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對(duì)稱柵極控制驅(qū)動(dòng)電路

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是兩個(gè)重要的參數(shù),它們對(duì)電流的影響非常顯著。 首先,我們來(lái)討論MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響。在MOSFET中,柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動(dòng)。當(dāng)柵極電路的電壓為零時(shí),MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài),即沒(méi)有電流通過(guò)MOSFET。當(dāng)柵極電路的電壓為正時(shí),會(huì)形成一
2023-10-22 15:18:12279

igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響?

igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管,由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14174

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的振蕩問(wèn)題解析

上一篇文章我們介紹過(guò),為了使MOS管完全導(dǎo)通,需要盡量提高柵極驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢,即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好?
2023-08-14 09:34:18851

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案

MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中,我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求,然后介紹了一種能夠解決這些問(wèn)題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57397

MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

MOS管開(kāi)關(guān)電路在DC-DC電源、開(kāi)關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用,今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-08-03 09:44:25661

滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品

電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT或功率MOSFET)的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動(dòng)
2023-06-08 14:03:09164

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。 為了操作 MOSFET,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于源極或發(fā)射極)。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:39962

柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用

柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:523015

MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用

MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等
2023-05-04 09:43:01398

7種MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路

首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長(zhǎng)度,增加走線寬度,盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置,從而達(dá)到減少寄生電感,消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:383998

茂睿芯柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用原理與技術(shù)特點(diǎn)

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-04-18 13:52:56374

一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的簡(jiǎn)單電路

討論了如何使用一個(gè)雙開(kāi)關(guān)反激式電路來(lái)提升低功耗隔離式轉(zhuǎn)換器的效率。與單開(kāi)關(guān)反激式電路相比,雙開(kāi)關(guān)反激式電路的主要代價(jià)就是需要一個(gè)浮動(dòng)的高側(cè)驅(qū)動(dòng)。一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)變壓器通常用于雙開(kāi)關(guān)反激式電路的高側(cè)FET,而柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的使用是需要一些技巧的。如果磁芯沒(méi)有在每個(gè)周期內(nèi)正確復(fù)位,那么它就有可能飽和。
2023-04-15 10:42:47652

電力電子IGBT柵極驅(qū)動(dòng)

 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來(lái)越重要。   功率
2023-04-04 10:23:45307

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:39540

用于電力電子器件的柵極驅(qū)動(dòng)

柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來(lái)越重要。
2023-03-23 16:48:48341

強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南

????? 在開(kāi)關(guān)電源的組成中,柵極驅(qū)動(dòng)器作為連接控制級(jí)與功率級(jí)的橋梁,對(duì)系統(tǒng)的正常運(yùn)行至關(guān)重要。在新能源汽車(chē)市場(chǎng),尤其是關(guān)乎人身安全的車(chē)載充電器應(yīng)用中,對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的可靠性的要求越來(lái)越高。本文以低側(cè)驅(qū)動(dòng)器為例,列舉出在柵極驅(qū)動(dòng)器的潛在失效風(fēng)險(xiǎn)以及對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)指南,以便提高柵極驅(qū)動(dòng)器的可靠性。
2023-03-16 10:13:32596

利用對(duì)稱性化簡(jiǎn)求解對(duì)稱電路

進(jìn)行電路分析時(shí),有些電路具有對(duì)稱性。 利用其對(duì)稱性可以化簡(jiǎn)電路求解。 如圖1所示電路,沿中間R3支路對(duì)折后,兩部分電路完全重合,這樣的電路就是對(duì)稱電路,R3支路為其對(duì)稱軸。 對(duì)稱電路對(duì)折后,重合的點(diǎn)為對(duì)稱點(diǎn),對(duì)稱點(diǎn)的電位相等。
2023-03-09 14:38:301565

