本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件,主要包括GaN HEMT和二極管,幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:011022 2月26日,在MWC Barcelona 2024上,華為董事會(huì)成員兼ICT產(chǎn)品與解決方案總裁楊超斌發(fā)布了業(yè)界首個(gè)通信大模型。華為通信大模型提供關(guān)鍵智能技術(shù),支撐業(yè)務(wù)創(chuàng)新,提升運(yùn)營(yíng)效率,革新網(wǎng)絡(luò)生產(chǎn)力,實(shí)現(xiàn)5.5G智能目標(biāo)。
2024-02-27 10:27:422350 領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示,GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一,具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
作者:Sandeep Bahl 最近,一位客戶問我關(guān)于氮化鎵(GaN)可靠性的問題:“JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比,GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì):禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高,使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前,GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
為什么
GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說,相比LDMOS硅技術(shù)而言,
GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值,表征高頻
器件的材料適合性優(yōu)值, 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1,
GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優(yōu)值為1.44??隙ǖ卣f,
GaN是高頻
器件材料技術(shù)上的突破?! ?/div>
2019-06-26 06:14:34
搭載高通(Qualcomm?) Quick Charge? 5技術(shù)的通用型氮化鎵電源適配器可在5分鐘內(nèi)將智能手機(jī)的電量從0%充至50%高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商
2021-08-12 10:55:49
BSIMProPlus?是業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件SPICE建模平臺(tái),在其產(chǎn)品二十多年的歷史中一直為全球SPICE建模市場(chǎng)和技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,被全球一百多家領(lǐng)先的集成電路制造和設(shè)計(jì)公司作為標(biāo)準(zhǔn)SPICE
2020-07-01 09:36:55
LPC11C00宣傳頁:業(yè)界首款集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
本帖最后由 KUW 于 2020-3-14 17:51 編輯
初次使用LTspice軟件,很多不太懂,如圖,搭的buck電路,開關(guān)器件用的Transphorm官網(wǎng)找的共源共柵GaN HEMT器件的LTspice模型,出現(xiàn)這個(gè)提示怎么辦?急需解答,十分感謝!
2020-03-14 17:06:14
,Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出業(yè)界首款基于 RISC-V 的 SoC FPGA 開發(fā)工具包。這款名為 Icicle 的開發(fā)工具包專為業(yè)界領(lǐng)先的低功耗、低成本
2020-09-25 11:39:42
騰訊云存儲(chǔ),正在形成面向未來的藍(lán)圖。在5月10日騰訊云存儲(chǔ)產(chǎn)品戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上,騰訊云一次性發(fā)布了業(yè)界首款十微秒級(jí)的極速型云硬盤、業(yè)界首款突破百GB 吞吐的文件存儲(chǔ)、以及業(yè)界首創(chuàng)能夠10倍提升...
2021-07-12 07:35:21
器件模型&參數(shù)提取SIG組長(zhǎng),介紹了SIG總體情況,包括四個(gè)方面內(nèi)容:SIG研究方向介紹技術(shù)趨勢(shì)和相關(guān)業(yè)界產(chǎn)品開源目標(biāo)與計(jì)劃開源版本發(fā)布最后代表中國(guó)科學(xué)院微電子研究所,發(fā)布
2022-07-06 09:57:44
工具。這種類型的評(píng)估有助于設(shè)計(jì)人員研究不同工作條件下的各種半導(dǎo)體器件,以便找到最適合所需優(yōu)化目標(biāo)的技術(shù)?! ∮胁煌姆椒梢垣@得被評(píng)估器件的特征模型。第一個(gè)也可能是最準(zhǔn)確的模型是通過混合模式仿真模型獲得的,該
2023-02-21 16:01:16
該仿真模型的主要目標(biāo)是建立光伏系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型,然后利用MPPT控制器進(jìn)行MATLAB仿真,以達(dá)到最大發(fā)電量。The main objective of this simulation model
2021-11-15 08:51:14
光伏逆變器擾動(dòng)觀察法的PSIM仿真模型
2019-08-28 14:56:36
參照光伏電池的物理模型,可建立用于實(shí)現(xiàn)其仿真的matlab仿真模型
2013-10-26 17:24:12
在過去的十多年里,行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè),基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
進(jìn)行跟蹤(MPPT)。本文基于光伏電池的直流物理模型,在MATLAB7.6的SIMULINK平臺(tái)下建立光伏模塊模型,并基于BOOST電路利用該模型對(duì)常見的三種MPPT控制方案進(jìn)行仿真研究,仿真結(jié)果
2018-12-07 10:06:43
(華北電力大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院。北京102206)摘要:針對(duì)光伏電池輸出特 I生-g.有強(qiáng)烈的非線性,根據(jù)太陽能電池的直流物理模型,利用MATLAB建立了太陽能光伏陣列通用的仿真模型。利用此模型,模擬...
