16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 對(duì)于如今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，EUV光刻機(jī)是打造下一代邏輯和DRAM工藝技術(shù)的關(guān)鍵所在，為了在未來的工藝軍備競(jìng)賽中保持優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、三星和英特爾等廠商紛紛花重金購置EUV光刻機(jī)。 ? 然而，當(dāng)這些來自
2022-07-22 07:49:002403 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過他們?cè)?0nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:09989 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688 
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472428 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241339 
在7nm及以下節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電的進(jìn)展是最快的，今年量產(chǎn)7nm不說，最快明年4月份就要試產(chǎn)5nm EUV工藝了，不過這個(gè)節(jié)點(diǎn)的投資花費(fèi)也是驚人的，臺(tái)積電投資250億美元建廠，5nm芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用也要比7nm工藝提升50%。
2018-10-08 09:52:333674 中芯國際的7nm工藝發(fā)展跟臺(tái)積電的路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7＋，前兩代工藝也沒用EUV光刻機(jī)，只有N7＋工藝上才開始用EUV工藝，不過光罩層數(shù)也比較少，5nm節(jié)點(diǎn)寸是充分利用EUV光刻工藝的，達(dá)到了14層EUV光罩。
2020-02-28 09:49:163525 作為近乎壟斷的光刻機(jī)巨頭，ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無論是英特爾、臺(tái)積電還是三星，EUV光刻機(jī)的購置已經(jīng)是生產(chǎn)支出中很大的一筆，也成了7nm之下不可或缺的制造設(shè)備
2021-12-01 10:07:4110988 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）到了3nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。為了實(shí)現(xiàn)2nm乃至未來的埃米級(jí)工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 01:48:002200 翁壽松(無錫市羅特電子有限公司，江蘇無錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
有參考價(jià)值的信息。 英特爾路線圖 從7nm到1.4nm 首先將目光放到最遠(yuǎn)，英特爾預(yù)計(jì)其工藝制程節(jié)點(diǎn)將以2年一個(gè)階段的速度向前推進(jìn)。從2019年推出10nm工藝開始（實(shí)際產(chǎn)品在市場(chǎng)上非常少見
2020-07-07 11:38:14
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
的耐蝕刻薄膜材料，經(jīng)曝光和顯影而使溶解度增加的是正性光刻膠，反之為負(fù)性光刻膠。光刻膠的分類及其特點(diǎn)見表1。 隨著IC特征尺寸亞微米、深亞微米方向快速發(fā)展，現(xiàn)有的光刻機(jī)和光刻膠已無法適應(yīng)新的光刻工藝要求
2018-08-23 11:56:31
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺(tái)積電都會(huì)在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
`請(qǐng)問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
%，Lam Research為10億美元，占臺(tái)積電采購額的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球僅有ASML一家公司掌握著EUV光刻機(jī)的核心技術(shù)，這也是5nm制程必需的設(shè)備，但EUV
2020-03-09 10:13:54
們的投入中，80%的開支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
卡巴KEY，可用到０９年６月１７日各版本通用 發(fā)個(gè)卡巴的KEY，可用到０９年６月１７日，而且卡巴７.０、８.０都能用
2008-07-31 16:50:25
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581085 在SEMICON West上另一個(gè)熱點(diǎn)是光刻技術(shù)能否達(dá)到15nm的經(jīng)濟(jì)制造?半導(dǎo)體業(yè)是有希望未來采用EUV技術(shù)。
2011-03-08 10:09:572516 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 進(jìn)入10nm工藝節(jié)點(diǎn)之后，EUV光刻機(jī)越來越重要，全球能產(chǎn)EUV光刻機(jī)的就是荷蘭ASML公司了，他們總共賣出18臺(tái)EUV光刻機(jī)，總價(jià)值超過20億歐元，折合每套系統(tǒng)售價(jià)超過1億歐元，可謂價(jià)值連城。
2017-01-19 18:22:593470 本周在火奴魯魯舉行的VLSI（超大規(guī)模集成電路）研討會(huì)上，三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)。
2018-06-22 15:16:00967 EUV光刻工藝加成，但是7nm EUV工藝在性能上不會(huì)有多大的提升，AMD CTO Mark Pappermaster也在采訪中證實(shí)7nm EUV工藝主要是改善能效，性能提升只是適度的。
2018-11-27 16:35:243852 。 GlobalFoundries、英特爾、三星和臺(tái)積電希望將EUV光刻技術(shù)加入到7nm和5nm生產(chǎn)中。但就像以前一樣，EUV由幾部分組件組成，在芯片制造商能夠引入之前，它們必須整合在一起。
2018-03-31 11:52:005861 非關(guān)鍵層面上首次嘗試使用EVU極紫外光刻系統(tǒng)，工藝節(jié)點(diǎn)從CLN7FF升級(jí)為CLN7FF+，號(hào)稱晶體管密度可因此增加20%，而在同樣密度和頻率下功耗可降低10%。 臺(tái)積電5nm(CLN5)將繼續(xù)使用荷蘭
