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電子發(fā)燒友網>制造/封裝>意法半導體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管,優(yōu)值系數提高 40%

意法半導體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管,優(yōu)值系數提高 40%

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2010-08-13 11:36:51

【合作伙伴】ST半導體--科技引領智能生活

ST半導體半導體擁有48,000名半導體技術的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者,掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM),半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34

【新聞】半導體技術助力Neonode為任意物品、表面或空間增加觸控交互功能

工業(yè)電腦應用展覽會(2018年2月27日27 – 3月1日,德國紐倫堡)半導體展臺上展出。相關新聞奇手(Qeexo)和半導體(ST)共同推進原始設備廠商(OEM)采用奇手
2018-02-06 15:44:03

【每日資料精選】半導體STM32&STM8各個系列MCU介紹和相關資料分享!

的停止模式下、以34μA典型的功耗實現性能和節(jié)電的獨特結合。而超值系列在功能上與其他系列產品并沒有多大差別,在經濟方面是劃算的。2.半導體STM32 F0入門簡介及資料?。∵@里為什么要給大家?guī)?/div>
2020-09-03 22:34:17

【每日資料精選】瑞薩電子MCU+半導體STM32資料手冊分享?。?!

的STM32F1系列主流MCU滿足了工業(yè)、醫(yī)療和消費類市場的各種應用需求。憑借該產品系列,半導體在全球ARM? Cortex?-M內核微控制器領域處于領先地位,同時樹立了嵌入式應用歷史上的里程碑。該系列在
2020-09-02 19:02:21

主流的射頻半導體制造工藝介紹

用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數的電氣特性均遠超過硅組件,空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT),在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49

什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數

晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節(jié)計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度,晶體管可用于各種數字和模擬功能,包括放大器、開關、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05

關于PNP晶體管的常見問題

的規(guī)則,則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極,基極用作公共連接。PNP 結點如何工作?PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56

功率半導體模塊的發(fā)展趨勢如何?

功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54

加濕器100V耐壓MOSTO-252 100V低結電容5A

壓壓N溝道場效應NMOS 廠家直銷,質優(yōu)價廉 大量現貨 量大價優(yōu) 歡迎選購,超低內阻,結電容小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越,惠海半導體主營20-150V系列中低壓NMOS場效應封裝制造、研發(fā)、生產
2020-09-23 09:42:17

加濕器專用100V耐壓MOS低結電容低開啟電壓

小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越, 惠海半導體專業(yè)20-150V系列中低壓NMOS場效應封裝制造、研發(fā)、生產、銷售主營SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
2020-10-10 14:10:51

單結晶體管的結構

的作用相當于一個二極D。國產單結晶體管的型號有BT31、BT32、BT33、BT35等多種。其中B表示半導體,T表示特種,3表示電極數,第四個數表示耗散功率(分別代表100、200、300和500mW)。 購線網 gooxian.com專業(yè)定制各類測試線(同軸線、香蕉頭測試線,低噪線等)
2018-01-09 11:39:27

在低功率壓縮機驅動電路內,半導體超結MOSFET與IGBT技術比較

半導體的SLLIMM-nano產品家族新增兩種不同的功率開關技術:  · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內置超高速二極的PowerMESH? 和溝槽場截止IGBT
2018-11-20 10:52:44

場效應是一種什么元件而晶體管是什么元件

甚至失去放大作用。晶體管的頻率特性參數主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。1.特征頻率fT晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時,其電流放大系數β將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β降為
2012-07-11 11:36:52

基本晶體管開關電路,使用晶體管開關的關鍵要點

,這反過來又使耗盡層盡可能小,從而通過我們的晶體管的最大電流流動。這使得晶體管開關導通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?!   D2.飽和區(qū)域特征  輸入基極電流和輸出集電極電流為零,集電極電壓處于最大
2023-02-20 16:35:09

