隨著信息技術(shù)革命的到來，集成電路產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展，電子系統(tǒng)集成度的提高將導(dǎo)致功率密度升高，以及電子元件和系統(tǒng)整體工作產(chǎn)生的熱量增加，因此，有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題。 在此背景下，陶瓷基板具備優(yōu)良的散熱性能使得市場對其需求快速爆發(fā)，尤其是氮化鋁陶瓷基板產(chǎn)品，盡管價格遠(yuǎn)高于其它基板，仍是供不應(yīng)求甚至“一片難求”，這是為什么呢？

原因很簡單，小編認(rèn)為有三點(diǎn)：其一，性能好，用起來“香”，物有所值，在某些領(lǐng)域無法替代，一分錢一分貨的道理大家都懂。其二，生產(chǎn)過程”歷經(jīng)八十一難”，得之不易，對原材料要求高，制品制備工藝復(fù)雜，生產(chǎn)門檻較高。其三，市場發(fā)展迅速，產(chǎn)能擴(kuò)張速度跟不上需求增速，供貨周期長，價格自然水漲船高。今天我們就這三點(diǎn)進(jìn)一步了解氮化鋁陶瓷基板。 出色的導(dǎo)熱性能 首先，封裝基板主要利用材料本身具有的高熱導(dǎo)率，將熱量從芯片 (熱源) 導(dǎo)出，實(shí)現(xiàn)與外界環(huán)境的熱交換。對于功率半導(dǎo)體器件而言，封裝基板必須滿足以下要求：

(1)熱導(dǎo)率高，滿足器件散熱需求；

(2)耐熱性好，滿足功率器件高溫(大于200°C)應(yīng)用需求；

(3)熱膨脹系數(shù)匹配，與芯片材料熱膨脹系數(shù)匹配，降低封裝熱應(yīng)力；

(4)介電常數(shù)小，高頻特性好，降低器件信號傳輸時間，提高信號傳輸速率；

(5)機(jī)械強(qiáng)度高，滿足器件封裝與應(yīng)用過程中力學(xué)性能要求；

(6)耐腐蝕性好，能夠耐受強(qiáng)酸、強(qiáng)堿、沸水、有機(jī)溶液等侵蝕；

(7)結(jié)構(gòu)致密，滿足電子器件氣密封裝需求。

氮化鋁性能如何呢？氮化鋁作為陶瓷基板材料其性能如下：

（1）氮化鋁的導(dǎo)熱率較高，室溫時理論導(dǎo)熱率最高可達(dá)320W/(m·K)，是氧化鋁陶瓷的8～10倍，實(shí)際生產(chǎn)的熱導(dǎo)率也可高達(dá)200W/(m·K)，有利于LED中熱量散發(fā)，提高LED性能；

（2）氮化鋁線膨脹系數(shù)較小，理論值為4.6×10-6/K，與LED常用材料Si、GaAs的熱膨脹系數(shù)相近，變化規(guī)律也與Si的熱膨脹系數(shù)的規(guī)律相似。另外，氮化鋁與GaN晶格相匹配。熱匹配與晶格匹配有利于在大功率LED制備過程中芯片與基板的良好結(jié)合，這是高性能大功率LED的保障；

（3）氮化鋁陶瓷的能隙寬度為6.2eV，絕緣性好，應(yīng)用于大功率LED時不需要絕緣處理，簡化了工藝；

（4）氮化鋁為纖鋅礦結(jié)構(gòu)，以很強(qiáng)的共價鍵結(jié)合，所以具有高硬度和高強(qiáng)度，機(jī)械性能較好。另外，氮化鋁具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性和耐高溫性能，在空氣氛圍中溫度達(dá)1000℃下可以保持穩(wěn)定性，在真空中溫度高達(dá)1400℃時穩(wěn)定性較好，有利于在高溫中燒結(jié)，且耐腐蝕性能滿足后續(xù)工藝要求。

由以上看來，氮化鋁陶瓷具有高熱導(dǎo)率、高強(qiáng)度、高電阻率、密度小、低介電常數(shù)、無毒、以及與Si 相匹配的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異性能，是最具發(fā)展前途的一種陶瓷基板材料。