2018-05-15 14:35:133793 
今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會(huì)上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會(huì)上回答了有關(guān)的工藝問題，在EUV光刻工藝上，他認(rèn)為EUV光刻機(jī)在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會(huì)用到它。
2018-06-08 14:29:075468 
隨著技術(shù)的發(fā)展，今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，下一代將在2020年進(jìn)入5nm工藝，2022年進(jìn)入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，預(yù)計(jì)到5nm工藝將會(huì)上EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491149 臺(tái)積電前不久試產(chǎn)了7nm EUV工藝，預(yù)計(jì)明年大規(guī)模量產(chǎn)，三星今天宣布量產(chǎn)7nm EUV工藝，這意味著EUV工藝就要正式商業(yè)化了，而全球最大的光刻機(jī)公司荷蘭ASML為這一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293306 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個(gè)里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376 現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)使用的是波長(zhǎng)13.5nm的極紫外光，而普通的DUV光刻機(jī)使用的是193nm的深紫外光，所以升級(jí)到EUV光刻機(jī)可以大幅提升半導(dǎo)體工藝水平，實(shí)現(xiàn)7nm及以下工藝。
2018-11-01 09:44:264269 晶圓產(chǎn)率方面還有很大發(fā)大空間。EUV光刻機(jī)對(duì)7nm及以下的工藝節(jié)點(diǎn)非常重要，臺(tái)積電、三星兩大代工巨頭均已在最新產(chǎn)品中引入7納米EUV技術(shù)。 EUV光刻機(jī)壟斷者ASML 目前，光刻機(jī)領(lǐng)域的龍頭老大是荷蘭
2018-11-02 10:14:19834 作為全球頭號(hào)代工廠，臺(tái)積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經(jīng)完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開始試產(chǎn)。
2018-12-19 15:01:021550 所以，臺(tái)積電要想保持優(yōu)勢(shì)，就必須要加快7nm EUV的進(jìn)程。而7nm EUV工藝的關(guān)鍵在于EUV光刻機(jī)，今年ASML（荷蘭阿斯麥）也計(jì)劃提高EUV光刻機(jī)的產(chǎn)能，以及將年出貨量由之前的18臺(tái)提升到今年的30臺(tái)。
2019-02-14 16:04:593230 彭博報(bào)道稱，臺(tái)積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測(cè)試生產(chǎn)階段，并且計(jì)劃在本月進(jìn)行量產(chǎn)。預(yù)計(jì)A13芯片將采用臺(tái)積電的第二代7nm工藝，并且率先采用EUV光刻技術(shù)。
2019-05-13 16:39:514527 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡。
2019-05-28 16:18:243401 在半導(dǎo)體制造過程中，最重要的一個(gè)過程就是光刻工藝，需要用到光刻機(jī)，7nm及以下節(jié)點(diǎn)工藝則需要EUV光刻機(jī)，目前只有荷蘭ASML公司能生產(chǎn)，每臺(tái)售價(jià)超過1億歐元，可以說是半導(dǎo)體行業(yè)的明珠了，是門檻非常高的先進(jìn)技術(shù)。
2019-07-12 10:38:434279 格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時(shí)候沒有使用EUV光刻機(jī)，那么光刻的步驟將會(huì)超過100步，這會(huì)讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來圍繞EUV光刻機(jī)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)將會(huì)變得異常激烈。因?yàn)檫@是決定這些廠商未來在先進(jìn)工藝市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1812845 
芯片行業(yè)從20世紀(jì)90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻（紫外線波長(zhǎng)范圍是10~400nm）用以取代現(xiàn)在的193nm。EUV本身也有局限，比如容易被空氣和鏡片材料吸收、生成高強(qiáng)度的EUV也很困難。
2019-10-01 17:12:007709 7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:114797 7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點(diǎn)，而且是高性能工藝，其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。
2019-10-12 14:44:542701 在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入 10nm 節(jié)點(diǎn)之后，制造越來越困難，其中最復(fù)雜的一步——光刻需要用到 EUV 光刻機(jī)了，而后者目前只有荷蘭 ASML 阿斯麥公司才能供應(yīng)。
2019-12-10 16:04:287122 截至目前，華為麒麟990 5G是唯一應(yīng)用了EUV極紫外光刻的商用芯片，臺(tái)積電7nm EUV工藝制造，而高通剛發(fā)布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的7nm EUV工藝。