專用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果

這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行特性對(duì)比。在電路構(gòu)成中,有上次介紹過(guò)的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),作為柵極誤導(dǎo)通對(duì)策,增加微法級(jí)的CGS,對(duì)VGS施加-5V作為負(fù)偏壓(搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊)。
2023-02-27 13:38:59128

柵極誤導(dǎo)通的處理方法

使用評(píng)估電路來(lái)確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動(dòng)電路示例,柵極驅(qū)動(dòng)L為負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET,使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接,來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況。
2023-02-27 11:50:44380

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理學(xué)習(xí)

1.PWM直接驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)主開(kāi)關(guān)晶體管柵極的最簡(jiǎn)單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動(dòng)輸出,如圖(1)如 圖 8中所示,PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動(dòng)和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:172

變壓器耦合柵極驅(qū)動(dòng)

在高電壓柵極驅(qū)動(dòng) IC 出現(xiàn)以前,使用柵極驅(qū)動(dòng)變壓器是唯一一種在離線或類似高電壓電路驅(qū)動(dòng)高側(cè)開(kāi)關(guān)的可行解決方案。 現(xiàn)在,兩種解決方案同時(shí)存在并且各有利弊,可用于不同的 應(yīng)用非常重要。集成高側(cè)
2023-02-23 16:06:278

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路學(xué)習(xí)筆記之柵極驅(qū)動(dòng)參考

晶體管柵極的最簡(jiǎn)單方法是利用 PWM 控制其直接控制柵極,如 圖 8 所示。 直接柵極驅(qū)動(dòng)最艱巨的任務(wù)是優(yōu)化電路布局 。如 圖 8 中所示,PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動(dòng)和接
2023-02-23 15:59:0012

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)

高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來(lái)分類。相應(yīng)地,無(wú)論是
2023-02-23 15:35:240

交流耦合柵極驅(qū)動(dòng)電路

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2022-12-22 11:09:19905

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2022-08-01 18:20:00727

大功率MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片EG2131資料

G2131是一款高性價(jià)比的大功率MOS管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片,內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、欠壓關(guān)斷電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路,專用于無(wú)刷電機(jī)控制器中的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-04-20 15:06:3913

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理

MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1757

高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)

關(guān)于高壓柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路設(shè)計(jì)方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476

LTC3725:?jiǎn)伍_(kāi)關(guān)正向控制器和柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品手冊(cè)

LTC3725:?jiǎn)伍_(kāi)關(guān)正向控制器和柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品手冊(cè)
2021-05-17 16:46:095

柵極驅(qū)動(dòng)接口電路資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供柵極驅(qū)動(dòng)接口電路資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:42:1614

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820

如何使用柵極電荷設(shè)計(jì)功率MOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路

 不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來(lái)確定元件值,從而開(kāi)始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?;?b style="color: red">柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0021

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用舉例

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0011668

STGAP2SCM電流隔離4A單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案

ST公司的STGAP2SCM是電流隔離1700V單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能隔離柵極驅(qū)動(dòng)通路與低壓控制電路和接口電路。驅(qū)動(dòng)電流4A,并具有軌到軌輸出,是得器件適合于大功率逆變器應(yīng)用如工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。器件有兩種不同的配置:?jiǎn)为?dú)輸出引腳允許采用專用柵極電阻來(lái)單獨(dú)優(yōu)化開(kāi)和關(guān)閉狀態(tài)。
2019-08-04 11:06:204034

主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路

主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:293204

最實(shí)用的柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型指南

英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案,用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器,從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:3226376

(IR)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(HVIC)的數(shù)據(jù)表解讀資料pdf下載

(IR)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(HVIC)的數(shù)據(jù)表解讀資料
2018-04-13 11:33:059

柵極關(guān)斷阻抗的驅(qū)動(dòng)電路

和開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問(wèn)題分別進(jìn)行分析,柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問(wèn)題的驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理,提供主
2018-01-10 15:41:223

