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典型柵極驅(qū)動電路框圖
典型柵極驅(qū)動電路框圖
- 柵極(20476)
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2023-10-22 15:18:12
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279igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？
igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14174
174MOSFET柵極驅(qū)動電路的振蕩問題解析
上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導(dǎo)通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動電流。那是不是柵極驅(qū)動電流越大越好呢，即驅(qū)動電路的內(nèi)阻越小越好？
2023-08-14 09:34:18851
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SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化方案
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57397
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MOS管柵極驅(qū)動電路設(shè)計注意事項
MOS管開關(guān)電路在DC-DC電源、開關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用，今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動的設(shè)計注意事項。
2023-08-03 09:44:25661
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柵極驅(qū)動器電流多少正常啊，柵極驅(qū)動器電流怎么計算
柵極驅(qū)動器是一種電子器件，它能夠?qū)⑿盘栯娖阶鳛檩斎?，通過放大和轉(zhuǎn)換等過程，產(chǎn)生適合于驅(qū)動下級器件的電源信號。柵極驅(qū)動器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:44504
504滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，其中的柵極驅(qū)動器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動
2023-06-08 14:03:09164
164隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。
2023-05-17 10:21:39962
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柵極驅(qū)動器的原理及應(yīng)用
柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:523015
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7種MOS管柵極驅(qū)動電路
首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置，從而達(dá)到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:383998
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一個用于驅(qū)動柵極驅(qū)動變壓器的簡單電路
討論了如何使用一個雙開關(guān)反激式電路來提升低功耗隔離式轉(zhuǎn)換器的效率。與單開關(guān)反激式電路相比，雙開關(guān)反激式電路的主要代價就是需要一個浮動的高側(cè)驅(qū)動。一個柵極驅(qū)動變壓器通常用于雙開關(guān)反激式電路的高側(cè)FET，而柵極驅(qū)動變壓器的使用是需要一些技巧的。如果磁芯沒有在每個周期內(nèi)正確復(fù)位，那么它就有可能飽和。
2023-04-15 10:42:47652
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用于電力電子器件的柵極驅(qū)動器
柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b style="color: red">柵極驅(qū)動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動器電路的設(shè)計和性能變得越來越重要。
2023-03-23 16:48:48341
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專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果
這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動器進(jìn)行特性對比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動器時，作為柵極誤導(dǎo)通對策，增加微法級的CGS，對VGS施加-5V作為負(fù)偏壓（搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊）。
2023-02-27 13:38:59128
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柵極誤導(dǎo)通的處理方法
使用評估電路來確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動電路示例，柵極驅(qū)動L為負(fù)電壓驅(qū)動。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認(rèn)柵極電壓的升高情況。
2023-02-27 11:50:44380
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實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)
和下橋臂驅(qū)動器需要高度匹配的時序特性，以實現(xiàn)精確高效開關(guān)操作。這減少了半橋關(guān)斷和開通之間的死區(qū)時間。實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動功能的典型方法是使用光耦合器進(jìn)行隔離，后跟高壓柵極驅(qū)動器IC，如圖1所示。該電路
2018-10-16 16:00:23
MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理學(xué)習(xí)
1.PWM直接驅(qū)動驅(qū)動主開關(guān)晶體管柵極的最簡單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動輸出，如圖（1）如 圖 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:17
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2變壓器耦合柵極驅(qū)動
在高電壓柵極驅(qū)動 IC 出現(xiàn)以前，使用柵極驅(qū)動變壓器是唯一一種在離線或類似高電壓電路中驅(qū)動高側(cè)開關(guān)的可行解決方案。
現(xiàn)在，兩種解決方案同時存在并且各有利弊，可用于不同的 應(yīng)用非常重要。集成高側(cè)
2023-02-23 16:06:278
8MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路學(xué)習(xí)筆記之柵極驅(qū)動參考
柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0012
12MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路之高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動
高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動可按照所驅(qū)動的器件類型或涉及的驅(qū)動電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:240
0交流耦合柵極驅(qū)動電路
柵極驅(qū)動路徑中的交流耦合可為柵極驅(qū)動信號提供簡單的電平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET的開通和關(guān)斷柵極電壓，而高側(cè)柵極
驅(qū)動則不同，它最需要關(guān)注的是縮小較大的電勢差。在如 圖31 所示
2023-02-23 15:31:242
2以雙極性方式驅(qū)動單極柵極驅(qū)動器
如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動，電路設(shè)計人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動器。使用這個簡單的技巧使單極性柵極驅(qū)動器提供雙極性電壓！
2023-02-16 11:04:58339
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隔離式柵極驅(qū)動器：什么、為什么以及如何
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:12817
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高壓柵極驅(qū)動 IC 自舉電路的設(shè)計與應(yīng)用指南