2019-12-18 09:20:0315995 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073254 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033215 三星宣布，位于韓國京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052214 近些年來EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 10:58:473149 近些年來EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 11:42:4529308 據(jù)國外媒體報(bào)道，在芯片的制造過程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 14:39:545045 臺(tái)積電上周發(fā)布了3月及Q1季度財(cái)報(bào)，營收同比大漲了42%，淡季不淡。不過接下來的日子半導(dǎo)體行業(yè)可能不太好過了，ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)斷貨，要延期交付，好在臺(tái)積電今年已經(jīng)在5nm工藝上搶先三星了。
2020-04-15 08:55:173192 CFan曾在《芯希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個(gè)關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒有
2020-09-01 14:00:292234 工藝制程走入10nm以下后，臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)開始顯現(xiàn)出來。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電優(yōu)先確保產(chǎn)能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優(yōu)勢(shì)。
2020-09-02 16:00:292684 了公司研究概況，他強(qiáng)調(diào)通過與ASML公司緊密合作，將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NA EUV光刻技術(shù)商業(yè)化。IMEC公司強(qiáng)調(diào)，將繼續(xù)把工藝規(guī)?？s小到1nm及以下。 包括日本在內(nèi)的許多半導(dǎo)體公司相繼退出了工藝小型化，聲稱摩爾定律已經(jīng)走到了盡頭，或者說成本太高，無利可圖。
2020-12-02 16:28:53806 在制造芯片的過程中，光刻工藝無疑最關(guān)鍵、最復(fù)雜和占用時(shí)間比最大的步驟。光刻定義了晶體管的尺寸，是芯片生產(chǎn)中最核心的工藝，占晶圓制造耗時(shí)的40％到50％。光刻機(jī)在晶圓制造設(shè)備投資額中約占23
2020-10-09 15:40:112189 ASML的EUV光刻機(jī)是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機(jī)必不可缺。一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)為1.48億歐元，折合人民幣高達(dá)11.74億元
2020-10-19 12:02:499648 
臺(tái)積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 EUV工藝的，這是臺(tái)積電三種7nm工藝版本之一，與其他兩種工藝相比，它會(huì)使用EUV光刻機(jī)，光刻處理效率更高。 在Zen3是否會(huì)上EUV工藝的問題上，AMD官方的態(tài)度一直很模糊，只強(qiáng)調(diào)是改良版的7nm工藝，官方路線圖中直接去掉了EUV的痕跡。 不過臺(tái)灣媒體日前提到，AMD的Zen3這次使用的7nm工
2020-10-26 17:49:532077 ASML公司的EUV光刻機(jī)全球獨(dú)一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺(tái)積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進(jìn)了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
2020-10-30 10:54:211646 制造工藝EUV（極紫外光刻）。Exynos 1080 所采用的 5nm EUV 工藝與 8nm LPP（成熟低功耗）相比，性能提升 14%，功耗降低 30%；與 7nm DUV（深紫外光刻）相比，
2020-11-12 16:48:291670 在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入7nm之后，EUV光刻機(jī)就成為兵家必備大殺器了，全球也只有ASML公司能生產(chǎn)，單價(jià)達(dá)到10億人民幣一臺(tái)。不過在EUV技術(shù)上，ASML還真不一定就是第一，專利比三星還少。
2020-11-17 10:25:182211 、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃，且1nm時(shí)代的光刻機(jī)體積將增大不少。 據(jù)稱在當(dāng)前臺(tái)積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設(shè)備，2nm之后需要
2020-11-30 15:47:402520 想想幾年前的全球半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)，真的可謂哀嚎一片，一時(shí)間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天，我們不僅看到5nm工藝如期而至，臺(tái)積電宣布2nm獲得重大進(jìn)展，就連光刻機(jī)的老大ASML也傳來捷報(bào)，全球最先進(jìn)的1nm EUV光刻機(jī)業(yè)已完成設(shè)計(jì)。
2020-12-02 16:55:419682 自從芯片工藝進(jìn)入到7nm工藝時(shí)代以后，需要用到一臺(tái)頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進(jìn)制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機(jī)，目前全球
2020-12-03 13:46:226379 更多訣竅，領(lǐng)先對(duì)手1到2年。 據(jù)悉，三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV，第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV，但層數(shù)過少對(duì)
2020-12-04 18:26:542201 據(jù)日媒近日消息，IMEC公司（比利時(shí)的一家微電子研究機(jī)構(gòu)，總部在比利時(shí)魯汶，是一個(gè)專注于納米科技的世界級(jí)研究中心）在ITF Japan 2020大會(huì)上公布了3nm、2nm、1．5nm以及1nm以下