MOSFET柵極應(yīng)用電路作用與驅(qū)動(dòng)電路解析

MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等
2018-01-05 09:14:1327176

功率驅(qū)動(dòng)器件與柵極驅(qū)動(dòng)接口電路的設(shè)計(jì)技巧解析

口(I/O)與功率電子驅(qū)動(dòng)電路接口,并講述了如何正確地進(jìn)行相關(guān)硬件及軟件開(kāi)發(fā)的方法。 柵極驅(qū)動(dòng)接口電路 半橋輸出電路結(jié)構(gòu)可用于控制多種馬達(dá),包括有刷直流馬達(dá)、無(wú)刷直流馬達(dá)、交流感應(yīng)式馬達(dá)及永磁交流馬達(dá)。電源級(jí)電路需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)接口電路,該電路至少應(yīng)具
2017-11-06 10:38:287

了解您的柵極驅(qū)動(dòng)

觀看視頻系列,“了解您的柵極驅(qū)動(dòng)器”。 柵極驅(qū)動(dòng)器雖然經(jīng)常被忽視,但是它在電源和電機(jī)控制系統(tǒng)等系統(tǒng)中發(fā)揮著很重要的作用。我喜歡把柵極驅(qū)動(dòng)器比作肌肉!該視頻系列說(shuō)明了柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理,并重點(diǎn)介紹了
2017-04-26 15:18:383155

非完全對(duì)稱驅(qū)動(dòng)高速無(wú)人艇軌跡跟蹤控制_萬(wàn)磊

非完全對(duì)稱驅(qū)動(dòng)高速無(wú)人艇軌跡跟蹤控制_萬(wàn)磊
2017-01-08 13:49:170

利用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)H電橋

H 電橋電路用于許多存在高壓和其它電氣風(fēng)險(xiǎn)的電源應(yīng)用,如逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等.為提供安全保護(hù),設(shè)計(jì)人 員可以利用兩個(gè)雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器將控制電路與 H 電橋隔離開(kāi)來(lái),例如
2012-05-30 11:27:1897

IR高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路應(yīng)用手冊(cè)

本內(nèi)容提供了IR高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路應(yīng)用手冊(cè)
2011-11-21 15:39:41172

IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)

IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問(wèn)題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng),基本電路參數(shù)的選擇原則,還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41208

一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路

摘要:介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路通過(guò)循環(huán)儲(chǔ)存在柵極電容中的能量來(lái)實(shí)現(xiàn)減少驅(qū)動(dòng)功率損耗的目的,從而保證了此驅(qū)動(dòng)電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:1253

高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(應(yīng)用手冊(cè))

高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(應(yīng)用手冊(cè)):高壓側(cè)器件的柵極驅(qū)動(dòng)要求,典型MOS柵極驅(qū)動(dòng)器(MGD)的框圖,自舉工作原理,如何選擇自舉元件等內(nèi)容。
2010-01-04 17:17:5780

IR2117 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路

單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117 IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:005717

設(shè)計(jì)高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路與損耗

Mini-SPM系列產(chǎn)品,為低功率 (100W ~ 2.2kW) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路提供高效率、高可靠性和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便的方案。Mini-SPM采用內(nèi)置高壓驅(qū)動(dòng)IC (HVIC) 作為柵極驅(qū)動(dòng)電路,使設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單緊湊,從而大幅降低
2009-10-01 14:20:0619

FET柵極驅(qū)動(dòng)方法電路

FET柵極驅(qū)動(dòng)方法電路
2009-08-15 17:31:21684

功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路

功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:182084

典型柵極驅(qū)動(dòng)電路框圖

典型柵極驅(qū)動(dòng)電路框圖
2008-11-05 23:14:23819

[圖文]全互補(bǔ)對(duì)稱功放電路

下圖是一個(gè)采用全互補(bǔ)對(duì)稱電路驅(qū)動(dòng)方式的OCL功放電路,它是目前中檔功放用得較多的一種電路,具
2006-04-15 13:04:2110472

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