中國(guó)上海，2022年6月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動(dòng)電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品
2022-06-07 13:49:20
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國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:081422 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，其作為小型化尖端光繼電器領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)，現(xiàn)推出了光繼電器新家族（共五款），均采用業(yè)界最小型［1］封裝S-VSONR4（2.0mm×1.45mm）。新產(chǎn)品適用于自動(dòng)測(cè)試設(shè)備、存儲(chǔ)測(cè)試器、SoC／LSI測(cè)試器和探針卡等。即日開始供貨。
2019-06-11 18:11:44734 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的共計(jì)24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V
2020-12-26 10:31:421900 東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。
2021-11-30 15:24:191319 
---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。 ? ? 近年來，隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車需求的增長(zhǎng)，產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上
2023-02-06 10:01:471034 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14477 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
? 中國(guó)上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57664 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
是選擇小于1的電荷比QGD/QGS1。防止C dv/dt感應(yīng)導(dǎo)通的其他因素包括低驅(qū)動(dòng)漏極阻抗(同步MOSFET Q2的導(dǎo)通電阻RDS(on) 及其封裝，在抑制C dv/dt導(dǎo)通方面具備同等的重要性
2019-05-13 14:11:31
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢(shì)。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
中國(guó)上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動(dòng)轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)（EPS
2023-02-28 14:11:51
了開關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
反相電壓放大（共發(fā)射極（共源極）電路），輸入電壓（電流）增加，輸出電壓下降。是因?yàn)楣軌航档土?，相?dāng)于管子的電阻小了，電流大了
2012-07-09 17:45:33
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)，同時(shí)降低開關(guān)損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
用的電路板可以更加小型化，而且線路安裝設(shè)計(jì)也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開發(fā)的低導(dǎo)通電阻芯片，在使封裝小型化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)有SOP8 Dual產(chǎn)品同樣低的導(dǎo)通電阻。ROHM將要逐步大量生產(chǎn)封裝
2018-08-24 16:56:26
從半導(dǎo)體封裝到通信接口、電池和顯示技術(shù)，無不受到便攜式和小型化醫(yī)療電子設(shè)備需求的影響。芯片級(jí)封裝、裸片和撓性/折疊印刷電路板已經(jīng)極大地縮小了電子設(shè)備占用的總系統(tǒng)空間。將其同一些新的粘接和焊接流程技術(shù)
2019-05-17 07:00:02
的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)優(yōu)于 IGBT。考慮到所有開關(guān)損耗、導(dǎo)通電阻相關(guān)傳導(dǎo)損耗和內(nèi)部二極管的正向電壓損耗，基于 SiC MOSFET 的設(shè)計(jì)比基于 IGBT 的同類設(shè)計(jì)可節(jié)省約 66% 的損耗（圖 2）。這種效率改進(jìn)為
2023-02-22 16:34:53
超薄片式厚膜電阻器具有許多碳電阻器特性;它們可以做得很小，而且大批量的成本非常低。同時(shí)厚膜電阻器具有高達(dá)10TW（太歐姆）的高電阻值、非常高的溫度性能和高電壓能力，并且本質(zhì)上是無感的。它們適用于醫(yī)療
2024-03-15 07:17:56
描述該設(shè)計(jì)適用于小型蜂窩基站開發(fā)平臺(tái)。其提供兩條實(shí)際的接收路徑、兩條復(fù)雜的傳輸路徑和一條共享的實(shí)際反饋路徑。該設(shè)計(jì)具有小型蜂窩基站的尺寸，卻具有大型基站的性能。當(dāng)前設(shè)計(jì)可處理高達(dá) 20MHz 的帶寬
