MOSFET的輸出特性在原點附近呈線性對稱關(guān)系，因而它們常用作模擬開關(guān)。模擬開關(guān)廣泛地用于取樣——保持電路、斬波電路、模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路等。下面著重介紹CMOS傳輸門。

　　所謂傳輸門（TG）就是一種傳輸模擬信號的模擬開關(guān)。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強型MOSFET并聯(lián)而成，如上圖所示。T_P和T_N是結(jié)構(gòu)對稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的。設(shè)它們的開啟電壓|V_T|=2V且輸入模擬信號的變化范圍為-5V到+5V 。為使襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時刻都不致正偏 ，故T_P的襯底接+5V電壓，而T_N的襯底接-5V電壓 。兩管的柵極由互補的信號電壓（+5V和-5V）來控制，分別用Ｃ和表示。
　　傳輸門的工作情況如下：當C端接低電壓-5V時T_N的柵壓即為-5V，v_I取-5V到+5V范圍內(nèi)的任意值時，T_N均不導通。同時,T_P的柵壓為+5V
，T_P亦不導通。可見，當C端接低電壓時，開關(guān)是斷開的。
　　為使開關(guān)接通，可將C端接高電壓+5V。此時TN的柵壓為+5V ，v_I在-5V到+3V的范圍內(nèi)，T_N導通。同時T_P的棚壓為-5V ，v_I在-3V到+5V的范圍內(nèi)T_P將導通。
　　由上分析可知，當v_I＜-3V時，僅有T_N導通，而當v_I＞+3V時，僅有T_P導通當v_I在-3V到+3V的范圍內(nèi)，T_N和T_P兩管均導通。進一步分析
還可看到，一管導通的程度愈深，另一管的導通程度則相應(yīng)地減小。換句話說，當一管的導通電阻減小，則另一管的導通電阻就增加。由于兩管系并聯(lián)運行，可近似地認為開關(guān)的導通電阻近似為一常數(shù)。這是CMOS傳輸出門的優(yōu)點。
　　在正常工作時，模擬開關(guān)的導通電阻值約為數(shù)百歐，當它與輸入阻抗為兆歐級的運放串接時，可以忽略不計。
　　CMOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號的開關(guān)之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。