
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
和過壓保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)高效的功率竊取。主要特色 高效的 24V 交流功率竊取低成本集成解決方案更長(zhǎng)的電池壽命快速且精確的電流限制精確過壓保護(hù)
2018-12-27 15:22:31
的GD3100和GD3160等柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)了智能化并允許編程，不僅可以在惡劣的運(yùn)行條件下保護(hù)SiC或IGBT功率器件，還可以提高系統(tǒng)效率，縮短故障檢測(cè)/反應(yīng)時(shí)間。GD3160結(jié)構(gòu)框圖集成的高電壓
2022-09-20 08:00:00
處理器經(jīng)過調(diào)制、濾波、升壓等，得到與照明負(fù)載頻率、額定電壓等相匹配的正弦交流電供系統(tǒng)終端用戶使用。有了逆變器，就可使用直流蓄電池為電器提供交流電。2、方案概述Ameya360 太陽(yáng)能發(fā)電逆變器解決方案主要
2018-09-17 13:48:44
技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)，雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后，通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合，雙方將能夠提供滿足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。
2023-03-29 15:06:13
。特別是對(duì)于負(fù)責(zé)進(jìn)行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言，其服務(wù)器的小型化和效率提升已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下，SiC功率器件因其有助于實(shí)現(xiàn)電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.
2023-03-02 14:24:46
逆變器，新的APS的輸出容量為136 kVA。圖31.2kV全SiC功率模塊包括SiC的MOSFET和SiC的SBD3、濾波電路的小型化表2顯示了采用1.7kV混合SiC功率模塊和1.2kV全SiC功率
2017-05-10 11:32:57
stm32 計(jì)方案與示例分享第二波ARM嵌入式系統(tǒng)的ISP設(shè)計(jì)AVR芯片的ISP全攻略簡(jiǎn)易LED光電特性測(cè)試裝置設(shè)計(jì)方案一種無線節(jié)水滴灌自動(dòng)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案一種ARM控制的逆變器的設(shè)計(jì)方案
2014-03-12 15:45:46
雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高的開關(guān)頻率，不僅可以通過降低電阻和開關(guān)損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引
2022-11-03 07:38:51
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開始，ROHM將為文圖瑞車隊(duì)提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了30
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
在太陽(yáng)能光伏（PV）和能量存儲(chǔ)應(yīng)用中，存在功率密度增加以及始終存在的提高效率需求的趨勢(shì)。該問題的解決方案以碳化硅（SiC）功率器件的形式出現(xiàn)。 ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器是單通道器件，在25 V工作電壓（VDD至VSS）下具有典型的7A源/灌電流驅(qū)動(dòng)能力
2020-05-27 17:08:24
摘要：傳統(tǒng)光伏并網(wǎng)逆變器使用工頻變壓器進(jìn)行隔離，體積大、笨重、成本高、效率低。鑒于此，本文提出了一種利用半橋LLC串聯(lián)諧振電路進(jìn)行隔離的光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案，該設(shè)計(jì)方案分析了兩級(jí)式光伏并網(wǎng)
2018-09-29 17:05:13
電壓波形；圖5（d）是逆變器電流輸出波形。從圖中我們可看出逆變器輸出電壓波形幾乎不失真，輸出電流THD控制在5%以內(nèi)，達(dá)到了很好的控制效果?！ ?.總結(jié) 本文提出的一種ARM控制的逆變器的設(shè)計(jì)方案
2018-11-29 11:13:17
是使模塊工作在17V,這樣一來，無論電池電壓是多少，都能從模塊獲取全部75W的功率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">高效DC/DC電源轉(zhuǎn)換器將控制器輸入端的17V電壓轉(zhuǎn)換為輸出端的電池電壓。由于DC/DC轉(zhuǎn)換器將電壓從17V降至
2018-09-29 17:16:38
隨著能源和環(huán)境問題日益凸顯，太陽(yáng)能作為一種清潔的可再生能源迅速發(fā)展，太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)施激增，其中
逆變器必不可少。安森美半導(dǎo)體的
功率集成
模塊（PIM）
方案提供高能效、高可靠性的
逆變器設(shè)計(jì)?！ ≡陔姵?/div>
2020-10-27 10:15:55
，SiC 功率模塊是首選解決方案，因?yàn)榕c傳統(tǒng) IGBT技術(shù)相比，它們提供更低的開關(guān)損耗。以下文章演示了采用 1200 V / 1200 A 三菱電機(jī) SiC 功率模塊的額定額定功率為 500 kW 的 DC
2023-02-20 15:32:06
分布式逆變器持續(xù)火熱，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相對(duì)成熟，功率密度要求不斷上升，逆變器的單機(jī)功率千瓦數(shù)也因此不斷得以提高。占據(jù)市場(chǎng)主流的逆變器，功率已經(jīng)從50~60KW過渡至70
2019-01-10 10:12:47
如何采用功率集成模塊設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性的太陽(yáng)能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