2021-07-06 07:27:28
饋的雙閉環(huán)控制,外環(huán)為電壓環(huán),內(nèi)環(huán)為電流控制環(huán),并網(wǎng)控制框圖如下圖所示: 并網(wǎng)控制框圖 整體模型如下圖所示: 整體仿真模型 光伏電池模塊參數(shù): 光伏電池及參數(shù) 逆變控制部分: 并網(wǎng)控制
2023-04-06 15:23:46
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因,GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去,PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量
2019-07-31 08:13:22
請(qǐng)問有人知道怎么建立基于其他材料的器件仿真模型庫(kù),不是硅材料的,比如說,GaN,SiC等寬禁帶材料的,謝謝啦,比如SiC的功率mos,我有功率mos的數(shù)值仿真數(shù)據(jù),但是不知道怎樣在pspice中使用,呵呵,求達(dá)人告知
2009-12-02 11:35:39
在之前的文章中論述了,如何基于Pspice搭建電控系統(tǒng)功率器件仿真模型,參考鏈接如下。如果一個(gè)仿真系統(tǒng)能夠完美的呈現(xiàn)設(shè)計(jì)師想要的算法,那么就就不需要建模工程師千方百計(jì)地去等效,去建模了。所算即所得
2021-12-30 08:10:43
德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器開發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開發(fā)人員帶來高達(dá)100倍的寫入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37
怎么實(shí)現(xiàn)基于業(yè)界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設(shè)計(jì)?
2021-06-15 09:14:03
新品發(fā)布|業(yè)界首款!潤(rùn)開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺(tái)HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)隆重推出了業(yè)界首款全棧式AI驅(qū)動(dòng)型EDA解決方案Synopsys.ai,覆蓋了先進(jìn)數(shù)字與模擬芯片的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、測(cè)試和制造環(huán)節(jié)?;诖?,開發(fā)者第一次
2023-04-03 16:03:26
我在調(diào)用LF398采樣保持器時(shí),沒有仿真模型,不能進(jìn)行仿真,但是點(diǎn)擊下面選項(xiàng)后可以運(yùn)行仿真,請(qǐng)教:這個(gè)選項(xiàng)是什么意思呢??不管這個(gè)仿真模型的意思?這個(gè)器件也不起作用??是這個(gè)意思嗎。。另外對(duì)于沒有仿真模型的器件都有哪些方法建立仿真模型。求賜教!!
2013-04-24 20:49:54
想自己編寫一個(gè)信號(hào)源器件,但沒有仿真模型,自己目前不會(huì)編寫仿真模型,有沒有相關(guān)的教程?
2018-10-24 09:38:26
您好,有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件,因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí),它只顯示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬,我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
Conversion;EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利(來源:Yole)然而,這一市場(chǎng)也存在整并壓力,這一點(diǎn)從英飛凌收購(gòu)IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
2015 年 04 月 文章編號(hào):1006 -9348( 2015) 04 -0116 -04 光伏發(fā)電系統(tǒng) MPPT 控制仿真模型 李麗芳1,2,江 冰1,2,吉正洵1,2,黃 鹍1,2 ( 1. 河海大學(xué)...
