RM新时代专业团队,RM新时代是正规平台吗

功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實驗結(jié)果均表明該方法的正確性。

關(guān)鍵詞：功率MOSFETS；多管并聯(lián)；高頻；Q軌跡

引言

1 影響功率MOSFET并聯(lián)均流的因素

??? 1.1 內(nèi)部參數(shù)對并聯(lián)均流的影響

圖2

2 Q值對并聯(lián)均流的影響

??? 從圖1中實線可以看出，Q值越大，換向時間越短，開通損耗越低但關(guān)斷損耗增大；從圖1中虛線可以看出在線路中引入源極電感，器件的開關(guān)軌跡發(fā)生很大變化，開通損耗增加而關(guān)斷損耗減小。在高頻情況下，器件的開關(guān)時間和開關(guān)損耗對整個系統(tǒng)效率的提高至關(guān)重要。從上面的分析可知器件理想的工作條件應(yīng)該是在相對較高的Q值下。以下基于不同Q值，通過仿真軟件PSPICE分析外圍線路中各種寄生參數(shù)對并聯(lián)均流的影響。

圖3

??? 2.2 Q值對雙管并聯(lián)均流影響的仿真分析

??? 從圖4可以看出，引入源極電感Ls，并聯(lián)不均流得到改善，但Ls越大器件關(guān)斷時間越長。在設(shè)計中，并聯(lián)器件源極電感保持一致是必須的，尋找最優(yōu)的Ls（即Ls/Lx）使得并聯(lián)均流特性最好。表1為閾值電壓Vth相差10％，其它參數(shù)均一致情況下，分別取不同Q和Ls/Lx，器件開通和關(guān)斷過程中電流不均衡的仿真分析結(jié)果。其中Δi=iD1－iD2，為并聯(lián)兩管漏電流相差最大處的差值。

表1 內(nèi)部特性參數(shù)不一致下，Q和Ls/Lx不同對器件動態(tài)電流分布的影響

3 實驗驗證

??? 2）使Rg=10.0Ω，其它條件不變，漏極電流iD波形如圖6所示。

4 結(jié)語

??? 3）電路布局對稱并盡可能緊湊，連線長度相同且減短加粗并使用雙股絞線；

閱讀全文

功率MOSFET(21639) 功率MOSFET(21639)

功率MOSFET管

功率MOSFET管自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電

2009-11-07 09:23:12

1870

MOSFET陣列并聯(lián)放置多個功率MOSFET以減輕系統(tǒng)負擔

在強悍的動力系統(tǒng)設(shè)計者應(yīng)該知道所有關(guān)于MOSFET和他們的特殊電氣特點，但與MOSFET的陣列工作還可以另有一個獸。您可能會在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中看到的一種布置是并聯(lián)放置多個功率MOSFET。這樣可以減輕

2020-12-21 12:09:53

5488

功率場效應(yīng)管的基本特性，如何提高功率MOSFET的動態(tài)性能

。功率MOSFET的漏極之間有一個寄生二極管，當漏極與反向電壓連接時，器件連接。功率MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，有利于并聯(lián)器件時的均流。

2023-07-04 16:46:37

977

怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢？

為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。

2023-08-29 11:47:48

302

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快，對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感。

2021-09-06 11:06:23

3813

MOSFET的門源極并聯(lián)電容相關(guān)資料下載

MOSFET門源極并聯(lián)電容后，開關(guān)可靠性得到提升開關(guān)電路如下圖電路解釋開關(guān)電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關(guān)，當MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時，開關(guān)Q1導(dǎo)通；2.電路中D3作用為鉗位Q1門源

2021-12-30 07:40:23

MOSFET高速驅(qū)動設(shè)計

并不能完全均流。同時，由于受該震蕩回路的影響，電磁干擾，門極擊穿同樣是工程師面臨問題。而有效的控制MOSFET并聯(lián)時的自激震蕩我們需要注意以下幾點：1．保持各個MOSFET布線一直性。2．MOSFET