2020-12-07 17:07:108923 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227 Luc Van den hove表示，IMEC的目標(biāo)是將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NA EUV光刻技術(shù)商業(yè)化。由于此前得光刻機(jī)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手早已經(jīng)陸續(xù)退出市場(chǎng)，目前ASML把握著全球主要的先進(jìn)光刻機(jī)產(chǎn)能，近年來，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機(jī)，目前目標(biāo)是將工藝規(guī)?？s小到1nm及以下。
2020-12-30 09:23:481673 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 09:28:551644 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻
2021-02-25 09:30:232047 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 11:39:091844 從中芯國際官網(wǎng)的介紹來看，該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm，接下來的是N+1、N+2工藝，但沒有指明具體的工藝節(jié)點(diǎn)。
2021-05-14 09:46:013193 7nm之下不可或缺的制造設(shè)備，我國因?yàn)橘Q(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺(tái)EUV光刻機(jī)。 但EUV光刻機(jī)的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機(jī)的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1010742 臺(tái)積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:202077 
先進(jìn)光刻工藝EUV相關(guān)知識(shí)，適合對(duì)半導(dǎo)體工藝有興趣的人員，或者是從事光刻工藝的工程師
2022-06-13 14:48:231 HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來源：架構(gòu)
?現(xiàn)場(chǎng)EUV源
?電源展望
?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450 在芯片研發(fā)的過程中，光刻機(jī)是必不可少的部分，而隨著芯片制程工藝的不斷發(fā)展，普通的光刻機(jī)已經(jīng)不能滿足先進(jìn)制程了，必須要用最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)才能完成7nm及其以下的先進(jìn)制程，而目前臺(tái)積電和三星都在攻克
2022-06-28 15:07:126676 隨著 0.55 NA EUV 光刻機(jī)量產(chǎn)提上日程，芯片廠商的“2nm 工藝戰(zhàn)”也將徹底打響。
2022-06-29 15:59:111297 1、IBM的2nm芯片，所有關(guān)鍵功能都是使用EUV光刻機(jī)進(jìn)行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產(chǎn)的中間和后端環(huán)節(jié)使用EUV光刻機(jī)，意味著2nm工藝對(duì)EUV光刻機(jī)擁有更高的依賴性。
2022-07-05 17:26:497169 光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)。
2022-07-06 11:03:077000 EUV光刻機(jī)是在2018年開始出現(xiàn)，并在2019年開始大量交付，而臺(tái)積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:444523 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 euv光刻機(jī)原理是什么 芯片生產(chǎn)的工具就是紫外光刻機(jī)，是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的核心設(shè)備，對(duì)芯片技術(shù)有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。那么euv光刻機(jī)原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1015099 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053181 來源：云天半導(dǎo)體 廈門云天半導(dǎo)體繼九月初812吋 “晶圓級(jí)封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團(tuán)隊(duì)的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/ 周凱揚(yáng) ）到了3nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。 為了實(shí)現(xiàn)2nm乃至未來的埃米級(jí)工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 07:25:02952 過去二十年見證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 13.5 納米軟 X 射線作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。
2023-02-02 11:49:592234 光掩模可以被認(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù)，并試圖靠它再次逆襲，日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱，對(duì)比EUV光刻工藝，使用納米壓印光刻工藝制造芯片，能夠降低將近四成制造成本和九成電量，鎧俠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷等公司則規(guī)劃在2025年將該技術(shù)實(shí)用化。
2023-03-22 10:20:391837 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個(gè)新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
了。 ? 芯片制造離不開光刻機(jī)，特別是在先進(jìn)制程上，EUV光刻機(jī)由來自荷蘭的ASML所壟斷。同時(shí)，盡管目前市面上，EUV光刻機(jī)客戶僅有三家，但需求不斷增加的情況底下，EUV光刻機(jī)依然供不應(yīng)求。 ? 針對(duì)后3nm時(shí)代的芯片制造工藝，High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機(jī)
2022-06-29 08:32:004635
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