2021-07-06 06:27:56
30 GHz由GaN PA和其他GaAs功能器件塑封形成的2W集成前端模塊?! ⊥ㄟ^使用包括陷阱和熱效應(yīng)以及測(cè)量結(jié)果的精確非線性FET模型,保證了電路設(shè)計(jì)的成功。將負(fù)載牽引測(cè)量與仿真結(jié)果進(jìn)行比較驗(yàn)證了
2020-12-21 07:09:34
。本文中,我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識(shí)。什么是非線性GaN 模型?對(duì)許多工程師來說,設(shè)計(jì)PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊(cè)并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用,但有關(guān)器件大信號(hào)
2018-08-04 14:55:07
數(shù)據(jù)集和訓(xùn)練模型的低功耗人工智能(AI)技術(shù)的產(chǎn)品。Pixelworks i6處理器是業(yè)界首個(gè)具有集成AI處理單元的設(shè)備,該組件可自適應(yīng)優(yōu)化整體圖像質(zhì)量,從而在各種移動(dòng)觀看條件下提供始終如一的卓越視覺體驗(yàn)。
2020-11-23 14:02:58
推出的Version4.2版。 IBIS模型屬于一種行為模型,它不是從要仿真的元件的結(jié)構(gòu)出發(fā)進(jìn)行定義的,而是從元件的行為出發(fā)進(jìn)行定義的,描述了器件在特定負(fù)載、特定封裝下的輸入/輸出行為,而不是實(shí)際
2018-09-03 11:18:47
黎志遠(yuǎn)_業(yè)界首款電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
電力電子開關(guān)器件的模型建立一直是一個(gè)研究難點(diǎn),其真實(shí)性和精確性是衡量建模的標(biāo)準(zhǔn)。本文對(duì)基本電力電子開關(guān)器件如二極管、GTO、晶閘管、MOSFET和IGBT的現(xiàn)有仿真模型進(jìn)行了
2009-10-14 10:41:5172 ADuM4160 業(yè)界首款單封裝USB隔離器
ADI新款醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備 USB隔離解決方案可使成本降低25%
ADI 發(fā)布業(yè)界首款單芯片 USB 隔離器,顯著減少了成本
2009-05-23 01:58:301294 Maxim推出業(yè)界首款功能完備的LCD偏置和白色LED電源
2004年9月9日。Maxim Integrated Products (NASDAQ: MXIM)推出業(yè)界首款功能完備的LCD偏置和白色LED電源-MAX1578/MAX1579,該器件外部只
2009-07-31 09:01:03579 CEVA發(fā)布業(yè)界首款針對(duì)可授權(quán)DSP的基于C語言的應(yīng)用程序優(yōu)化工具鏈
CEVA公司現(xiàn)已推出業(yè)界首個(gè)集成式優(yōu)化工具鏈,能夠?qū)墒跈?quán)DSP 內(nèi)核實(shí)現(xiàn)完全基于C語言的端至端開發(fā)
2009-12-10 08:45:43910 聯(lián)想發(fā)布業(yè)界首款基于高通平臺(tái)ARM架構(gòu)智能本
聯(lián)想集團(tuán)在美國(guó)拉斯維加斯國(guó)際消費(fèi)電子產(chǎn)品展上正式發(fā)布了Skylight 智能本(Smartbook)產(chǎn)品。聯(lián)想Skylight是全球第一款基
2010-01-16 09:39:11616 Digi 發(fā)布業(yè)界首款極簡(jiǎn)單易用的可編程 ZigBee 模塊
- 獨(dú)立無線軟件使 ZigBee 的開發(fā)更簡(jiǎn)單快速 -
2010-03-04 18:15:07804 IDT公司日前推出業(yè)界首款采用集成分辨率增強(qiáng)引擎的運(yùn)動(dòng)補(bǔ)償幀速率轉(zhuǎn)換處理器,可用于 120Hz 和 240Hz 電視和高清視頻投影儀。新的 IDT VHD1200 和 VHD2400 器件采用業(yè)界領(lǐng)先的 IDT HQV Motio
2010-07-28 08:48:46581 Exar公司日前正式發(fā)布業(yè)界首款基于G.709V3 OTN復(fù)用轉(zhuǎn)換器解決方案。該解決方案支持新的G.709特征例如ODU0/ODUflex和GMP 映射的功能。
2011-07-25 08:27:25908 展訊發(fā)布其業(yè)界首款雙卡雙待 TD-SCDMA 手機(jī)方案。在手機(jī)開啟的狀態(tài)下,展訊 TD-SCDMA 的雙卡技術(shù)可以讓手機(jī)用戶在兩個(gè)號(hào)碼中任選其一進(jìn)行電話、短信、數(shù)據(jù)瀏覽等應(yīng)用。
2011-10-17 11:38:431279 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持 14 個(gè)電源電壓軌的汽車電源管理集成電路 (PMIC)。作為業(yè)界首款支持超過 10 個(gè)電壓軌的汽車 PMIC
