半導(dǎo)體生產(chǎn)商ROHM株式會(huì)社（總部：京都市）開發(fā)出了車載電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向等用途的長(zhǎng)邊電極類型電流檢測(cè)用超低阻值貼片電阻器“PML100系列”，6432（2512）的尺寸可以實(shí)現(xiàn)3W的額定功率。該產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)300萬個(gè)的規(guī)模開始量產(chǎn)（樣品價(jià)格：20日元）。生產(chǎn)地是ROHM
2011-01-28 09:11:12
909 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 瑞薩電子開發(fā)第三代車載SJ-MOSFET，計(jì)劃1～2年內(nèi)開始量產(chǎn)。該器件降低了導(dǎo)通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201467 ? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jī)的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的單位面積導(dǎo)通電阻*3。－40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻較以往產(chǎn)品降低62%、－60V耐壓產(chǎn)的導(dǎo)
2020-12-26 10:31:421900 羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
2022-03-09 09:33:582652 
、關(guān)斷延遲時(shí)間：：Td(off）、下降時(shí)間：tf。下面是從以低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)為特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術(shù)規(guī)格中摘錄的內(nèi)容。這些參數(shù)的名稱和符號(hào)，各廠家間可能
2018-11-28 14:29:57
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢(shì)。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
VDS由流過的電流ID與導(dǎo)通電阻的乘積來確定。為什么這個(gè)區(qū)被定義為可變電阻區(qū)呢？功率MOSFET數(shù)據(jù)表中定義的導(dǎo)通電阻都有一定的條件，特別是VGS，當(dāng)VGS不同時(shí)，溝道的飽和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39:07
(脈沖)：±2.5A(最大值)輸出MOSFET直流導(dǎo)通電阻：2.7Ω(Typ)工作箱溫度：-20°C~+100°C結(jié)溫：+150°C功耗：3.0W應(yīng)用：空調(diào)；空氣濾清器；水泵;洗碗機(jī)；洗衣機(jī)；通用OA設(shè)備典型應(yīng)用框圖：`
2019-12-28 09:47:29
有助于在應(yīng)用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動(dòng)；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載和工業(yè)設(shè)備中的大功率應(yīng)用，開發(fā)出12W級(jí)額定功率的業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外，ROHM針對(duì)已在15W級(jí)額定功率產(chǎn)品中達(dá)到
2023-03-14 16:13:38
泛的需求，ROHM還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達(dá)12款。本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)
2021-07-14 15:17:34
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開關(guān)，可通過軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
降低損耗”為目標(biāo)開發(fā)而成的。一般而言，導(dǎo)通電阻和Qg存在權(quán)衡關(guān)系，但利用ROHM獨(dú)有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了兩者的高度平衡?！鵓restoMOS是ROHM的商標(biāo)。開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗更低
2018-12-04 10:23:36
MOSFET選型和評(píng)估作業(yè)顯著減少，這一點(diǎn)對(duì)設(shè)計(jì)人員來說是相當(dāng)大的優(yōu)點(diǎn)。BD9G341AEFJ:實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的80V高耐壓與高效率的DC/DC轉(zhuǎn)換器 重點(diǎn)必看內(nèi)置高耐壓低導(dǎo)通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉(zhuǎn)換器 重點(diǎn)必看80V耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的定位與市場(chǎng)＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞DC/DC轉(zhuǎn)換器
2018-12-04 10:12:34
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè)，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進(jìn)獨(dú)自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實(shí)現(xiàn)了650V的高耐壓，還實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，開關(guān)速度也非?？臁＿@將大大改善開關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
。另外，這里提供的數(shù)據(jù)是在ROHM試驗(yàn)環(huán)境下的結(jié)果。驅(qū)動(dòng)電路等條件不同，結(jié)果也可能不同。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導(dǎo)通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優(yōu)于IGBT。?SiC-MOSFET的開關(guān)損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測(cè)試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
對(duì)體二極管進(jìn)行1000小時(shí)的直流8A通電測(cè)試，結(jié)果如下。試驗(yàn)證明，所有特性如導(dǎo)通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測(cè)試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
Booster技術(shù)，面向車載的DC/DC轉(zhuǎn)換器04 24V輸入，內(nèi)置MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器BD9E100FJ-LB是內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。輸入電壓范圍廣
2018-10-17 16:16:17
一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
器件相比，具有更低的導(dǎo)通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來源：ROHM Semiconductor）標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時(shí)，RDS(on) 導(dǎo)通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
電源型產(chǎn)品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內(nèi)置低導(dǎo)通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率?！ D9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導(dǎo)通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-05 10:01:25
用的電路板可以更加小型化，而且線路安裝設(shè)計(jì)也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開發(fā)的低導(dǎo)通電阻芯片，在使封裝小型化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)有SOP8 Dual產(chǎn)品同樣低的導(dǎo)通電阻。ROHM將要逐步大量生產(chǎn)封裝