2018-12-10 10:04:29

mosfet并聯(lián)緩沖電容

有的文獻說mosfet并聯(lián)緩沖電容，可以提升效率？？是否有這一說法

2017-02-22 18:19:40

功率MOSFET技術(shù)提升系統(tǒng)效率和功率密度

通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率

2019-07-04 06:22:42

功率MOSFET晶體管學(xué)習(xí)手冊（應(yīng)用手冊+驅(qū)動電路方案）

本資料主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，對驅(qū)動電路進行了

2019-03-01 15:37:55

功率MOSFET的基本知識分享

SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。

2021-04-23 07:04:52

功率MOSFET的概念是什么？耗散功率如何計算？

功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算同步整流器的功耗如何計算

2021-03-11 07:32:50

功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/a>

和動態(tài)均流問題；目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小；器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常?。壳白钚〉臑?-4

2021-08-29 18:34:54

功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/a>

的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實際并聯(lián)時，還要考慮驅(qū)動的對稱性和動態(tài)均流問題；-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小

2021-09-05 07:00:00

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點是什么？為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻？

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？

2021-03-10 06:19:21

功率MOSFET結(jié)構(gòu)及特點

型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導(dǎo)通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多

2016-10-10 10:58:30

DCDC的并聯(lián)均流怎么設(shè)計

DCDC的并聯(lián)均流怎么設(shè)計

2022-05-05 11:01:21

IGBT均流解決問題

誰能幫我解釋一下：IGBT均流的問題：三相逆變的電流不平衡，相與相之間的電流相差10-15安培（兩個IGBT并聯(lián)在一起為一相電流）？

2012-06-02 09:02:05

IGBT并聯(lián)技術(shù)分析

等級，從而提升變流器的功率等級。考慮到前者功率密度相對較低，從性價比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)

2015-03-11 13:18:21

IGBT并聯(lián)設(shè)計參考

均流，而不是把重心放在模塊參數(shù)偏離所造成的影響。表1為說明哪些因素會引起均流的差異。并聯(lián)設(shè)計將集中在這些因素上面以優(yōu)化驅(qū)動回路、功率換流回路、模塊布局以及冷卻條件等, 其目的是確保每個并聯(lián)支路盡可能

2018-12-03 13:50:08

LTC3779并聯(lián)均流問題如何解決？

都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯(lián)，這個并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！

2024-01-08 07:21:12

MOS、三極管并聯(lián)使用時的均流電阻選?。?/a>

MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說不需要均流電阻。三極管是負溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯。現(xiàn)在

2021-01-05 18:19:30

MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析BJT 管并聯(lián)均流技術(shù)分析普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當單個MOSFET的電流或耗散功率

2015-07-24 14:24:26

MOS管并聯(lián)是什么意思

的均流，因此當電路中電流很大時，一般會采用并聯(lián)MOS管的方法來進行分流。采用MOS管進行電流的均流時，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導(dǎo)通電...

2021-10-29 07:04:37

N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征是什么

功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。

2021-03-02 08:40:51

PRM及VTM并聯(lián)應(yīng)用應(yīng)用筆記

PRM及VTM并聯(lián)應(yīng)用應(yīng)用筆記 此應(yīng)用筆記將介紹使用兩組PRM-AL和VTM做出更大功率而且均流的并聯(lián)步驟。如果應(yīng)用需并聯(lián)多過兩組PRM，請與應(yīng)用工程部聯(lián)絡(luò)。 [/hide]

2009-11-20 08:50:51

RF功率MOSFET產(chǎn)品的特點

RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一

2019-07-08 08:28:02

[原創(chuàng)]功率MOSFET管

;br/>交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作HI-FI音響；<br/>　　5．功率MOSFET可以多個并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。&lt

2010-08-12 13:58:43

dcdc電源模塊均流的方法與作用

均流。均流的方法有很多種。例如：1.輸出阻抗法，又叫下垂法、傾斜法、電壓調(diào)整率法。是通過調(diào)節(jié)電源的輸出內(nèi)阻的方式來實現(xiàn)的。這個方法的特點是簡單。但最大的缺點是電壓調(diào)整率差。2.主從設(shè)置法，人為的在并聯(lián)

2018-07-28 14:13:50

dcdc電源模塊并聯(lián)均流

流技術(shù)，那么這些技術(shù)在實際應(yīng)用的過程中應(yīng)該如何進行選擇？下面我們將會通過一個案例進行實例說明，看在實際操作中怎樣選擇最恰當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">并聯(lián)均流輸出方法?！　≡诒景咐校覀円笤O(shè)計并制作一個由兩個額定輸出功率

2018-10-23 15:58:49

【TL6748 DSP申請】并聯(lián)供電輔助變流系統(tǒng)