2011-10-26 09:45:51742 美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè),因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 了合作關(guān)系,把基于氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場(chǎng),今天美國(guó)時(shí)間宣布推出聯(lián)名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240 W參考設(shè)計(jì)。
2015-03-19 14:28:432552 Modelithics, Inc. 和 Qorvo 宣布,近期將擴(kuò)展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics? 高精度非線性模型庫(kù)。當(dāng)前的 GaN 模型版本 (v1.5) 廣受歡迎并具有 29 種封裝器件及裸芯片晶體管模型。新計(jì)劃將增加20逾種新型 Qorvo GaN 晶體管模型。
2015-08-28 17:00:002780 2017年3月1日,上?!请娮樱绹?guó) Cadence 公司,NASDAQ: CDNS)今日發(fā)布業(yè)界首款已通過產(chǎn)品流片的第三代并行仿真平臺(tái)Xcelium? 。基于多核并行運(yùn)算技術(shù),Xcelium
2017-03-01 15:57:053341 當(dāng)然,盛筵怎能缺少硬菜。無論是業(yè)界首個(gè)5G成熟度指數(shù)的發(fā)布,還是作為唯一一家能夠提供最豐富住宅產(chǎn)品的廠家發(fā)布新品,亦或者第一個(gè)推出5G液態(tài)冷卻解決方案,總之,諾基亞的“獨(dú)家”讓2019年的巴塞羅那MWC增加了不少亮色。
2019-02-20 09:19:46575 在最近的electronica China上,富士通剛剛展示了代理品牌Transphorm的氮化鎵(GaN)解決方案,可是讓好多現(xiàn)場(chǎng)觀眾駐足圍觀呢。
2019-04-16 18:13:234239 日前,Current發(fā)布了LED園藝照明燈具Arize Element Top Light,這是業(yè)界首款一對(duì)一替代1000瓦高壓鈉燈的LED產(chǎn)品。
2019-06-17 16:17:591893 Transphorm Inc.今天宣布,它已與貿(mào)澤電子(Mouser Electronics Inc.)簽署全球分銷協(xié)議,授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半導(dǎo)體和電子元件。根據(jù)協(xié)議,貿(mào)澤電子將分銷Transphorm的經(jīng)過JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET和評(píng)估工具。
2019-09-19 14:37:59882 目前,Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術(shù)。該技術(shù)的閾值將提高到4.0V,提高了其抗噪能力和器件性能,無需負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),并且相比上代產(chǎn)品降低了整體成本。
2019-12-13 14:20:264103 首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認(rèn),其客戶AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH發(fā)布了首批650 V GaN基電源。
2019-12-19 14:07:361467 今天晚上,Ampere發(fā)布了Ampere Altra處理器,官方稱這是業(yè)界首款80核服務(wù)器處理器,可為云計(jì)算提供強(qiáng)大性能,并且擁有高能效。
2020-03-04 10:11:222379 據(jù)媒體報(bào)道,3月30日,華為正式發(fā)布業(yè)界首款千兆智能光貓OptiXstar系列,基于創(chuàng)新性的10G PON、eAI(嵌入式人工智能)和Wi-Fi 6技術(shù),將拉開走向千家萬戶的序幕,加速F5G時(shí)代千兆家庭寬帶的普及。
2020-03-31 09:15:383057 華為今日通過線上方式正式發(fā)布業(yè)界首款千兆智能光貓OptiXstar系列,拉開10G PON和Wi-Fi 6光貓走向千家萬戶的序幕。
2020-03-31 10:31:561820 前不久,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:163692 在近日舉辦的2020華為多合一電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)DriveONE發(fā)布會(huì)上,華為發(fā)布了業(yè)界首款超融合的動(dòng)力域解決方案。
2020-11-12 12:43:372467 Transphorm Inc.今天確認(rèn),其客戶AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH發(fā)布了首批650 V GaN基電源。為航空業(yè)服務(wù)的AES為客戶提...