2018-12-12 14:00:18
保護(hù)等，在復(fù)雜的應(yīng)用條件下，保證電源的穩(wěn)定性和可靠性。8335采用TSOT23-8小型無鉛封裝，外圍電路簡(jiǎn)單，非常適用于PCB空間局限的產(chǎn)品。 特性：1、足3A持續(xù)負(fù)載能力2、6.5V-36V寬輸入
2019-07-09 08:59:57
適用于需要省空間且低噪特性的無線通信設(shè)備和PCIe板等。隨著設(shè)備高功能化，使電源部分小型化能有助于有效使用基板的空間。本產(chǎn)品已在WAKURA村田制作所開始量產(chǎn)，也可應(yīng)對(duì)客戶的樣品要求。特點(diǎn)小型：產(chǎn)品及包括
2019-03-03 17:52:03
Ω的器件。這器件與NTNS3A91PZ相反相成，后者是一款20V、單P溝道器件，VGS為±4.5V時(shí)RDS(on)為1.3Ω。 這兩款新MOSFET由于具有低導(dǎo)通阻抗、低閾值電壓及1.5V門極
2012-12-07 15:52:50
傳統(tǒng)的PIFA天線雖然將尺寸減小了一半，但相對(duì)快速小型化的移動(dòng)通信產(chǎn)品而言還是尺寸過大。本文根據(jù)傳統(tǒng)印制倒F型天線的工作原理，設(shè)計(jì)了一種折疊PIFA天線，尺寸只有16 mm×4.5 mm，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、制造成本低、工作效率高，適用于藍(lán)牙系統(tǒng)。
2023-09-25 08:25:33
/5732.2017_2D00_06_2D00_06_5F00_180313.png]圖2：在大多數(shù)電動(dòng)工具中，電子設(shè)備位于手柄中傳統(tǒng)意義上講，適用于驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)的FET其封裝又大又重，如TO-220、DPAK和D2PAK。TI的小型無引線封裝（SON）5mm
2018-06-27 09:58:14
ASEMI 快恢復(fù)二極管MURF2040CT適用于多大頻率的電器？
2017-04-25 13:10:52
` ECEC在原有貼片石英晶振生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上推出了超小型化，超薄型貼片封裝的石英晶體諧振器，sx-3225，詳細(xì)尺寸為：3.2*2.5*0.7mm typ，頻率范圍從
2011-07-14 14:38:34
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
不會(huì)影響其他參數(shù)的性能。例如，采用 LFPAK88銅夾片封裝的 Nexperia PSMNR90-50SLH 在 10 V 柵源電壓下具有 0.9 mΩ的最大導(dǎo)通電阻。且最大漏極電流額定值可達(dá) 410
2022-10-28 16:18:03
大，而MOSFET的導(dǎo)通電阻大，卻有著驅(qū)動(dòng)電流小的優(yōu)點(diǎn)。IGBT正是結(jié)合了這兩者的優(yōu)點(diǎn)：不僅驅(qū)動(dòng)電流小，導(dǎo)通電阻也很低。 具有四個(gè)交替層（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導(dǎo)體
2020-07-07 08:40:25
選。這些產(chǎn)品包括用于電信設(shè)備和服務(wù)器的高效交流/直流開關(guān)電源和直流/直流轉(zhuǎn)換器、D類放大器和電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)裝置等。器件概念1998年，采用600 V CoolMOS?技術(shù)的商用化產(chǎn)品被推出，適用于功率
2018-12-07 10:21:41
通電阻比普通產(chǎn)品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個(gè)封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化， 還有助于減少器件選型
2021-07-14 15:17:34
兩方面的損耗少與效率改善密切相關(guān)。另外，損耗少的話，發(fā)熱就會(huì)少，因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關(guān)。－ 這涉及到第二個(gè)課題小型化對(duì)吧。進(jìn)一步講，一般MOSFET的導(dǎo)通電阻很大程度地依賴于元件
2019-04-29 01:41:22
`SUN2310SGP溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。 主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
前 言 功率開關(guān)器件（如MOSFET， IGBT）廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的電力電子設(shè)備中，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。因此，實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更低的導(dǎo)
2023-02-27 16:14:19
Taiyo Yuden (U.S.A.)公司推出NR3012系列小型線繞功率電感，適用于電池供電便攜式設(shè)備電源電路應(yīng)用。 該電感高度為1.2mm，包括65種不同的型號(hào)，尺寸包括3×3mm和4
2018-11-19 17:13:23
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