申請理由：四臺380V輔助逆變器并聯(lián)運行，運行過程中需要高速采集自身的運行狀態(tài)數(shù)據(jù)并共享給其他三臺輔助逆變器，用于四臺逆變器的均流控制以及相關(guān)的故障保護，由于C6748具有高達456MHz的主頻

2015-11-06 09:54:12

【原創(chuàng)文章】均流電路的講解

100KW要容易的多。所以就需要應(yīng)用到并聯(lián)，電壓源并聯(lián)就需要均流技術(shù)，大家想為什么需要均流，比如我們都是5v輸出的電源直接并起來不就好了嗎，理論是可以的，但是我們實際中的開關(guān)電源總是有誤差范圍的，比如

2021-08-05 10:11:22

三相全橋逆變器的并聯(lián)均流設(shè)計方案

的差異，導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設(shè)計了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗結(jié)果，試驗結(jié)果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。

2023-09-19 07:45:32

兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎

兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時間:2018-08-07 08:46 來源:電工之家兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源并聯(lián)使用，就是我們常說的開關(guān)電源有均流功能，只有開關(guān)電源有均流功能的才可以并聯(lián)

2021-11-12 08:37:34

幾個鋰電池并聯(lián)做大電流放電用不用均流？

準備用幾個鋰電池并聯(lián)做大電流放電(2.5A峰值)用不用均流？有專門的IC賣嗎？求解答謝謝~

2016-01-05 17:50:04

升壓大功率LED照明方案

；輸出恒流驅(qū)動 LED 的功率從 0.1W~50W 全系列；LED 模組可以串聯(lián)，并聯(lián)，串并聯(lián)結(jié)合等多種連接方式；電路拓樸支持降壓，升壓，升降壓等多種結(jié)構(gòu)；可以實現(xiàn)多領(lǐng)域多條件下的 LED恒流

2016-05-26 14:36:49

基于功率MOSFET的電動車磷酸鐵鋰電池保護應(yīng)用

所示。Q1為放電管，使用N溝道增強型MOSFET,實際的工作中，根據(jù)不同的應(yīng)用，會使用多個功率MOSFET并聯(lián)工作，以減小導(dǎo)通電阻，增強散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻，LP為電池引線電感?！　≌９ぷ?/div>

2018-09-30 16:14:38

基于AVR單片機的開關(guān)電源均流技術(shù)

本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報警的計算機均流技術(shù)方案,實現(xiàn)了數(shù)字均流的智能化控制。

2011-03-09 12:20:43

基于STM32的大功率數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計

"并聯(lián)均流系統(tǒng)")，給出了系統(tǒng)主要軟硬件的詳細設(shè)計方案?？傮w設(shè)計并聯(lián)均流系統(tǒng)由主控模塊和功率模塊組成，如圖1所示。主控模塊和功率模塊間以高效和高可靠性的CAN總線為通信媒介。主控模塊

2018-08-20 10:08:28

基于STM32的大功率數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計

集成度、豐富且性能出眾的片上外設(shè)、編程復(fù)雜度低等優(yōu)點。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實現(xiàn)多個電源模塊的并聯(lián)工作，提供更大的輸出功率，具有組合靈活、可靠性高、人機接口友善、工作模式多樣等

2018-08-30 14:00:49

基于UPS逆變器并聯(lián)控制技術(shù)分析

的進步，成為未來UPS發(fā)展的一個重要方向。實現(xiàn)模塊化的關(guān)鍵是逆變模塊之間的并聯(lián)均流控制，要求各個模塊同步輸出，即同幅、同頻、同相，否則在逆變器間將會產(chǎn)生很大的環(huán)流，對并聯(lián)系統(tǒng)造成不良影響甚至崩潰

2018-09-28 16:23:25

基于數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計方案

　　導(dǎo)讀：本文為了實現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片，通過

2018-11-29 17:10:58

多路LED如何實現(xiàn)均流

多路LED如何實現(xiàn)均流，比如我恒流總輸出5A，5路每路要1A；總輸出10A，10路，每路1A網(wǎng)上查的方案不是很清楚，精度5%以內(nèi)吧越高越好方案盡量簡單易于實現(xiàn)