2022-01-11 10:52:211 4月12日,紫光股份旗下新華三集團(tuán)重磅發(fā)布業(yè)界首款400G園區(qū)核心交換機(jī)H3C S10500X-G,引領(lǐng)園區(qū)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)入嶄新超寬時(shí)代。
2022-04-13 15:47:571188 產(chǎn)生的熱量。即使使用這種新型材料,最好的電子仿真程序也正在豐富其用于功率器件的這些組件的庫(kù)。本文解釋了如何通過LTspice程序?qū)牒褪褂?GaN 組件庫(kù)來執(zhí)行任何類型的電子仿真。
2022-08-05 08:04:463207 8月,比利時(shí)增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)MicroLED廠商MICLEDI宣布推出業(yè)界首款集成微透鏡的MicroLED器件,可用于像素級(jí)光束整形(beam shaping),該器件是基于MICLEDI專有的300mm CMOS制作平臺(tái)打造。
2022-08-30 15:05:33840 相比于橫向功率電子器件,GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動(dòng)態(tài)特性、更佳的熱管理,而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國(guó)內(nèi)外眾多科研團(tuán)隊(duì)的目光,近些年已取得了重要進(jìn)展。
2022-12-15 16:25:35754 Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)發(fā)布了氮化
2023-02-03 18:19:051938 近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì)。
2023-02-06 10:15:231203 Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體,領(lǐng)先同類產(chǎn)品。 該器件
2023-06-16 18:25:04268 7月7日,華為云正式發(fā)布盤古大模型3.0,建立業(yè)界首個(gè)萬卡AI集群,欲打造世界AI另一極!盤古大模型3.0的發(fā)布引發(fā)中國(guó)科技圈熱議,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,這展現(xiàn)出了華為“遇強(qiáng)則強(qiáng)、置之死地而后生”的頑強(qiáng)一面,既是華為對(duì)于技術(shù)追求的一種執(zhí)念,更是在中美AI科技戰(zhàn)升級(jí)背景下的未雨綢繆。
2023-07-07 16:08:571409 華為全聯(lián)接大會(huì)2023期間,華為重磅發(fā)布業(yè)界首個(gè)網(wǎng)絡(luò)大模型——星河AI網(wǎng)絡(luò)大模型,深度賦能iMaster NCE網(wǎng)絡(luò)數(shù)字地圖,加快網(wǎng)絡(luò)數(shù)字化,加速行業(yè)智能化。 ? 華為數(shù)據(jù)通信產(chǎn)品線總裁王雷講解華為
2023-09-25 19:00:05527 供了Transphorm久經(jīng)驗(yàn)證的高電壓動(dòng)態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可靠性,這在基于廠家的主要電子模式GaN產(chǎn)品中通常是缺乏的。 這三種表面安裝型器件(surf
2023-10-12 16:40:56251 電力系統(tǒng)的未來,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今日宣布,DAH Solar Co., Ltd.的世界首個(gè)集成型光伏(PV)系統(tǒng)采用
2023-10-16 16:34:15247 功率器件:Power Integrations推出的PowiGaN技術(shù)是業(yè)界首款GaN-on-Sapphire功率IC,已經(jīng)在手機(jī)快充上大量出貨。國(guó)內(nèi)蘇州捷芯威也推出了藍(lán)寶石基氮化鎵高壓保護(hù)開關(guān)器件,單管耐壓2000V
2023-10-18 15:59:201 日本定制芯片開發(fā)商 Socionext 發(fā)布了業(yè)界首款 32 核數(shù)據(jù)中心級(jí)芯片,該芯片將采用臺(tái)積電 2nm 級(jí)制造工藝制造。
2023-10-30 18:21:37487 能否利用器件的IBIS模型對(duì)器件的邏輯功能進(jìn)行仿真?如果不能,那么如何進(jìn)行電路的板級(jí)和系統(tǒng)級(jí)仿真? 可以利用器件的IBIS模型對(duì)器件的邏輯功能進(jìn)行仿真。IBIS(Input/Output
2023-11-24 14:50:58288 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”,Nasdaq:TGAN)于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議
2024-01-11 18:17:32865 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股
2024-01-12 14:11:58267 在科技領(lǐng)域的巨浪中,瑞薩電子以35%的溢價(jià)宣告了一項(xiàng)重磅收購(gòu)。1月11日,瑞薩電子正式宣布與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議,按照協(xié)議的規(guī)定,瑞薩電子的子公司將以每股
2024-01-12 14:54:25361 瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布,雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm,這一價(jià)格較Transphorm在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%,總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234
評(píng)論
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