與其他電子設(shè)備一樣，近年來對(duì)電機(jī)智能化、小型化、高效化的需求日益高漲。這是因?yàn)槿蚪?0%的電力需求均使用電機(jī)驅(qū)動(dòng)，滿足這些需求已成為當(dāng)務(wù)之急。BD9227F根據(jù)MCU生成的PWM信號(hào)來線性控制輸出
2018-12-04 10:18:22
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
推出了適用于大容量鋰電池的快充芯片hl7026。該系列芯片可實(shí)現(xiàn)5v 3a的快速充電，能夠滿足用戶對(duì)大容量鋰電池上實(shí)現(xiàn)快速高效的充電需求。HL7026是5V輸入全集成的開關(guān)模式充電器，芯片內(nèi)置了電壓
2020-08-19 15:44:42
分享幾個(gè)選擇小型化光纖連接器的訣竅
2021-05-21 06:58:03
的封裝。如圖2所示，低邊 MOSFET的導(dǎo)通電阻比高邊 MOSFET的低，這會(huì)導(dǎo)致焊盤區(qū)的大小不一致。事實(shí)上，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻是器件的關(guān)鍵特性。即使封裝尺寸變小了，還是有可能在最高4.5V電壓
2013-12-23 11:55:35
包括最大額定值表、電氣特性表，性能曲線和封裝等信息，后面將更詳細(xì)地解說。數(shù)據(jù)表的第一頁用于提供MOSFET概覽，包括關(guān)鍵特性和目標(biāo)應(yīng)用。首頁還包含最大額定值表、熱特性、器件符號(hào)、引腳連接和導(dǎo)通電阻規(guī)格
2018-10-18 09:13:03
時(shí)，在P-和柵極相鄰的區(qū)域，形成垂直的溝道，電流從漏極流向源極時(shí)，同樣的，電流垂直流過硅片內(nèi)部，可以看到，柵極的寬度遠(yuǎn)小于垂直導(dǎo)電的平面結(jié)構(gòu)，因此具有更小的單元的尺寸，導(dǎo)通電阻更小。常用的溝槽有U型
2016-10-10 10:58:30
如何在現(xiàn)實(shí)中實(shí)現(xiàn)可穿戴設(shè)備的小型化呢？芯片級(jí)尺寸封裝有什么好處？芯片級(jí)尺寸的MCU如何適應(yīng)可穿戴設(shè)計(jì)中的尺寸限制？
2021-04-19 11:21:42
為持續(xù)應(yīng)對(duì)便攜式產(chǎn)品業(yè)對(duì)分立元件封裝的進(jìn)一步小型化的需求，安森美半導(dǎo)體（ON SEMICONDUCTOR）推出封裝僅為1.4mm x 0.6mm x 0.5mm SOD-723的三種新型肖特基
2008-06-12 10:01:54
，如那些用于在移動(dòng)設(shè)備中采用2.5 V或1.8 V低電壓工作的負(fù)載開關(guān)及接口的小信號(hào)MOSFET,必須追尋其它技術(shù)來減小封裝尺寸和每個(gè)裸片尺寸的導(dǎo)通電阻。事實(shí)上，每個(gè)裸片尺寸的導(dǎo)通電阻是主導(dǎo)用于負(fù)載
2018-09-29 16:50:56
發(fā)熱量。這可使冷卻器進(jìn)一步簡(jiǎn)化。例如，可實(shí)現(xiàn)散熱器的小型化、以自然空冷代替水冷和強(qiáng)制空冷。這些都有利于系統(tǒng)整體的小型化和降低成本。高速開關(guān)使工作頻率可以更高，有利于電感器和電容器等外圍元器件的小型化。這與正常
2018-12-04 10:14:32
FDC6324L是一款集成負(fù)載開關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡(jiǎn)單
2021-11-27 12:14:08
NexFET 器件可在不影響高柵極電荷的情況下，通過 TO-220 封裝實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低導(dǎo)通電阻，從而可在更大電流下為設(shè)計(jì)人員提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率。CSD19506 可在高達(dá) 80V 的輸入電壓下支持 2.0
2018-11-29 17:13:53
多芯片驅(qū)動(dòng)器加FET技術(shù)是如何解決小型化DC/DC應(yīng)用設(shè)計(jì)問題的？
2021-04-21 06:50:18
效應(yīng)和電壓振鈴的Q2封裝。同步MOSFET Q2的導(dǎo)通電阻RDS(on) 及其封裝，在抑制C dv/dt導(dǎo)通方面具備同等的重要性。實(shí)際上，近幾年來，MOSFET供應(yīng)商對(duì)各種封裝進(jìn)行了大幅改進(jìn)，使通態(tài)電阻變得
2011-08-18 14:08:45
12V電源浪涌的要求是什么？求一個(gè)12V電源口的浪涌保護(hù)雷卯電子推出小型化的方案
2022-01-14 07:35:40
求一個(gè)適用于高頻開關(guān)電路的mosfet，極間電容要小一點(diǎn)，越小越好
2019-08-19 13:47:23
的電子通過導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
是TrenchFET（如圖1所示）。圖1 MOSFET結(jié)構(gòu)比較 TrenchFET技術(shù)的廣泛使用是由于它替代平面技術(shù)的特定管芯尺寸下具有極低的導(dǎo)通電阻,唯一的不足就是寄生電容通常會(huì)有所增加。面積比較大的溝道墻
2012-12-06 14:32:55
近年來各種電子產(chǎn)品向小型化和微型化發(fā)展，并以大爆炸的形式進(jìn)入人們的生活。其中供電電源的體積及重量占了整個(gè)產(chǎn)品的一大部分，電源變壓器、電源控制IC、MOS管、整流二極管、電解電容及瓷片電容等元器件
2018-10-10 16:49:11
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢(shì)壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