如何提高微波功率晶體管可靠性?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

開啟萬物智能:半導體攜最新的解決方案和生態(tài)系統產品亮相2018年世界移動大會-上海

2018年世界移動大會(MWC)-上海 (6月27-29日)。圍繞“半導體,與智能同在”的主題,半導體將展示其用于物聯網連接與云服務、安全與工業(yè)、傳感與數據處理以及智能駕駛方面的先進產品和解
2018-06-28 10:59:23

惠海直銷30V 60V 100V mosSOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos【低開啟低結電容】

`惠海半導體【中低壓MOS廠家】,供應中低壓壓N溝道場效應NMOS 廠家直銷,質優(yōu)價廉 大量現貨 量大價優(yōu) 歡迎選購,超低內阻,結電容超小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越,惠海半導體專業(yè)20-150V
2020-11-02 15:36:23

數字晶體管的原理

% R2的最小-20% VBE的最大0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2,使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52

數字晶體管的原理

的基礎上計算將R1的最大+30% R2的最小-20% VBE的最大0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2,使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36

昂科在線燒錄器支持ST半導體的32位微控制器STM32F091CCT6的ic燒錄

芯片燒錄行業(yè)領導者-昂科技術近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表,其中ST半導體的32位微控制器STM32F091CCT6的燒錄已經被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持
2023-02-28 16:51:49

有什么方法可以提高晶體管的開關速度呢?

等效的提高開關速度的方法,較小R1也會加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關速度的另外一種方法,我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數字IC TTL
2023-02-09 15:48:33

概述晶體管

晶體管半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57

深圳半導體招聘molding工程師

大家好,首次發(fā)帖。本人為半導體工程師,因為下面一個molding工程師要辭職,繼續(xù)補充新鮮血液。要求:一.熟悉molding制程,需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53

用于大功率和頻率應用的舍入 GaN 基晶體管

和頻率電子應用中實現更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉換器我們首先要宣布的是來自半導體的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一種基于 GaN 晶體管的功率轉換器,為
2022-06-15 11:43:25

用于高密度和高效率電源設計的半導體WBG解決方案

半導體擁有最先進的平面工藝,并且會隨著G4不斷改進:? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00

電子晶體管在結構和應用上的區(qū)別

100GHz以上?! ‰娮?b class="flag-6" style="color: red">管是利用靜電場對電子流的控制來工作的,是電壓控制元件,與MOS場效應的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高,輸入信號只要電壓,不需要電流。晶體管是利用半導體器件內雜質濃度的差異
2016-01-26 16:52:08

講一下半導體官方的庫怎么搞

半導體官方的庫怎么搞?求解答
2021-12-15 07:31:43

請問用高速運放+晶體管實現100V,4M的信號輸出能行嗎?

輸入信號4MHz,我想得到輸出幅度100V,4M的信號,想用運放+晶體管搭建或者MOS,不知道可行不,急。 拜謝!!(之前本打算用PA98,它有100M的GBW,結果仿真的時候發(fā)現上了2M以上的信號,出來后就失真了……)
2015-11-05 19:56:46

請問用高速運放和晶體管實現100V,4M的信號輸出可行嗎?

輸入信號4MHz,我想得到輸出幅度100V,4M的信號,想用運放+晶體管搭建或者MOS,不知道可行不,急。 拜謝!!(之前本打算用PA98,它有100M的GBW,結果仿真的時候發(fā)現上了2M以上的信號,出來后就失真了……)
2019-07-09 04:36:16

STM32F103C8T6,中密度性能,2個ADC、9個通信接口,ST半導體處理器

STM32F103C8T6,中密度性能,2個ADC、9個通信接口,ST半導體處理器
2023-02-17 11:55:11

Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管

Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管  恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管,擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392203

意法半導體推出先進STripFET F8 技術

 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗,同時優(yōu)化體寄生二極管特性,降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431044

意法半導體發(fā)布100V工業(yè)STripFET F8晶體管,優(yōu)值系數提高40%

中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優(yōu)值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330

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