2018-01-04 15:44:05

多顆MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究

某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會發(fā)熱比較嚴重，內(nèi)阻會升高比較多，電流就會降下來，由此可以分析出MOS管有自動均流的特性而易于并聯(lián)?！　?.MOS管的并聯(lián)電路　　理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)

2018-10-12 16:47:54

大功率開關(guān)電源并聯(lián)均流為什么越來越流行？

在電源的設(shè)計開發(fā)中，對于大功率電源的使用范圍也是越來越廣泛，此類電源是開關(guān)電源的一種，比較廣泛的應(yīng)用與電力通訊行業(yè)。大功率開關(guān)電源也同樣在近來幾年中開端盛行并聯(lián)均流的供電規(guī)劃。如今這樣的并聯(lián)均流

2016-04-07 11:40:06

如何實現(xiàn)均流呢？？求助?

兩相交錯并聯(lián)Boost電路，當兩支路的電感大小不同，而引起兩支路電流不相等時，應(yīng)該如何調(diào)節(jié)？？如何實現(xiàn)均流呢？？求助

2016-11-27 14:01:01

如何實現(xiàn)CV電子負載并聯(lián)均流？

并聯(lián)的話，多個負載間電流差異可能比較大。在網(wǎng)上也查了些資料，大部分是講恒流負載功率擴展并聯(lián)的，但是恒壓負載并聯(lián)使用的基本沒找到什么資料？請教高手指點一下，不甚感激！?。?/div>

2018-10-11 17:56:37

如何對功率MOSFET進行準確的電流檢測？

功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法？SenseFET方法檢測電流的工作原理是什么？影響電流檢測準確性的原因有哪些？

2021-04-21 07:16:38

如何計算MOSFET的功率耗散

過程詳述于圖1）?！　⊥秸髌鞯墓摹　〕钶p負載以外，各種情況下同步整流器MOSFET的漏-源電壓在打開和關(guān)閉過程中都會被續(xù)流二極管鉗位。因此，同步整流器幾乎沒有開關(guān)損耗，它的功率消耗很容易計算

2021-01-11 16:14:25

如何選型—功率 MOSFET 的選型？

使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型

2019-11-17 08:00:00

常使用的均流技術(shù)有哪幾種？

經(jīng)常使用的均流技術(shù)有6種

2021-03-16 06:59:35

開關(guān)轉(zhuǎn)換器并聯(lián)系統(tǒng)的均流技術(shù)

系統(tǒng)的發(fā)展和負載功率的擴大，促使人們研究和應(yīng)用開關(guān)轉(zhuǎn)換器模塊的并聯(lián)冗余技術(shù)?！　〈?b class="flag-6" style="color: red">功率的供電電源系統(tǒng)，需要用若干臺AC/DC或DC/DC轉(zhuǎn)換器并聯(lián)工作以滿足負載功率的要求。例如，通信用輸出為48 V

2011-11-10 11:29:25

怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時出現(xiàn)的問題？

怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時出現(xiàn)的問題？來糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。

2021-04-07 07:05:04

有關(guān)buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄

2017-04-17 23:59:52

橋式拓撲結(jié)構(gòu)功率MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計

摘要：針對橋式拓撲功率MOSFET因柵極驅(qū)動信號振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計及各寄生參數(shù)的驅(qū)動電路等效模型，對柵極驅(qū)動信號振蕩的機理進行了深入研究，分析了驅(qū)動電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)

2018-08-27 16:00:08

理解功率MOSFET的RDS(ON)負溫度系數(shù)特性

，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡，這也是功率MOSFET相對于晶體管最具有優(yōu)勢的一個特性。同樣對于一個功率MOSFET器件的內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作

2016-09-26 15:28:01

理解功率MOSFET的開關(guān)過程

動態(tài)恒流區(qū)、一段穩(wěn)定時間的米勒平臺恒流區(qū)，此時MOSFET均工作于放大狀態(tài)，這也可以理解：MOSFET在開關(guān)過程中，跨越恒流區(qū)（放大區(qū)），是MOSFET產(chǎn)生開關(guān)損耗的直接原因。

2016-11-29 14:36:06

理解功率MOSFET管的電流

MOSFET工作也可以工作在飽和區(qū)，即放大區(qū)恒流狀態(tài)，此時，電流受到溝道內(nèi)電子數(shù)量的限制，改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區(qū)進入穩(wěn)態(tài)工作可變電阻區(qū)，此時，VGS驅(qū)動電壓對應(yīng)的的放大恒流狀態(tài)