復(fù)雜繁瑣的生產(chǎn)過程 氮化鋁陶瓷基板的生產(chǎn)過程較為復(fù)雜繁瑣，其主要體現(xiàn)在兩個方面，高端氮化鋁粉體的制備與基板的制備。我們分別來了解下這兩方面。 1、氮化鋁粉體 幾乎所有的陶瓷制品的質(zhì)量都極大受到原材料品質(zhì)的影響，對氮化鋁陶瓷基板來說更是如此。 （1）粉體制備方法 目前制備氮化鋁粉體的方法主要有Al2O3粉碳熱還原法、Al粉直接氮化法、自蔓延高溫合成法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體法等。AlN粉體作為一種性能優(yōu)異的粉體原料，國內(nèi)外研究者通過不斷的科技創(chuàng)新來解決現(xiàn)有工藝存在的技術(shù)問題，同時也在不斷探索新的、更高效的制備技術(shù)。目前最主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法，這兩種工藝具有技術(shù)成熟、設(shè)備簡單、得到產(chǎn)品質(zhì)量好等特點(diǎn)，已在工業(yè)中得到大規(guī)模應(yīng)用。

（來源：蔣周青等.氮化鋁粉體制備技術(shù)的研究進(jìn)展） （2）影響粉體性能因素較多 氮化鋁陶瓷產(chǎn)品的性能直接取決于原料粉體的特性，尤其是氮化鋁最有價值的特性——導(dǎo)熱性。影響氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱性的因素主要有：氧及其它雜質(zhì)的含量、燒結(jié)的致密度、顯微結(jié)構(gòu)等。而這些因素體現(xiàn)在氮化鋁粉體上則為：氮化鋁的純度、顆粒的粒徑、顆粒的形狀等參數(shù)上。 （3）易水解，難存儲運(yùn)輸，需對粉體進(jìn)一步改性處理 相比氮化鋁的其它優(yōu)異性能，氮化鋁粉體有個大問題就是容易水解。它在潮濕的環(huán)境極易與水中羥基形成氫氧化鋁，在AlN粉體表面形成氧化鋁層，氧化鋁晶格溶入大量的氧，降低其熱導(dǎo)率，而且也改變其物化性能，給AlN粉體的應(yīng)用帶來困難。目前的應(yīng)對方法是，借助化學(xué)鍵或物理吸附作用在AlN顆粒表面涂覆一種物質(zhì)，使之與水隔離，從而避免其水解反應(yīng)的發(fā)生。抑制水解處理的方法主要有：表面化學(xué)改性和表面物理包覆。

2、基板制備 （1）陶瓷基片的成型 流延成型制備氮化鋁陶瓷基片的主要工藝，將氮化鋁粉料、燒結(jié)助劑、粘結(jié)劑、溶劑混合均勻制成漿料，通過流延制成坯片，采用組合模沖成標(biāo)準(zhǔn)片，然后用程控沖床沖成通孔，用絲網(wǎng)印刷印制金屬圖形，將每一個具有功能圖形的生坯片疊加，層壓成多層陶瓷生坯片，在氮?dú)庵屑s700℃排除粘結(jié)劑，然后在1800℃氮?dú)庵羞M(jìn)行共燒，電鍍后即形成多層氮化鋁陶瓷。此外，氮化鋁基板的成型方式還有注射成型、流延等靜壓成型等。 （2）關(guān)鍵步驟-燒結(jié) 燒結(jié)可以說是氮化鋁基板制備中至關(guān)重要的一步，主要牽扯到燒結(jié)方式的選擇、燒結(jié)溫度的控制、燒結(jié)助劑的添加、燒結(jié)氣氛的控制等。 目前AlN基片較常用的燒結(jié)工藝一般有5種，即熱壓燒結(jié)、無壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)(SPS)、微波燒結(jié)和自蔓延燒結(jié)。AlN陶瓷基片一般采用無壓燒結(jié)，該燒結(jié)方法是一種最普通的燒結(jié)，雖然工藝簡單、成本較低，但燒結(jié)溫度一般偏高，在不添加燒結(jié)助劑的情況下，一般無法制備高性能陶瓷基片。 在燒結(jié)爐中，燒結(jié)溫度的均勻性深刻影響著AlN陶瓷。燒結(jié)溫度均勻性的研究也為大批量生產(chǎn)、降低生產(chǎn)成本提供了保障，有利于實(shí)現(xiàn)AlN陶瓷基片產(chǎn)品的商業(yè)化生產(chǎn)。