幾十年來最迅速的進(jìn)展。例如，新的符合AEC車規(guī)的ASPM 27三相智能功率模塊(IPM)，集成了驅(qū)動(dòng)器、IGBT和二極管，提供一種更小、更可靠的方案，增強(qiáng)了熱性能，用于諸如汽車空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、電動(dòng)油泵
2018-10-30 09:06:50
的開關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實(shí)現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢(shì)。由
2018-12-04 10:14:32
：基于AVR單片機(jī)的逆變并網(wǎng)裝置的設(shè)計(jì)200W太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)逆變器控制設(shè)計(jì)方案基于DSP 56F801的正弦波輸出DC-AC電源設(shè)計(jì)方案一種高頻鏈DC-AC矩陣變換器前級(jí)高頻逆變電路方案闡述基于臨界電流
2014-12-12 17:50:12
本人有一個(gè)項(xiàng)目，需要設(shè)計(jì)二個(gè)逆變器，直流（312V）轉(zhuǎn)三相交流（216V），和交流（380V）轉(zhuǎn)直流（510V）。征有經(jīng)驗(yàn)的高手提供可靠和實(shí)用，性價(jià)比高的方案，有獎(jiǎng)勵(lì)的哦。聯(lián)系：QQ815470444
2015-02-01 15:00:27
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導(dǎo)體相比
2017-07-22 14:12:43
山特UPS電源逆變器設(shè)計(jì)方案山特UPS電源逆變器設(shè)計(jì)方案TM S320F280… 山特6~10kw逆變器方案，源碼，原理圖，PCB檔案，。
2021-11-15 09:11:22
準(zhǔn)備做DC750v轉(zhuǎn)AC220V逆變器電源，700w左右的，大家有什么芯片及外圍方案推薦嗎?哪個(gè)廠家做這類芯片專業(yè)比較穩(wěn)定可靠？
2024-02-05 14:36:11
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
的輸出電流。圖4：逆變器損耗比較后記可以通過使用高速混合模塊實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率來減少電容器，電感器和變壓器等濾波電路的大批量和大質(zhì)量。高速IGBT減少的關(guān)斷損耗以及SiC-SBD引起的低導(dǎo)通和反向恢復(fù)
2020-09-02 15:49:13
近十年來，單相電網(wǎng)用igbt無刷直流電機(jī)逆變器進(jìn)展甚微。采用精確柵極驅(qū)動(dòng)的GaN fet(如Navitas GaN功率ic)可以提高性能。系統(tǒng)和運(yùn)行成本。非常低的功率損耗使熱工程更簡(jiǎn)單，而且高切換
2023-06-16 07:53:41
（IPS-RA）4. 航空級(jí)智能功率開關(guān)（IPS-AA）納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米／微電網(wǎng)V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
的原理的基礎(chǔ)上，提出了一種基于LCL型濾波器的光伏并網(wǎng)逆變器的設(shè)計(jì)方案，該方案中所設(shè)計(jì)的控制系統(tǒng)外環(huán)功率環(huán)采用模糊控制策略，內(nèi)環(huán)電流環(huán)釆用重復(fù)控制策略，該控制方法可以兼顧電流控制和直接功率控制的優(yōu)點(diǎn)，既保證了
2018-09-29 16:39:11
，汽車等。自從一開始，F(xiàn)raunhofer ISE就推廣了SiC技術(shù)并展示了其優(yōu)勢(shì)，這些設(shè)備在系統(tǒng)級(jí)為電力電子產(chǎn)品提供通過構(gòu)建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC，低
2019-10-25 10:01:08
率，同時(shí)提高功率和電流密度。在電動(dòng)汽車牽引逆變器中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，尤其是在功率水平 >100 kW 和 800V 總線下，需要具有可靠隔離技術(shù)、高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以及故障監(jiān)控和保護(hù)功能
2022-11-02 12:02:05
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
混合動(dòng)力汽車EV/HEV逆變器設(shè)計(jì)方案
隨著我們的元件不斷提供高成本效益、高效率和高功率密度，英飛凌也在推動(dòng)面向未來個(gè)人移動(dòng)性的電動(dòng)系統(tǒng)解
2010-04-10 11:25:531048 
太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)方案
本文對(duì)這些逆變器中采用的功率電路進(jìn)行了考察，并推薦了針對(duì)開關(guān)和整流器件的最佳選擇。 太陽(yáng)
2010-04-19 09:07:53851 基于H橋級(jí)聯(lián)型逆變器PWM控制設(shè)計(jì)方案
摘 要：本文主要對(duì)大功率高壓變頻器H橋級(jí)聯(lián)型逆變器的實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行了探討，主要從系統(tǒng)中
2010-04-27 09:38:326906 
介紹了一種利用軟開關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的逆變器的設(shè)計(jì)方案及工作原理，該技術(shù)降低了功率器件的開關(guān)損耗，提高了逆變器的效率。
2011-09-28 10:52:284809 
本文介紹了一種基于電壓前饋型控制芯片LM25037 的車載逆變器設(shè)計(jì)方案，闡述了電路的基本結(jié)構(gòu)、控制方案。
2012-09-10 16:04:339279 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111336 并網(wǎng)逆變器的設(shè)計(jì)方案并網(wǎng)逆變器的設(shè)計(jì)方案并網(wǎng)逆變器的設(shè)計(jì)方案
2016-01-11 14:04:56
18 日立運(yùn)用了以前開發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù)，開發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。