2016-08-15 14:31:59

電源并聯(lián)：電源簡化設(shè)計

，直接并聯(lián)這種電源的效果更糟糕。單象限電源只有負載均流誤差，但雙象限電源的調(diào)節(jié)會產(chǎn)生競爭性輸出電壓控制。這將導(dǎo)致超過負載電流的大電流在陣列中的電源間循環(huán)流動，并可能立即導(dǎo)致一個或多個電源過載。此外

2018-10-19 16:48:21

電源模塊并聯(lián)失效的原因和解決方法

技術(shù)發(fā)展的趨勢之一，是實現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點。1.不能并聯(lián)的根源很多工程師剛接觸電路系統(tǒng)設(shè)計時，總會把多個電源模塊并聯(lián)一起使用，導(dǎo)致模塊輸出無法均流，使得模塊輸出短路、啟動異常、損壞等現(xiàn)象。要

2015-09-25 09:52:58

自動負載均流法和電流自動均流在電源系統(tǒng)中應(yīng)用

和可靠運行。均流技術(shù)就是對系統(tǒng)中各并聯(lián)電源的輸出電流加以控制，盡可能均分系統(tǒng)輸入總電流，確保多臺電源可靠運行的一種特殊措施。圖1所示為多臺開關(guān)電源并聯(lián)均流實現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)的示意圖。本文就自動均流技術(shù)

2011-07-13 15:19:57

請教LTC3779電源均流設(shè)計問題

2018-07-27 08:56:50

請問并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點？

模塊電源市場日趨成熟，并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點？

2021-03-16 09:24:11

采用LTC4350實現(xiàn)并聯(lián)均流

基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應(yīng)用研究(2)

2019-04-22 11:40:09

驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

功率MOSFET并聯(lián)應(yīng)用

從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細的分析，并輔以仿真說明振蕩產(chǎn)生的原因。

2010-09-30 16:29:30

高頻功率MOSFET驅(qū)動電路及并聯(lián)特性研究

本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，

2010-11-11 15:34:22

201

基于移相控制的大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的研究

摘要：采用AVR單片機實現(xiàn)了大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的數(shù)字化控制，并設(shè)計了主電路系統(tǒng)，研究了移相全橋變換器的工作原理。電源采用模塊并聯(lián)技術(shù)和主從控制方式，構(gòu)成了N+1冗

2010-12-14 15:43:03

MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究

MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究 1 引言 MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵

2009-11-02 10:04:00

2009

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有

2009-11-10 10:53:13

4381

MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的研究

以功率MOSFET 、為開關(guān)元件．采用多管井聯(lián)的方式研制出1。kw 高頻感應(yīng)加熱電源．對該電源的逆變電路、控制電路、多管并聯(lián)驅(qū)動等問題做研究和實驗實驗結(jié)果表明：采用MOSFE]、多管并

2011-08-11 14:18:51

278

大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

關(guān)于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)的研究

2011-10-11 19:27:56

186

基于移相控制的大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的研究

采用AVR單片機實現(xiàn)了大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的數(shù)字化控制，并設(shè)計了主電路系統(tǒng)，研究了移相全橋變換器的工作原理。電源采用模塊并聯(lián)技術(shù)和主從控制方式，構(gòu)成了N+1冗余結(jié)構(gòu)，并研

2011-10-21 18:12:48

基于平均功率控制的中頻逆變器主從并聯(lián)系統(tǒng)研究_龍江濤

基于平均功率控制的中頻逆變器主從并聯(lián)系統(tǒng)研究_龍江濤

2017-01-08 10:11:41

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。仿真只是工具，仿真無法替代實驗，仿真只供參考，切勿癡迷迷信。以上寒暄既畢，我們直奔主題： 1、選取仿真研究對象 SiC MOSFET

2021-03-11 09:22:05

3311

功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計

功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計。

2021-03-22 17:23:16

功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個電阻?資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個電阻?資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2021-03-29 16:49:37

電容應(yīng)用：MOSFET的門源極并聯(lián)電容

2022-01-10 10:14:09

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

2022-08-01 09:51:15

1687

并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)

為了實現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會增加成本和復(fù)雜性，并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此，考慮到上述問題，專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案，而無需額外的篩選過程。

2022-08-04 08:59:51

3290