對于陶瓷致密燒結(jié)，添加助燒劑無疑是最為經(jīng)濟(jì)、有效的方法。AlN陶瓷基板可選用的燒結(jié)助劑有CaO、Li2O、B2O3、Y2O3、CaF2、CaC2以及CeO2等。這些材料在燒結(jié)過程發(fā)揮著雙重作用，首先與表面的Al2O3結(jié)合生成液相鋁酸鹽，在粘性流動作用下，加速傳質(zhì)，晶粒周圍被液相填充，原有的粉料相互接觸角度得以調(diào)整，填實(shí)或者排出部分氣孔，促進(jìn)燒結(jié)。同時助燒劑可與氧反應(yīng)，降低晶格氧含量。 在AlN陶瓷的燒結(jié)工藝中，燒結(jié)氣氛的選擇也十分關(guān)鍵的。一般的AlN陶瓷燒結(jié)氣氛有3種：還原型氣氛、弱還原型氣氛和中性氣氛。還原性氣氛一般為CO，弱還原性氣氛一般為H2，中性氣氛一般為N2。在還原氣氛中，AlN陶瓷的燒結(jié)時間及保溫時間不宜過長，燒結(jié)溫度不宜過高，以免AlN被還原。在中性氣氛中不會出現(xiàn)上述情況，所以一般選擇在氮?dú)庵袩Y(jié)，這樣可以獲得性能更好的AlN陶瓷。 ? 市場狀況 在粉體方面，目前掌握高性能氮化鋁粉生產(chǎn)技術(shù)的廠家并不多，主要分布在日本、德國和美國。日本的德山化工生產(chǎn)的氮化鋁粉被全球公認(rèn)為質(zhì)量最好、性能最穩(wěn)定，公司控制著高純氮化鋁全球市場75%的份額。日本東洋鋁公司的氮化鋁粉性能較好，在日本和中國受到不少客戶的青睞。 在國內(nèi)，開展AlN粉研究、生產(chǎn)的廠家也有一些，主要有中電科第43所、國瓷材料、廈門鉅瓷、寧夏艾森達(dá)新材料科技有限公司、寧夏時星科技有限公司、煙臺同立高科新材料股份有限公司、遼寧德盛特種陶瓷制造有限公司、山東鵬程陶瓷新材料科技有限公司、三河燕郊新宇高新技術(shù)陶瓷材料有限公司、福建施諾瑞新材料有限公司、晉江華清新材料科技有限公司等。 但是由于國內(nèi)氮化鋁粉末行業(yè)發(fā)展時間晚，產(chǎn)業(yè)化時間短，產(chǎn)量很低，粉體性能與國外相比也存在較大差距，只能滿足國內(nèi)部分市場的需求。 而在陶瓷基片方面，我國氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)企業(yè)規(guī)模較小，研發(fā)投入資金有限，技術(shù)人員較少且經(jīng)驗(yàn)不足，導(dǎo)致我國氮化鋁陶瓷基片行業(yè)整體水平較低，產(chǎn)品缺乏競爭力，以中低端產(chǎn)品為主，高端氮化鋁基片同樣依賴于進(jìn)口。日本有多家企業(yè)研發(fā)和生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基片，是全球最大的氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)國，主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基片產(chǎn)品的公司包括如京瓷、日本特殊陶業(yè)、住友金屬工業(yè)、富士通、東芝、日本電氣等。由于氮化鋁陶瓷基片的特殊技術(shù)要求，加上設(shè)備投資大、制造工藝復(fù)雜，高端氮化鋁陶瓷基片核心制造技術(shù)被日本等國家的幾個大公司掌控。 目前我國在加力追趕階段，國內(nèi)已有福建華清電子材料科技有限公司、中電科四十三所、三環(huán)集團(tuán)、河北中瓷、合肥圣達(dá)電子、浙江正天新材料、深圳市佳日豐泰電子、寧夏艾森達(dá)、寧夏時星、福建臻璟、江蘇富樂德、南京中江等多個企業(yè)實(shí)現(xiàn)了氮化鋁陶瓷基板的國產(chǎn)化，隨著中國下游電子產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，未來氮化鋁基板的市場需求也會隨之增長；此外，隨著我國氮化鋁基板生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升，氮化鋁基板產(chǎn)品也將不斷升級，將會進(jìn)一步推動其應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，需求規(guī)模也會得到擴(kuò)張。整體來看，未來中國氮化鋁基板行業(yè)發(fā)展前景十分廣闊。

參考來源：

[1]程 浩，陳明祥等.電子封裝陶瓷基板

[2]蔣周青等.氮化鋁粉體制備技術(shù)的研究進(jìn)展

[3]劉戰(zhàn)偉等.氮化鋁粉末的制備方法及影響因素

[4]李友芬等.AlN陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展

[5]張?jiān)频?高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展

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附 集成電路封裝基板工藝詳解

編輯：黃飛

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