2016-09-26 18:06:141442 高效單級(jí)變換式LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)方案
2017-01-14 11:16:5013 有無變壓器又可分為變壓器型逆變器和無變壓器型逆變器。 200W太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)逆變器控制設(shè)計(jì)方案 本文介紹一款功率為200W太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)方案全過程，可將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電直接轉(zhuǎn)換為220V/50Hz的工頻正弦交流電
2017-11-14 11:01:5512 為了得到高達(dá) 20kHz 的開關(guān)頻率，賽米控在 SKiM功率模塊中集成了三電平逆變器結(jié)構(gòu)。SKiM IGBT 產(chǎn)品組合為光伏和 UPS 市場(chǎng)上提供了最優(yōu)的效率。相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)兩電平解決方案減少的損耗
2017-11-14 13:03:0211 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 基于TL494小功率逆變器設(shè)計(jì)方案資料下載
2018-05-22 10:18:15156
從晶圓制造到模塊生產(chǎn)，從低壓到高壓，山田部長(zhǎng)層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評(píng)。他介紹到，與傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優(yōu)勢(shì)是開關(guān)損耗大幅減小。對(duì)于特定逆變器應(yīng)用，這種優(yōu)勢(shì)
2018-10-19 16:20:514476 本視頻將通過中點(diǎn)鉗位拓?fù)鋵?duì)比、T型中點(diǎn)鉗位模塊、對(duì)IGBT模塊的高能效優(yōu)化等內(nèi)容介紹太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源UPS的T型逆變器功率集成模塊。
2019-03-04 06:25:003873 
在之前我們也講過很多關(guān)于逆變器的設(shè)計(jì)方案總歸各有各的優(yōu)點(diǎn)，有的簡(jiǎn)單有的實(shí)用，有時(shí)候發(fā)表的知識(shí)理論講解在真正使用時(shí)并不太行，今天直接給大家分享一個(gè)大功率的逆變器，這個(gè)電路的輸出功率可以達(dá)到50w，如果
2020-10-14 16:38:3110045 
半導(dǎo)體推出了新的碳化硅功率模塊，適用于太陽(yáng)能逆變器的使用，目前，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用于他們的M70A三相光伏組串逆變器。 安森美半導(dǎo)體的NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 m S
2020-10-20 20:39:041448 雙向儲(chǔ)能解決方案，包括混合逆變器在內(nèi)的雙向儲(chǔ)能解決方案要求高功率效率、性能和設(shè)備緊湊性。
2021-03-18 16:11:024897 山特UPS電源逆變器設(shè)計(jì)方案山特UPS電源逆變器設(shè)計(jì)方案TM S320F280… 山特6~10kw逆變器方案，源碼，原理圖，PCB檔案，。
2021-11-08 14:06:02119 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
碳化硅半導(dǎo)體 (SiC) 在工業(yè)產(chǎn)品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創(chuàng)新技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛認(rèn)為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆變器制造商已在其產(chǎn)品路線圖中為 SiC 的使用奠定了基礎(chǔ)。包括 SiC 在內(nèi)的一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)是 EMI、過壓和過熱。
2022-08-05 09:39:25621 
當(dāng)前功率器件的研究已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)新高度，而SiC功率模塊就是其中的熱門研究方向。
2022-10-19 09:22:23899 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51956 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372 
電動(dòng)汽車充電樁作為電動(dòng)汽車的能量補(bǔ)給裝置，充電時(shí)間和壽命是關(guān)系到其性能的最關(guān)鍵因素。這就對(duì)充電樁的充電效率提出了要求。本文針對(duì)兩電平15KW SIC充電樁的解決方案進(jìn)行了分析，同時(shí)簡(jiǎn)述了其他功率的充電樁設(shè)計(jì)方案。
2023-10-24 10:23:11709 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器
通過SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190 iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
隨著光伏發(fā)電技術(shù)的不斷發(fā)展，光伏逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)中的核心組件，其性能與效率直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果。廣芯微電子（廣州）股份有限公司近日發(fā)布了一套基于自研UM3243F主芯片的光伏微型并網(wǎng)逆變器方案平臺(tái)，這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)旨在為客戶提供穩(wěn)定高效、安全可靠的光伏微型并網(wǎng)逆變器的參考設(shè)計(jì)方案。
2024-03-13 11:42:25288 利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4668 
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