(Typ.)500mA-40℃～85℃應(yīng)用示例該產(chǎn)品效率高、體積小，適用于可穿戴式設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、電池驅(qū)動(dòng)的IoT設(shè)備（傳感器節(jié)點(diǎn)等）、小型工業(yè)設(shè)備（報(bào)警器、警報(bào)設(shè)備、電子貨架標(biāo)簽等）。同樣也適用于能量收集
2018-12-05 10:03:29
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
以檢查性能圖，并嘗試確定哪些零件更能承受低V GS。最大值最好通過選擇具有適當(dāng)閾值特性和低導(dǎo)通電阻的MOSFET來嘗試優(yōu)化性能，但是確保不要破壞或嚴(yán)重削弱該器件也很重要，這就是“極限”所在玩。最大漏極
2019-10-25 09:40:30
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
*3.2*1.0。不管是多么超薄的手機(jī)，都可以使用。這款一體成型電感不僅僅適用于手機(jī)，如今的攝像設(shè)備更是向小型化發(fā)展，一體成型電感更是適用于這些設(shè)備中。谷景電子專注于設(shè)計(jì)、研發(fā)、銷售高品質(zhì)貼片繞線電感，工字電感，環(huán)型電感以及相關(guān)安規(guī)器件電感，并提供完善的技術(shù)服務(wù)與專業(yè)的解決方案。`
2020-06-19 11:26:30
防止兩個(gè)MOSFET管直通，通常串接一個(gè)0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開關(guān)設(shè)備。這兩種電路特 點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2023-02-27 11:52:38
AN系列是以“漏極-源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 適用于汽車的DirectFET2功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、
2010-01-26 16:25:041154 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 TE Connectivity （TE）公司宣布推出了適用于各種移動(dòng)和其它小封裝設(shè)備的3.5毫米壓接式A/V接口。
2011-06-07 08:40:40540 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:30963 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 東京—東芝公司今天宣布推出“TC78H610FNG”。“TC78H610FNG”是東芝公司H橋［1］驅(qū)動(dòng)器芯片（IC）系列的最新產(chǎn)品，適用于低電壓有刷直流電機(jī)，如用于電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備、相機(jī)設(shè)備和家用電氣設(shè)備的電機(jī)，量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。
2014-08-08 13:34:061396 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01308 東芝公司（Toshiba）推出一款適用于移動(dòng)設(shè)備的小型1.0 x 1.0mm無引線式封裝單閘邏輯集成電路（IC）。新產(chǎn)品TC7SZ32MX將于即日起出貨。除現(xiàn)有的小型1.0 x 1.0mm引線
2018-11-13 11:53:38756 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社（日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理：芝宮 孝司 第一東京證券交易所:6616）開發(fā)了2種MOSFET新產(chǎn)品--XP22x系列（20V耐壓） 此次發(fā)售的產(chǎn)品是具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)
2020-09-03 10:28:201711 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。 ? 近年來，隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車需求的增長(zhǎng)，產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu)，
2023-02-04 18:31:452676 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
” 。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路 [1] 等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的 [2] 3.1mΩ最大
2023-06-29 17:40:01368 
本公司將硬盤驅(qū)動(dòng)器主軸電機(jī)研發(fā)過程中積累下來的FDB（液壓軸承）技術(shù)應(yīng)用于風(fēng)扇電機(jī)，致力于研發(fā)更加小型化、超薄化的風(fēng)扇電機(jī)。
2022-10-05 13:29:07781 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32732 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22320 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10460
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