2018-08-24 16:56:26
”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
自舉電路是在輸出開關(guān)上側(cè)晶體管使用Nch MOSFET時(shí)所必要的電路。最近許多電源IC都搭載該電路，因此在評(píng)估電源電路時(shí)最好事先理解其工作。Nch MOSFET的導(dǎo)通電阻低，作為開關(guān)使用的話可提升
2018-11-29 14:16:45
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級(jí)別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
的電子通過導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
和突然，因?yàn)橥ǔ５挠^點(diǎn)都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)多個(gè)并聯(lián)工作的功率MOSFET其中的一個(gè)溫度上升時(shí)，由于其具有正的溫度系數(shù)，導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小
2016-09-26 15:28:01
溝道MOSFET工作。這款N溝道MOSFET在VIN接近0V時(shí)支持超過2A的連續(xù)電流，并具有超低導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低功耗
2020-04-21 10:02:39
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞開關(guān)速度的高速化與誤開啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過調(diào)整柵極電阻來進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞開關(guān)速度的高速化與誤開啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過調(diào)整柵極電阻來進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:47
我有2個(gè)很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導(dǎo)通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請(qǐng)問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問有人知道這個(gè)是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET。簡(jiǎn)而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí)，漂移層會(huì)增厚，存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)器件導(dǎo)通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。 2、動(dòng)態(tài)特性；其測(cè)試電路和開關(guān)過程波形如圖3所示。 開通
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導(dǎo)通電阻，4A 集成負(fù)載開關(guān) 特性 說明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551003 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 半導(dǎo)體生產(chǎn)商ROHM株式會(huì)社開發(fā)出了車載電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向等用途的長(zhǎng)邊電極類型電流檢測(cè)用超低阻值貼片電阻器“PML100系列”，6432(2512)的尺寸可以實(shí)現(xiàn)3W的額定功率。該產(chǎn)品已經(jīng)
2010-09-14 09:22:26887 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)株式會(huì)社全新研發(fā)出超低阻值Jumper型電阻“PMR Jumper系列”，可將最大導(dǎo)通電阻值降低至0.5毫歐姆，同時(shí)并大幅提高額定電流
2011-11-28 09:23:131542 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。
2015-09-07 09:29:311923 一種超低比導(dǎo)通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01308 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 Charger：OBC）等領(lǐng)域擁有很高的市場(chǎng)份額。此次，導(dǎo)通電阻和短路耐受時(shí)間之間取得更好權(quán)衡的第4代SiC MOSFET的推出，除現(xiàn)有市場(chǎng)之外，還將加速在以主機(jī)逆變器為主的市場(chǎng)中的應(yīng)用。
2020-06-19 14:21:074198 
對(duì)于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí)，如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 對(duì)于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對(duì)于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。
2021-05-01 17:26:0014829 
ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:02748 
在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332872 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向需要對(duì)電子電路進(jìn)行電壓監(jiān)控以確保安全的各種車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用（包括車輛引擎控制單元和FA設(shè)備），開發(fā)出具有高精度和超低靜態(tài)電流的復(fù)位IC*1（電壓檢測(cè)器）“BD48HW0G-C”。
2022-07-06 12:38:142057 非常有助于提高無線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性！ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD
2022-12-01 14:28:49563 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET *1 “ RA1C030LD ”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無線耳機(jī)等可聽戴設(shè)備、智能手機(jī)
2022-12-14 15:10:06435 ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021451 
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng) 用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16539 
～非常適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)，有助于設(shè)備進(jìn)一步降低功耗和節(jié)省空間～ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開發(fā)出將兩枚100V
2023-08-23 12:05:05280 
波動(dòng)，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會(huì)提高，效率會(huì)變差，因此，如何同時(shí)兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機(jī)通常會(huì)使用多個(gè)MOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:41305 
)和HP8MEx(Nch+Pch)系列中。 近年來，通信基站和工業(yè)設(shè)備已從傳統(tǒng)的12V/24V系統(tǒng)轉(zhuǎn)向48V系統(tǒng)，以通過降低電流值來提高效率。在這些情況下，開關(guān)MOSFET需要具有100V的耐壓以應(yīng)對(duì)電壓波動(dòng)
2023-10-23 15:44:02482 ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V)， 這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V 、36V 、48V
2023-11-20 01:30:56189 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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