中國 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)——UJ4N075004L8S。該產品專為包括固態(tài)斷路器在內的電路保護應用而設計,UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點在上述應用中至關重要。
UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內采用標準分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導通電阻最低的器件。較低的導通電阻使發(fā)熱量顯著降低,加之緊湊的 TOLL 封裝,使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產品小 40%。新品可應對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求,且無需復雜的冷卻系統(tǒng)即可運行,加速從電磁式斷路器向基于半導體的固態(tài)斷路器(SSCB)的轉型。
“隨著 UJ4N075004L8S 的推出,Qorvo 將繼續(xù)領導 SiC 電源產品的創(chuàng)新,以超小型元件封裝的超低導通電阻 FET 器件助力電路保護等應用的發(fā)展?!盦orvo SiC 電源產品業(yè)務產品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示,“SSCB 市場正迅速增長,Qorvo 的最新產品是這一技術演進中的重要里程碑?!?br />
Qorvo 的 JFET 器件堅固耐用,能夠在電路故障時承受極高的浪涌電流并實現(xiàn)關斷,非常適合應對電路保護領域的挑戰(zhàn)。其最新款 JFET 還能承受高瞬時結溫而不發(fā)生性能劣化或參數(shù)漂移。JFET 的常開特性使其能無縫集成到默認導通狀態(tài)的系統(tǒng)中,并在故障條件下轉為關斷狀態(tài)。
UJ4N075004L8S 現(xiàn)已提供樣品,并將于 2024 年第四季度投入量產;屆時,Qorvo 還將推出更多 JFET 產品,包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產品,均采用 TO-247 封裝。獲取有關這一變革性電源技術的更多詳情及詳細產品規(guī)格,請訪問 Qorvo 電源解決方案網(wǎng)站。
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Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET,推動斷路器技術的革命性變革
- Qorvo(77100)
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的,容易引起機構損傷,甚至引起斷路器的爆炸,故必須采取閉鎖措施。斷路器的“跳躍”現(xiàn)象一般是在跳閘、合閘回路同時接通時才發(fā)生。“防跳”回路的設計應使得斷路器出現(xiàn)“跳躍”時,將斷路器閉鎖到跳閘位置。(4
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2019-12-18 14:31:2215209
照明回路需要采用漏電斷路器嗎
在我們日常生活中所看到的電箱,照明回路一般都是不采用漏電斷路器的,插座回路基本上都采用漏電斷路器,也就是你所說的“漏?!薄?/div>
2020-02-12 18:41:1314945
安森美推出采用TOLL封裝的SiC MOSFET
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET
2022-05-11 11:29:332398
UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析
UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴展了其突破性的第4代 SiC FET產品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081220
碳化硅 (SiC) FET 推動電力電子技術發(fā)展
斷路器和限流應用。例如,如果您用 1 mA 電流偏置 JFET 的柵極,并監(jiān)控柵極電壓 Vgs,請參見圖 1,您可以跟蹤器件的溫度,因為 Vgs 隨溫度線性下降。此屬性對于需要功率 FET (SiC
2022-08-05 10:31:17863
貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被?Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗
2022-09-23 16:44:35651
Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
來源:Qorvo 近日,全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 宣布,將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術,其高性能具體表現(xiàn)在:750V SiC FET 擁有全球最低
2023-03-22 16:13:20694
Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線(TOLL)封裝技術,用于其高性能 5.4(mΩ)750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)
2023-04-11 15:55:09575
英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術,具有最低的導通損耗和開關損耗,這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:27548
使用SiC FET替代機械斷路器的固態(tài)解決方案
機械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題,并且損耗也會持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:02488
固封式高壓真空斷路器與普通高壓真空斷路器有何區(qū)別
的固封極柱式斷路器的一種簡稱。固封斷路器也是真空斷路器,與普通的真空斷路器相比只不過是封裝的材質有所差別。然而,涉及到更深一層的技術問題時固封斷路器與普通的真空斷路器
2022-07-18 09:39:473074
第4代碳化硅場效應晶體管的應用
Qorvo (UnitedSiC) 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET,擴大了公司的性能地位,并擴大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產品組合
2023-08-07 14:47:17437
以更小封裝實現(xiàn)更大開關功率,Qorvo SiC FET如何做到的?
鎵(GaN)等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。 與傳統(tǒng)硅基產品相比,這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方面都有了質的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力,Qorvo的SiC FET技術用于采用TO-Leadless(TOLL)封裝的750V器件開發(fā),并擴大了其領先優(yōu)勢。
2023-08-29 18:10:01300
至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片
深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上,至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領先的SiC芯片,其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:17479
Qorvo借助SiC FET獨特優(yōu)勢,穩(wěn)固行業(yè)領先地位
在產品研發(fā)方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它功率半導體技術(如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET)均無法超越的。
2024-02-21 14:40:52167
仁懋TOLL封裝技術:BMS保護板的新寵
MOT在當今日新月異的電子科技領域,高效、可靠、穩(wěn)定的電子元器件顯得尤為重要。而仁懋,作為一家專業(yè)做MOS的智能制造公司,憑借其創(chuàng)新的TOLL封裝技術,為BMS保護板領域帶來了革命性的突破。ONE.
2024-05-15 08:36:45213
Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET
中國 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅(SiC
2024-06-12 14:04:44102
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