點擊藍(lán)字?關(guān)注我們 ?介紹 本文講述了一種運用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計 高性能自舉式柵極驅(qū)動電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場合。不同經(jīng)驗的電力電子工程師們都能從中獲益
2022-12-12 21:25:051768
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柵極驅(qū)動器是什么？羅姆有哪些產(chǎn)品
來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動器的作用 柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因為MOSFET有個柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18710
710FAN7085 高邊柵極驅(qū)動器 - 內(nèi)部充電路徑設(shè)計注意事項
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2022-11-15 19:59:139
9MOSFET柵極驅(qū)動電流計算和柵極驅(qū)動功率計算
本文介紹了三個驅(qū)動MOSFET工作時的功率計算 以及通過實例進(jìn)行計算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動設(shè)計中電流的計算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動電流計算和驅(qū)動功耗計算
2022-11-11 17:33:0331
311ED3124MU12F單通道隔離柵極驅(qū)動器的特征及應(yīng)用優(yōu)勢
設(shè)備驅(qū)動程序 緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。
2022-11-02 16:47:09723
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#電路原理 #電路知識 MOSFET柵極驅(qū)動振蕩
電路分析電路原理FET柵極柵極驅(qū)動電路設(shè)計分析
電子技術(shù)那些事兒發(fā)布于 2022-08-19 19:37:33
典型示波器的構(gòu)成方案框圖
這篇文章再看一下一些典型示波器的構(gòu)成方案框圖，文章中列出了ADI和TI官網(wǎng)上的提供的框圖，主要是這兩家的模擬器件大量用于示波器中，有興趣的同學(xué)可以直接到它們的官網(wǎng)上搜尋對應(yīng)于每個部分的相應(yīng)的器件。
2022-07-19 09:54:471106
1106為什么要在汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動器IC替換分立式柵極驅(qū)動器
。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開關(guān)驅(qū)動的典型PTC加熱器方框圖。
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過去，使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是，由于柵極
2022-01-12 14:47:171305
1305基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:002861
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柵極驅(qū)動接口電路資料下載
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2021-04-17 08:42:1614
14隔離式柵極驅(qū)動器揭秘
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820
20如何使用柵極電荷設(shè)計功率MOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動電路
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動電路設(shè)計?；?b style="color: red">柵極對源電容的RC值通常會導(dǎo)致柵極驅(qū)動嚴(yán)重不足。雖然柵極對源電容是一個重要
2020-03-09 08:00:0021
21IGBT柵極驅(qū)動電路的應(yīng)用舉例
IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩種功能：一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0011668
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最實用的柵極驅(qū)動芯片選型指南
英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器解決方案，用于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動器以及非隔離低邊驅(qū)動器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計要求。
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三相馬達(dá)驅(qū)動用的柵極驅(qū)動器DRV8305-Q1的主要特性
45-V工作電壓,柵極峰值電流1.25A和1A,工作溫度–40℃到150℃,主要用在三相BLDC和PMSM馬達(dá),汽車油泵和水泵,風(fēng)扇和鼓風(fēng)電動機(jī).本文介紹了DRV8305-Q1主要特性,功能框圖,典型應(yīng)用電路圖以及DRV8305-Q1EVM汽車三相馬達(dá)柵極驅(qū)動評估模塊主要特性,框圖,電路圖和材料清單.
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ir2103典型應(yīng)用電路詳解（三款ir2103典型應(yīng)用電路）
R2110芯片是一種雙通道、柵極驅(qū)動、高壓高速功率器件的單片式集成驅(qū)動模塊。本文介紹了IR2110內(nèi)部結(jié)構(gòu)及功能特點，另外還介紹了三款ir2103典型應(yīng)用電路。
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低柵極關(guān)斷阻抗的驅(qū)動電路
和開爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問題分別進(jìn)行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會引起處于關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問題的驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡單、易于控制的特點。分析該驅(qū)動電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:223
3功率驅(qū)動器件與柵極驅(qū)動接口電路的設(shè)計技巧解析
口（I/O）與功率電子驅(qū)動電路接口，并講述了如何正確地進(jìn)行相關(guān)硬件及軟件開發(fā)的方法。 柵極驅(qū)動接口電路 半橋輸出電路結(jié)構(gòu)可用于控制多種馬達(dá)，包括有刷直流馬達(dá)、無刷直流馬達(dá)、交流感應(yīng)式馬達(dá)及永磁交流馬達(dá)。電源級電路需要一個柵極驅(qū)動接口電路，該電路至少應(yīng)具
2017-11-06 10:38:287
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對稱柵極控制驅(qū)動電路
柵極驅(qū)動電壓由觸發(fā)脈沖通過推挽輸出電路提供。當(dāng)觸發(fā)脈沖為高電平，V5 截止，推挽輸出電路基極為低電平，V3 截止，V4 導(dǎo)通，從負(fù)載抽取電流，柵極得到負(fù)壓封鎖電平。當(dāng)觸發(fā)脈沖
2012-05-03 10:26:551777
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IGBT的柵極驅(qū)動
IGBT 的柵極驅(qū)動是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動電路的注意事項，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動電路實例。
2010-08-31 16:33:41208
208一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動電路
摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動電路。該電路通過循環(huán)儲存在柵極電容中的能量來實現(xiàn)減少驅(qū)動功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動電路可以在較高的頻率下工作。
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53高壓浮動MOS柵極驅(qū)動集成電路(應(yīng)用手冊)
高壓浮動MOS柵極驅(qū)動集成電路(應(yīng)用手冊):高壓側(cè)器件的柵極驅(qū)動要求,典型MOS柵極驅(qū)動器(MGD)的框圖,自舉工作原理，如何選擇自舉元件等內(nèi)容。
2010-01-04 17:17:5780
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單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
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